เมื่อพูดถึงผู้ผลิต HBM ในตลาด ดูเหมือนว่า SK Hynix จะก้าวล้ำหน้ากว่าผู้ผลิตรายอื่น ๆ อย่างมาก โดยเฉพาะอย่างยิ่งด้วยเทคโนโลยี HBM4 บริษัทอ้างว่าได้เตรียมกระบวนการเชิงพาณิชย์สำหรับกระบวนการนี้ไว้แล้ว ในขณะที่คู่แข่งอย่าง Micron และ Samsung ยังคงอยู่ในขั้นตอนการสุ่มตัวอย่าง ซึ่งแสดงให้เห็นว่าอย่างน้อยในตอนนี้ SK Hynix กำลังชนะการแข่งขัน ในงาน North America Technology Symposium ของ TSMC บริษัทได้แสดงให้เห็นถึงความเป็นผู้นำที่เรียกว่า "หน่วยความจำ AI" โดยเปิดตัวผลิตภัณฑ์ใหม่หลายรายการที่จะกล่าวถึงในที่นี้ ก่อนอื่น SK Hynix ได้ให้สาธารณชนได้ดูตัวอย่างกระบวนการ HBM4 พร้อมทั้งสรุปรายละเอียดเล็กน้อยเกี่ยวกับคุณสมบัติด้วย ดังนั้น เราจึงกำลังดู HBM4 ซึ่งมีความจุสูงสุด 48 GB แบนด์วิดท์ 2.0 TB/s และความเร็ว I/O ที่ 8.0 Gbps SK Hynix ประกาศว่ากำลังมองหาการผลิตจำนวนมากภายในครึ่งหลังของปี 2025 ซึ่งหมายความว่ากระบวนการดังกล่าวอาจรวมเข้ากับผลิตภัณฑ์ได้เร็วที่สุดในช่วงปลายปีนี้ ซึ่งถือเป็นเรื่องที่น่าทึ่งมาก สิ่งสำคัญที่ต้องทราบคือยักษ์ใหญ่ของเกาหลีเป็นบริษัทเดียวที่จัดแสดง HBM4 ต่อสาธารณชน นอกเหนือจาก HBM4 แล้ว เรายังได้เห็นการนำ HBM3E 16 เลเยอร์ของ SK Hynix มาใช้ ซึ่งเป็นมาตรฐานแรกในประเภทนี้ด้วย โดยมีแบนด์วิดท์ 1.2 TB/s และอื่นๆ อีกมากมาย มาตรฐานนี้โดยเฉพาะนั้นมีการบูรณาการกับคลัสเตอร์ AI GB300 "Blackwell Ultra" ของ NVIDIA เนื่องจาก NVIDIA วางแผนที่จะเปลี่ยนไปใช้ HBM4 กับ Vera Rubin ที่น่าสนใจคือ SK Hynix อ้างว่าพวกเขาสามารถเชื่อมต่อเลเยอร์ต่างๆ ได้มากมายผ่าน Advanced MR-MUF และ TSV และเราน่าจะกำลังมองไปที่ผู้บุกเบิกเทคโนโลยีที่กล่าวถึงนี้ นอกจาก HBM แล้ว SK Hynix ยังได้จัดแสดงโมดูลหน่วยความจำเซิร์ฟเวอร์ โดยเฉพาะอย่างยิ่งผลิตภัณฑ์ RDIMM และ MRDIMM ปัจจุบัน โมดูลเซิร์ฟเวอร์ประสิทธิภาพสูงถูกสร้างขึ้นโดยใช้มาตรฐาน DRAM 1c ใหม่ ซึ่งทำให้โมดูลเหล่านี้มีความเร็วสูงสุดถึง 12,500 MB/s ซึ่งถือเป็นเรื่องที่น่าทึ่งมาก ไม่ต้องสงสัยเลยว่า SK Hynix มีข้อได้เปรียบเหนือตลาด HBM และ DRAM ในปัจจุบัน โดยเอาชนะผู้เล่นที่มีมายาวนานอย่าง Samsung ได้ โดยเฉพาะอย่างยิ่งด้วยการขับเคลื่อนนวัตกรรมและความร่วมมือกับบริษัทอย่าง NVIDIA

ที่มา : wccftech