SK hynix ยืนยันพัฒนา HBM4 เสร็จสิ้น พร้อมเดินหน้าเตรียมการผลิตจำนวนมาก

บริษัท SK hynix ประกาศว่าการพัฒนา HBM4 (High Bandwidth Memory รุ่นใหม่) เสร็จสิ้นเรียบร้อยแล้ว และได้เตรียมระบบสำหรับการผลิตในระดับ mass production โดยมีจุดเด่นดังนี้

• แบนด์วิดท์เพิ่มขึ้น 2 เท่า จากรุ่นก่อนหน้า ด้วยการขยายอินเทอร์เฟซเป็น 2,048 I/O

• ความเร็วต่อพิน เกิน 10 Gb/s ซึ่งสูงกว่ามาตรฐาน JEDEC HBM4 (8 Gb/s)

• ประสิทธิภาพการใช้พลังงานดีขึ้นกว่า 40%

• สามารถเพิ่มสมรรถนะการให้บริการ AI ได้สูงสุดถึง 69% เมื่อใช้งานจริง

Joohwan Cho หัวหน้าฝ่ายพัฒนา HBM ของ SK hynix ระบุว่า:

“การพัฒนา HBM4 สำเร็จถือเป็นหมุดหมายใหม่ของอุตสาหกรรม เราจะส่งมอบผลิตภัณฑ์ที่ตอบโจทย์ด้านสมรรถนะ การใช้พลังงาน และความน่าเชื่อถือให้ลูกค้าได้ทันเวลา เพื่อรักษาความสามารถในการแข่งขันในตลาด”

HBM4 ของ SK hynix จะใช้เทคโนโลยีแพ็กเกจ Advanced MR-MUF (Mass Reflow Molded Underfill) และกระบวนการผลิต DRAM 1bnm (10nm-class เจเนอเรชันที่ 5) เพื่อช่วยลดความเสี่ยงในการเร่งกำลังผลิต อย่างไรก็ตาม ยังไม่ได้เปิดเผยรายละเอียดด้านความจุและจำนวนเลเยอร์ที่ซ้อน

มาตรฐาน JEDEC HBM4

• กำหนดที่ 8 Gb/s ต่อพิน

• อินเทอร์เฟซ 2,048-bit  รองรับแบนด์วิดท์สูงสุด ~2 TB/s ต่อสแต็ก

การที่ SK hynix ทะลุไปเกิน 10 Gb/s หมายถึงศักยภาพเหนือกว่ามาตรฐาน แต่จะใช้งานจริงได้หรือไม่ ขึ้นอยู่กับตัวควบคุม (controller) และงบพลังงานของผู้ผลิตชิป

การนำไปใช้งาน (คาดการณ์ปี 2026):

• NVIDIA ซีรีส์ Rubin (Rubin R200 / Vera Rubin)

• AMD Instinct MI400 สำหรับศูนย์ข้อมูล

• Intel Jaguar Shores พร้อม HBM4

ที่มา : VideoCardz