ตามรายงานข่าวล่าสุด ChangXin Memory Technologies (CXMT) ได้ประกาศเริ่มต้นกระบวนการ ผลิตโมดูล HBM3 ในระดับการผลิตเชิงพาณิชย์ (mass production) อย่างเป็นทางการแล้ว ผู้ผลิตหน่วยความจำจากจีนรายนี้กำลังค่อย ๆ ไล่ตามคู่แข่งระดับสากล โดยเฉพาะบริษัทจากเกาหลีใต้ ซึ่งเริ่มเดินสายการผลิต หน่วยความจำแบนด์วิดท์สูงรุ่นที่ 4 (HBM3) กันไปตั้งแต่ปี 2023
ตลอดช่วงปีที่ผ่านมา CXMT แสดงให้เห็นถึงความก้าวหน้าด้านเทคโนโลยีอย่างต่อเนื่องในกลุ่มผลิตภัณฑ์เชิงพาณิชย์หลายรายการ ตัวอย่างเช่น การนำดีไซน์ DDR5 และ LPDDR5X ที่พัฒนาเองมาโชว์ในรูปแบบพรีวิวเมื่อเดือนพฤศจิกายนที่ผ่านมา และภายในช่วงต้นเดือนกุมภาพันธ์ ปี 2026 มีรายงานว่าผู้ผลิตพีซีรายใหญ่ เช่น ASUS, Acer, Dell และ HP กำลังพิจารณาความเป็นไปได้ในการจัดหาหน่วยความจำเกรดผู้บริโภคจาก CXMT
สัญญาณแรกของการที่ CXMT ขยายไลน์ไปสู่การพัฒนา HBM3 “ที่พัฒนาขึ้นเองภายในประเทศ” ถูกเปิดเผยโดยแหล่งข่าวในอุตสาหกรรมตั้งแต่เดือนพฤษภาคมปีก่อน และภายในช่วงต้นฤดูใบไม้ร่วง การร่วมทุนที่มี YMTC เข้ามาเกี่ยวข้อง ก็ถูกมองว่าเป็นกุญแจสำคัญที่ช่วยเร่งการขยายกำลังการผลิต HBM ของอุตสาหกรรมจีนโดยรวม
ในขณะเดียวกัน Ascend AI accelerator รุ่นใหม่ของ Huawei เลือกใช้เทคโนโลยี HBM ที่พัฒนาเองภายในประเทศ เนื่องจากมาตรการคว่ำบาตรระดับโลกที่ทำให้บริษัทจีนไม่สามารถเข้าถึงชิ้นส่วนระดับไฮเอนด์จาก Micron, Samsung และ SK Hynix ได้ รายงานจากสื่อเกาหลีใต้ MK อ้างอิงข้อมูลจากแหล่งข่าวไม่เปิดเผยชื่อ ระบุถึงความร่วมมือแบบลับ ๆ ว่า
“Huawei ซึ่งเป็นผู้นำด้านการพัฒนาเซมิคอนดักเตอร์ AI ในจีน กำลังพัฒนา HBM ร่วมกับ CXMT และคาดว่าจะเข้าสู่การผลิตเชิงพาณิชย์ แม้จะมีประเด็นเรื่องอัตราผลผลิต (yield) ที่ยังต่ำอยู่ก็ตาม”
ข้อมูลวงในยังเสริมอีกว่า CXMT มีแผนกำลังการผลิต HBM3 ราว 60,000 เวเฟอร์ต่อเดือน ซึ่งตัวเลขดังกล่าวคิดเป็นประมาณ 20% ของกำลังการผลิตรวมทั้งหมดที่ราว 300,000 เวเฟอร์ต่อเดือน โดยอย่างน้อยในช่วงปี 2026
ที่มา: TechPowerUp
