Kioxia Corporation ซึ่งเป็นผู้คิดค้นหน่วยความจำแฟลชแบบ NAND คว้ารางวัล Lifetime Achievement Award ประจำปี 2024 จาก FMS: the Future of Memory and Storage โดยทีมวิศวกรรมจาก Kioxia ซึ่งได้แก่คุณฮิเดอากิ อาโอจิ, เรียวตะ คัตสึมาตะ, มาซารุ คิโตะ, มาซารุ คิโดะ และฮิโรยาสึ ทานากะ จะขึ้นรับรางวัลอันทรงเกียรตินี้จากผลงานการพัฒนาและจัดจำหน่ายหน่วยความจำแฟลชแบบ 3 มิติรายแรก เทคโนโลยีอันล้ำสมัยนี้ได้กลายมาเป็นพื้นฐานสำคัญสำหรับการใช้งานทางคอมพิวเตอร์ต่างๆ มากมาย ซึ่งรวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง, พีซี, SSD, ศูนย์ข้อมูล, AI และอุตสาหกรรม
Kioxia นำเสนอแนวคิดเกี่ยวกับเทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลชแบบ 3 มิติ BiCS FLASHTM ที่งาน VLSI Symposium เมื่อปี 2007 โดยหลังจากประกาศตัวต้นแบบไป Kioxia ก็เดินหน้าพัฒนาเพื่อยกระดับเทคโนโลยีดังกล่าวเพื่อการผลิตออกมาเป็นจำนวนมาก ซึ่งในที่สุดก็ได้เปิดตัวหน่วยความจำแฟลชแบบ 3 มิติ 48 ชั้นขนาด 256 กิกะบิต (Gb) ตัวแรกของโลกไปเมื่อปี 2015
"การคิดค้นหน่วยความจำแฟลชแบบ 3 มิติของ Kioxia ได้พลิกโฉมการจัดเก็บข้อมูลไป เปลี่ยนจากการยกระดับเทคโนโลยีที่มีอยู่เดิมมาเป็นโซลูชันสุดล้ำที่ตอบโจทย์ระบบคอมพิวเตอร์ยุคใหม่" คุณ Chuck Sobey ซึ่งดำรงตำแหน่งประธานทั่วไปของ FMS กล่าว "เรายินดีอย่างยิ่งที่ได้นำเสนอผลงานอันสำคัญนี้ และอยากจะเห็นสิ่งที่จะเกิดขึ้นในอนาคต"
หน่วยความจำแฟลชแบบ 3 มิติ BiCS FLASH มาพร้อมโครงสร้างแบบวางซ้อน 3 มิติที่ช่วยเพิ่มความจุและยกระดับประสิทธิภาพการทำงาน หน่วยความจำรูปแบบนี้ได้พลิกโฉมแวดวงธุรกิจการจัดเก็บข้อมูลไปจากเดิม เทคโนโลยีนี้ช่วยให้เกิดโซลูชันการจัดเก็บข้อมูลที่มีความหนาแน่นสูงขึ้นพร้อมรักษาความน่าเชื่อถือและประสิทธิภาพไว้ดังเดิม ซึ่งช่วยยกระดับขีดความสามารถให้กับศูนย์ข้อมูล อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์เพื่อผู้บริโภค และอุปกรณ์เคลื่อนที่ต่างๆ ได้เป็นอย่างมาก ทั้งยังเป็นมาตรฐานใหม่สำหรับเทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลชอีกด้วย เทคโนโลยี BiCS FLASH ของ Kioxia ใช้การวางซ้อนแบบแนวตั้ง (Vertical stacking) ซึ่งขจัดข้อจำกัดที่พบในแฟลช NAND เชิงระนาบ ช่วยเปิดทางให้เกิดการพัฒนาโซลูชันการจัดเก็บข้อมูลหน่วยความจำต่างๆ ในอนาคต ทั้งยังช่วยตอกย้ำภาพลักษณ์ของ Kioxia Corporation ในฐานะผู้นำวงการอีกด้วย
"นวัตกรรมทางเทคนิคของหน่วยความจำแฟลชแบบ 3 มิติจาก Kioxia นับเป็นความสำเร็จครั้งยิ่งใหญ่” คุณอัตสึชิ อิโนอุเอะ รองประธานและผู้บริหารด้านเทคโนโลยีจากแผนกหน่วยความจำของ Kioxia Corporation กล่าว “เทคโนโลยีของเราทำให้เพื่อนร่วมวงการได้มองเห็นความเป็นไปได้ใหม่ๆ ช่วยให้หน่วยความจำแฟลชสามารถเพิ่มความหนาแน่นของการจัดเก็บข้อมูลต่อเซลล์ ดาย และแพ็กเกจได้อย่างมาก ผมตื่นเต้นที่จะได้เห็นความสำเร็จของเราได้รับการยอมรับ และหวังว่าจะได้เห็นความเปลี่ยนแปลงที่เกิดขึ้นอย่างต่อเนื่องในอีกหลายปีต่อจากนี้ครับ"
"เพื่อนๆ วิศวกรใน Kioxia ต่างเป็นแรงบันดาลใจให้ผม ไม่เพียงแต่ในเรื่องความสำเร็จทางเทคโนโลยี แต่ยังรวมถึงความมุ่งมั่นที่จะยกระดับวงการโดยอาศัยการคิดค้นสิ่งใหม่ๆ อย่างไม่หยุดยั้งและคอยช่วยเหลือผู้ที่ทำงานด้านเทคโนโลยีรอบๆ ตัว” คุณเรียวตะ คัตสึมาตะ วิศวกรอาวุโสจากศูนย์พัฒนาหน่วยความจำขั้นสูงของ Kioxia Corporation กล่าว “ผลงานของเราไม่เพียงแต่สร้างความเปลี่ยนแปลงในวงกว้าง แต่ยังช่วยให้คนในวงการหันมาสนใจการคิดค้นสิ่งใหม่ๆ และร่วมมือกันอีกด้วย ผมดีใจมากที่ได้เห็นผู้คนยอมรับในความเป็นผู้นำและวิสัยทัศน์นี้”
เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลชแบบ 3 มิตินี้ยังคว้ารางวัล Imperial Invention Prize จาก National Commendation for Invention ประจำปี 2020 ในประเทศญี่ปุ่น และได้รับรางวัล Award for Science and Technology ประจำปี 2023 จาก The Commendation for Science and Technology โดยกระทรวงการศึกษา วัฒนธรรม กีฬา วิทยาศาสตร์ และเทคโนโลยีของประเทศญี่ปุ่น รวมถึงรางวัล IEEE Andrew S. Grove Award ประจำปี 2021
