หน่วยความจำ DDR5 รุ่นใหม่จาก SK Hynix ถูกพบปรากฏออนไลน์ โดยมีรหัส “X021” และรหัสชิ้นส่วนใหม่ “AKBD” ซึ่งคาดว่าเป็น หน่วยความจำ A-Die รุ่นที่สอง ขนาด 3Gb
พบเบาะแส “3Gb A-Die รุ่นใหม่” บน Facebook
ชิป DDR5 รุ่นล่าสุดนี้ถูกเผยแพร่ครั้งแรกในกลุ่ม Facebook “Clock'EM UP” โดยคุณ Kevin Wu จาก Team Group ซึ่งโชว์ภาพชิปที่มีสัญลักษณ์ X021 และรหัส AKBD อยู่บนตัวชิป ตามข้อมูลจาก @unikoshardware ระบุว่า “X021” หมายถึง A-Die รุ่นที่สอง ที่จะมาแทน M-Die รุ่นแรก ซึ่งเป็นรุ่นที่ใช้ในโมดูล DDR5 ช่วงเริ่มต้น
แม้ SK Hynix ยังไม่ได้ประกาศอย่างเป็นทางการ เกี่ยวกับชิปรุ่นใหม่นี้ แต่จากรูปและรหัสที่ปรากฏ เราสามารถเดาแนวทางได้บางอย่าง — จากธรรมเนียมการตั้งชื่อของ SK Hynix เช่น รหัส “EB”, “GB” และ “HB” เคยหมายถึงความเร็ว JEDEC ที่ 4800, 5600 และ 6400 MT/s ตามลำดับ ดังนั้นรหัสใหม่ “KB” จึงมีแนวโน้มที่จะหมายถึง ความเร็วพื้นฐาน 7200 MT/s และ Kevin Wu เองก็ยืนยันจุดนี้ในคอมเมนต์ด้วย
รองรับสเปกใหม่ของ Intel เต็มรูปแบบ
ความเร็วระดับ 7200 MT/s นั้นสอดคล้องกับแผนของ Intel Arrow Lake Refresh และ Panther Lake ที่ระบุว่าจะรองรับ DDR5 7200 MT/s เป็นมาตรฐานใหม่ (Plan of Record) ซึ่งถือเป็นการก้าวกระโดดจาก DDR5-5600 (Raptor Lake) และ DDR5-6400 (Arrow Lake) แบบชัดเจน นั่นหมายความว่า ชิป A-Die “AKBD” รุ่นใหม่นี้อาจกลายเป็นรากฐานของแรมความถี่สูงในยุค CPU เจเนอเรชันถัดไปของ Intel
ปัจจัยจำกัดคือแผงวงจร (PCB)
อย่างไรก็ตาม มีผู้ใช้บางคนตั้งข้อสังเกตว่า โมดูลที่เห็นในภาพอาจใช้ แผงวงจร 8 ชั้น (8-layer PCB) ซึ่งอาจมีผลต่อความเสถียรเมื่อใช้ความเร็วสูงมาก แม้จะใช้ชิป A-Die รุ่นใหม่ แต่ 8-layer PCB มักไม่สามารถรักษาความเร็วเกิน 8000 MT/s ได้ดีนัก เพราะมีข้อจำกัดด้านสัญญาณรบกวนและการจ่ายพลังงาน
ปกติแล้ว แรมระดับไฮเอนด์ จะใช้ แผงวงจร 10 หรือ 12 ชั้น เพื่อให้ได้สัญญาณที่สะอาดและคงที่ ซึ่งจำเป็นต่อการโอเวอร์คล็อกระดับสูง เราได้เห็นนักโอเวอร์คล็อกหลายคนทำสถิติทะลุ 12,000 MT/s หรือแม้แต่ 13,000 MT/s มาแล้ว ดังนั้น หากผู้ผลิตต้องการปลดศักยภาพของชิป A-Die “AKBD” รุ่นใหม่นี้ได้เต็มที่จริง ๆ ก็ควรจับคู่กับ แผง PCB ระดับ 10-12 ชั้น เพื่อดึงประสิทธิภาพสูงสุดออกมา
สรุป:
SK Hynix “A-Die AKBD” คือก้าวสำคัญของ DDR5 รุ่นใหม่ที่เตรียมเข้าสู่ยุค 7200 MT/s แบบมาตรฐาน JEDEC อย่างแท้จริง และจะเป็นตัวขับเคลื่อนหลักของหน่วยความจำรุ่นใหม่สำหรับแพลตฟอร์ม Intel Arrow Lake / Panther Lake ในปี 2026 อย่างแน่นอน
ที่มา: Wccftech
