SK hynix Inc. ประกาศว่าบริษัทได้ พัฒนา NAND Flash แบบ QLC 2 Tb จำนวน 321 ชั้น เสร็จสมบูรณ์แล้ว และเริ่ม ผลิตในปริมาณมาก ความสำเร็จนี้ถือเป็น ครั้งแรกของโลกที่นำเทคโนโลยี QLC มาใช้กับ NAND มากกว่า 300 ชั้น และสร้างมาตรฐานใหม่ในด้านความหนาแน่นของ NAND โดยบริษัทมีแผนจะ วางจำหน่ายสินค้าช่วงครึ่งปีแรกของปีหน้า หลังจากเสร็จสิ้นกระบวนการตรวจสอบกับลูกค้าทั่วโลก

เพื่อเพิ่มความสามารถในการแข่งขันด้านต้นทุนของผลิตภัณฑ์ใหม่ SK hynix ได้พัฒนา อุปกรณ์ขนาด 2 Tb ซึ่งมีความจุ มากกว่าสินค้าเดิมถึง 2 เท่า และเพื่อแก้ปัญหาประสิทธิภาพลดลงใน NAND ความจุสูง บริษัทจึง เพิ่มจำนวน plane (หน่วยการทำงานอิสระภายในชิป) จาก 4 เป็น 6 ทำให้สามารถประมวลผลแบบขนานได้มากขึ้น และเพิ่มประสิทธิภาพการอ่านพร้อมกันได้อย่างมีนัยสำคัญ

ผลลัพธ์คือ NAND QLC 321 ชั้น มอบทั้ง ความจุที่สูงขึ้นและประสิทธิภาพที่ดีกว่า ผลิตภัณฑ์รุ่นใหม่นี้ ความเร็วในการถ่ายโอนข้อมูลเพิ่มเป็น 2 เท่า, ประสิทธิภาพการเขียนดีขึ้นถึง 56%, และ ประสิทธิภาพการอ่านเพิ่มขึ้น 18% นอกจากนี้ ประสิทธิภาพการใช้พลังงานขณะเขียนเพิ่มขึ้นกว่า 23% ส่งผลให้มีความสามารถแข่งขันสูงใน ศูนย์ข้อมูล AI ที่ต้องการการใช้พลังงานต่ำ

บริษัทมีแผนจะนำ NAND 321 ชั้น ไปใช้กับ SSD สำหรับพีซี ก่อน จากนั้นขยายไปยัง enterprise SSD (eSSD) สำหรับศูนย์ข้อมูล และ UFS สำหรับสมาร์ทโฟน โดยใช้เทคโนโลยีเฉพาะของ SK hynix คือ 32DP3 ซึ่งสามารถซ้อน NAND die ได้ 32 ชิ้นในแพ็กเกจเดียว ทำให้บริษัทสามารถเข้าตลาด eSSD ความจุสูงมากสำหรับเซิร์ฟเวอร์ AI ด้วยความหนาแน่นการรวมชิปเพิ่มขึ้น 2 เท่า

Jeong Woopyo หัวหน้าฝ่ายพัฒนา NAND ของ SK hynix กล่าวว่า
"ด้วยการเริ่มผลิตในปริมาณมาก เราได้เสริมความแข็งแกร่งให้กับพอร์ตโฟลิโอผลิตภัณฑ์ความจุสูง และยกระดับความสามารถในการแข่งขันด้านต้นทุน เราจะก้าวไปข้างหน้าอย่างก้าวกระโดดในฐานะผู้ให้บริการหน่วยความจำ AI แบบครบวงจร เพื่อตอบสนองความต้องการ AI ที่เติบโตอย่างรวดเร็วและความต้องการประสิทธิภาพสูงในตลาดศูนย์ข้อมูล"

ที่มา : TechPowerUp