Samsung Semiconductor ได้จัดแสดงโซลิดสเตตไดรฟ์รุ่นใหม่ที่มีสเปคสูงหลายรุ่นในงาน FMS 2025 Storage Summit เมื่อต้นเดือนที่ผ่านมา ในส่วนของกลุ่มผลิตภัณฑ์ความจุสูงพิเศษ Samsung Semiconductor ได้เปิดตัวผลิตภัณฑ์ความจุ 256TB ที่มีชื่อว่า "MVP" โดยใช้ขั้วต่อ EDSFF ประกอบด้วยแผงวงจรพิมพ์รูปตัว C เชื่อมต่อด้วยสายเคเบิลแบบยืดหยุ่น และบรรจุชิป NAND 64 ตัว และชิป DRAM 9 ตัว

 

ปัจจุบัน ผู้ผลิตหน่วยความจำแฟลช NAND รายใหญ่หลายราย เช่น Kioxia, SanDisk และ Micron ได้ประกาศเปิดตัวผลิตภัณฑ์ที่มีความจุสูงสุด 256TB (LC9, DC SN670 และ 6600 ION ตามลำดับ) คาดว่า Samsung จะวางจำหน่ายรุ่นอย่างเป็นทางการในเร็วๆ นี้

 

สำหรับโซลิดสเตตไดรฟ์ระดับศูนย์ข้อมูลประสิทธิภาพสูง Samsung ได้จัดแสดง PG9G3 ใหม่ ซึ่งเป็นผลิตภัณฑ์อินเทอร์เฟซ PCIe 5.0×4 ที่ออกแบบมาเพื่อต่อยอดจาก PM9D3a โดย PG9G3 เป็นไปตามข้อกำหนด NVMe 2.1, NVMe-MI 2.0 และ OCP NVMe 2.6 รวมถึงฟอร์มแฟกเตอร์ U.2, EDSFF E3.S/ E1.S และ M.2 ขนาด 2.5 นิ้ว มีความจุให้เลือกตั้งแต่ 500GB ถึง 64TB พร้อมความเร็วในการอ่านและเขียนแบบต่อเนื่องสูงสุด 14,800 MB/s และ 12,000 MB/s และความเร็วในการอ่านและเขียนแบบสุ่มสูงสุด 3,400K IOPS/740K IOPS นอกจากนี้ยังรองรับการจัดวางข้อมูลแบบยืดหยุ่น (FDP) และคุณสมบัติด้านความปลอดภัยได้ดียิ่งขึ้น

ที่มา : IT Home