Infineon Technologies AG เปิดตัวดีไซน์อ้างอิง (Reference Design) แหล่งจ่ายไฟกำลังสูง 12 กิโลวัตต์ สำหรับ Power Supply Unit (PSU) ที่ออกแบบมาโดยเฉพาะเพื่อศูนย์ข้อมูลด้าน AI และงานเซิร์ฟเวอร์ โดยดีไซน์นี้มาพร้อมกับประสิทธิภาพสูง ความหนาแน่นกำลังสูง และใช้ประโยชน์จากวัสดุเซมิคอนดักเตอร์หลักทั้งหมด ได้แก่ ซิลิคอน (Si), ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) และแกลเลียมไนไตรด์ (GaN) ซึ่งเหมาะสำหรับวิศวกรวิจัยและพัฒนา นักออกแบบฮาร์ดแวร์ และผู้พัฒนาระบบอิเล็กทรอนิกส์กำลัง

ริชาร์ด คุนชิช (Richard Kunčič) รองประธานอาวุโสและผู้จัดการทั่วไปฝ่าย Power Switches ของ Infineon กล่าวว่า
“ท่ามกลางความต้องการพลังงานที่เพิ่มขึ้นจากการประมวลผลด้านปัญญาประดิษฐ์ (AI) สิ่งที่ Infineon มุ่งทำคือการมอบโซลูชันพลังงานที่มีประสิทธิภาพการแปลงไฟสูงสุด เพื่อรักษาพลังงานทุกวัตต์ที่เป็นไปได้ ดีไซน์อ้างอิง PSU 12 กิโลวัตต์แบบความหนาแน่นสูงรุ่นใหม่ของเรา ใช้สถาปัตยกรรมการแปลงพลังงานขั้นสูง พร้อมทั้งผสานเทคโนโลยี CoolMOS, CoolSiC และ CoolGaN ที่ทำให้ PSU ปลดล็อกศักยภาพสูงสุดด้านประสิทธิภาพพลังงาน ความน่าเชื่อถือ และความหนาแน่นพลังงาน เราภูมิใจที่ได้อยู่แนวหน้าในการจ่ายพลังงานให้กับ AI”

เพื่อให้ได้ประสิทธิภาพระดับสูง ดีไซน์นี้ใช้สถาปัตยกรรมการแปลงพลังงานขั้นสูงทั้งในส่วน AC/DC และ DC/DC

• ด้านหน้า (AC/DC Converter) ใช้โทโพโลยีแบบ 3-level flying capacitor interleaved power factor correction (PFC) ที่ให้ประสิทธิภาพสูงสุดมากกว่า 99.0% พร้อมทั้งลดขนาดชิ้นส่วนแม่เหล็ก โดยใช้เทคโนโลยี CoolSiC ของ Infineon ที่ให้สมรรถนะการสวิตชิ่งสูงและคุณสมบัติทางความร้อนที่ดีเยี่ยม

• ส่วน DC/DC Converter แบบ Isolated ใช้ full-bridge LLC resonant converter ที่ให้ประสิทธิภาพสูงสุดมากกว่า 98.5% ด้วยการใช้หม้อแปลงความถี่สูงแบบแผ่นราบ (planar high-frequency transformer) จำนวน 2 ตัว และเทคโนโลยี CoolGaN ของ Infineon

เมื่อผสานกับเทคโนโลยี Wide-Bandgap รุ่นใหม่ล่าสุดของ Infineon ดีไซน์นี้สามารถทำได้ถึง ความหนาแน่นพลังงานสูงสุด 113 W/in³

อีกหนึ่งจุดเด่นสำคัญของดีไซน์อ้างอิง PSU 12 กิโลวัตต์นี้ คือ วงจรบัฟเฟอร์พลังงานแบบสองทิศทาง (Bidirectional Energy Buffer) ที่ถูกบูรณาการเข้ามาในสถาปัตยกรรมจ่ายไฟ โดยตัวแปลงนี้ช่วยให้ PSU สามารถปฏิบัติตามข้อกำหนด hold-up time ได้ ในขณะที่ลดความต้องการใช้ตัวเก็บประจุ (Capacitance) ลงอย่างมาก นอกจากนี้ยังช่วยเสริมฟังก์ชันการปรับรูปคลื่นไฟจากกริด (Grid-shaping) เพิ่มความน่าเชื่อถือของระบบ และลดทั้งความผันผวนและอัตราการเปลี่ยนแปลงของการดึงกำลังไฟจากกริดในช่วงเหตุการณ์ทรานเซียนต์

ที่มา : TechPowerUp