TechInsights ได้ระบุชิป DRAM 16 นาโนเมตรใหม่ของ CXMT ในโมดูล Gloway DDR-6000 UDIMM ซึ่งยืนยันถึงความก้าวหน้าในอุตสาหกรรมหน่วยความจำของจีน ชิป CXMT 16 Gb DDR5 มีขนาด 67 ตารางมิลลิเมตร โดยมีความหนาแน่น 0.239 Gb ต่อตารางมิลลิเมตร เซลล์ DRAM G4 มีขนาดเล็กกว่ารุ่น G3 ของ CXMT ถึง 20 เปอร์เซ็นต์ ซึ่งถือเป็นความก้าวหน้าของบริษัทจากโหนด 23 นาโนเมตร (G1) และ 18 นาโนเมตร (G2) แม้จะมีความก้าวหน้าดังกล่าว CXMT ก็ยังตามหลัง Samsung, SK Hynix และ Micron ในด้านขีดความสามารถในการผลิตประมาณสามปี บริษัทที่มีฐานอยู่ในเมืองเหอเฟยแห่งนี้ได้บรรลุเป้าหมายการผลิตนี้ภายใต้การคว่ำบาตรของสหรัฐฯ ที่จำกัดการเข้าถึงอุปกรณ์และวัสดุการผลิตบางส่วน ทำให้บริษัทต้องล่าช้าในการผลิตโหนดหน่วยความจำขั้นสูงไปหลายปี

 

TechInsights พบชิปเหล่านี้ในโมดูลหน่วยความจำที่มีจำหน่ายในเชิงพาณิชย์ ซึ่งยืนยันการเข้าสู่การผลิต DDR5 ของ CXMT เทคโนโลยี DDR5 คาดว่าจะเป็นมาตรฐาน DRAM หลักจนถึงปี 2027 ผู้ผลิต DRAM รายใหญ่ทั้งสามรายผลิต DDR5 มาหลายชั่วอายุคน โดยปัจจุบัน DDR5 มีความเร็วถึง 10,000 MT/s ซึ่งถือเป็นผลิตภัณฑ์ DDR5 DRAM ตัวแรกจาก CXMT ที่เข้าสู่ตลาดผู้บริโภค ชิปดังกล่าวตรงตามข้อกำหนดความเข้ากันได้พื้นฐานสำหรับข้อมูลจำเพาะ DDR5 ในปัจจุบัน ซึ่งหมายความว่าผู้ผลิตหน่วยความจำของจีนได้ผลิตหน่วยความจำ "1z" ในประเทศของตนเองแล้ว ซึ่งถือเป็นข่าวสำคัญข่าวที่สองสำหรับอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ของจีน ถัดจากที่ TechInsights ยืนยันแล้วว่า YMTC ได้เริ่มจัดส่ง NAND Flash 292 เลเยอร์แล้ว ด้วยความต้องการหน่วยความจำและที่เก็บข้อมูลในประเทศที่คาดว่าจะยังคงแข็งแกร่ง เราสงสัยว่าอุปทานจะเกินความต้องการหรือไม่ และจะช่วยให้มีชิปเหลือใช้สำหรับการใช้งานทั่วโลก

ที่มา : TechPowerUp