ChangXin Memory Technologies (CXMT) เปิดตัว DRAM DDR5 และ LPDDR5X รุ่นแรกของบริษัทในงาน IC CHINA 2025 — ยกระดับอุตสาหกรรมหน่วยความจำภายในประเทศจีน

CXMT ประกาศเปิดตัวผลิตภัณฑ์หน่วยความจำ DDR5 และ LPDDR5X รุ่นแรกอย่างเป็นทางการ ถือเป็นก้าวสำคัญของตลาด DRAM ที่ผลิตในประเทศจีนเอง โดยตั้งเป้ารองรับตั้งแต่เซิร์ฟเวอร์ เดสก์ท็อป โน้ตบุ๊ก ไปจนถึงอุปกรณ์ฝังตัว (Embedded) พร้อมชูเป้าหมายลดการพึ่งพาซัพพลายเออร์ต่างชาติ

DDR5 รุ่นใหม่: ความเร็วสูงสุด 8000 MT/s

ชิป DDR5 ใหม่ของ CXMT มีความจุ 16 Gb และ 24 Gb และรองรับความเร็วสูงสุด 8000 MT/s สูงกว่าระดับมาตรฐานปัจจุบันที่อยู่ราว 6400 MT/s ในตลาดพีซีและเซิร์ฟเวอร์ระดับไฮเอนด์

CXMT เตรียมวางจำหน่ายโมดูลในหลายรูปแบบ ครอบคลุมทุกเซกเมนต์:

• RDIMM, MRDIMM, TFF MRDIMM — สำหรับดาต้าเซ็นเตอร์และองค์กร

• UDIMM — สำหรับเดสก์ท็อป

• SODIMM — สำหรับโน้ตบุ๊ก

• CUDIMM และ CSODIMM — สำหรับเวิร์กสเตชันและเครื่องโอเวอร์คล็อก

โดย CUDIMM/CSODIMM นั้นใช้สถาปัตยกรรม CKD ตามมาตรฐาน JEDEC ปี 2024 ช่วยรักษาคุณภาพสัญญาณแม้ใช้งานที่ความถี่สูงมาก

LPDDR5X รุ่นใหม่: ความเร็วสูงสุด 10,667 MT/s

ในฝั่งโมบาย ชิป LPDDR5X ของ CXMT ทำความเร็วได้สูงสุด 10,667 MT/s
มีความหนาแน่น 12 Gb และ 16 Gb รองรับแพ็กเกจขนาด:

• 12 GB

• 16 GB

• 24 GB

• 32 GB

เหมาะกับโน้ตบุ๊กบางเบา อุปกรณ์ Embedded และดีไวซ์ AI แบบคอมแพ็กต์

สถานะการผลิตและตลาดเป้าหมาย

CXMT เริ่มส่งตัวอย่าง (Sampling) ตั้งแต่เดือนตุลาคมที่ผ่านมา และวางตำแหน่งผลิตภัณฑ์กลุ่มนี้สำหรับอุปกรณ์ระดับเรือธงที่จะเปิดตัวในตลาดจีนเร็ว ๆ นี้

การมาถึงของ DRAM ระดับความเร็ว 8000 MT/s และ LPDDR5X-10667 ถือเป็นสัญญาณสำคัญว่าอุตสาหกรรมเมมโมรีของจีนกำลังก้าวเข้าสู่การแข่งขันระดับโลกอย่างจริงจัง ทั้งด้านเทคโนโลยี ความเร็ว และความพร้อมของซัพพลายเชน

ที่มา: VideoCardz