ASML เปิดเผยว่าได้เพิ่มกำลังแหล่งกำเนิดแสงในเครื่องลิโทกราฟี EUV (Extreme Ultraviolet) เป็น 1,000 วัตต์ จากเดิมราว 600 วัตต์ ในปัจจุบัน โดยรายงานของ Reuters ระบุว่า การเพิ่มกำลังครั้งนี้อาจช่วยเพิ่มปริมาณการผลิตชิปได้สูงสุดถึง 50% ภายในสิ้นทศวรรษนี้

กำลังแสงที่สูงขึ้นหมายถึง Throughput ที่มากขึ้นโดยตรง
ASML คาดว่าภายในปี 2030 ลูกค้าจะสามารถผลิตได้ประมาณ 330 เวเฟอร์ต่อชั่วโมง จากปัจจุบันราว 220 เวเฟอร์ต่อชั่วโมง ซึ่งจะช่วยลดต้นทุนต่อชิปลง

EUV ทำงานอย่างไร

แสง EUV ที่มีความยาวคลื่น 13.5 นาโนเมตร ถูกสร้างขึ้นโดยการยิงเลเซอร์ CO₂ ใส่หยดดีบุกหลอมเหลวขนาดจิ๋ว ทำให้เกิดพลาสมาที่ปล่อยรังสี EUV ออกมา จากนั้นแสงจะถูกสะท้อนและควบคุมผ่านระบบออปติกความแม่นยำสูงที่จัดหาโดย Carl Zeiss AG

เพื่อให้ได้กำลัง 1,000W นั้น ASML:

• เพิ่มอัตราการยิงหยดดีบุกเป็นประมาณ 100,000 หยดต่อวินาที

• เปลี่ยนจากการยิงเลเซอร์แบบพัลส์เดียว เป็น เทคนิคเลเซอร์สองพัลส์ (two-pulse shaping)

บริษัทยังระบุว่ามีแนวทางพัฒนาไปถึง 1,500W และอาจแตะ 2,000W ได้ในอนาคต

บทบาทเชิงกลยุทธ์ของ ASML

ASML เป็นผู้ผลิตเครื่อง EUV เชิงพาณิชย์เพียงรายเดียวในโลก โดยลูกค้าหลักได้แก่ TSMC, SK Hynix และ Intel เครื่องจักรเหล่านี้ถือเป็นหัวใจของการผลิตชิปโหนดขั้นสูง และยังอยู่ภายใต้ข้อจำกัดการส่งออกไปยังจีน

การเร่งเพิ่มกำลัง EUV ครั้งนี้มีเป้าหมายเพื่อรักษาความเป็นผู้นำของ ASML ท่ามกลางการแข่งขันที่เพิ่มขึ้น เช่น

• บริษัทสตาร์ทอัพด้าน EUV ในสหรัฐฯ อย่าง xLight (ที่เกี่ยวข้องกับ Pat Gelsinger)

• ความพยายามของจีนในการพัฒนาเครื่องลิโทกราฟีของตนเอง

มีรายงานว่าบริษัทจีนบางแห่งพยายามจัดหาชิ้นส่วนจากเครื่อง ASML รุ่นเก่าผ่านตลาดรอง ขณะที่ Huawei เป็นหนึ่งในผู้ผลักดันหลักในการสร้างห่วงโซ่อุปทาน AI ภายในประเทศ เพื่อหลีกเลี่ยงข้อจำกัดด้านเทคโนโลยีจากต่างประเทศ

Huawei ยังได้ตั้งโรงงานผลิตเซมิคอนดักเตอร์ขนาดใหญ่ที่เมือง Guanlan เพื่อมุ่งผลิตชิปขนาด 7 นาโนเมตรสำหรับโปรเซสเซอร์ของตนเอง โดยรัฐบาลจีนตั้งเป้าให้มีต้นแบบที่ใช้งานได้ภายในปี 2028

สรุปคือ การเพิ่มกำลัง EUV สู่ระดับ 1,000W ไม่ได้เป็นเพียงเรื่องเทคนิค แต่สะท้อนการแข่งขันเชิงยุทธศาสตร์ในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ระดับโลกอย่างชัดเจน

ที่มา: TechPowerUp