ระหว่างงาน Korea Tech Festival 2025 ที่กรุงโซล หน่วยความจำ GDDR7 ความเร็ว 40 Gbps ของ Samsung ได้รับรางวัล “เหรียญเชิดชูเกียรติจากประธานาธิบดี” ซึ่งแสดงถึงความก้าวหน้าของเทคโนโลยีเมมโมรีรุ่นใหม่อย่างเด่นชัด ชิปหน่วยความจำรุ่นนี้ผลิตบนกระบวนการ DRAM 12 nm (ระดับประมาณ 10 nm) ของ Samsung ทำงานที่ความเร็ว 40 Gbps และมีความจุ 3 GB (24 Gb) ต่อหนึ่งชิป การประกาศนี้เกิดขึ้นไม่นานหลังจากที่ Samsung เริ่มส่งตัวอย่าง GDDR7 ความเร็วสูงสุดเท่าที่เคยมีมา คือรุ่น 36 Gbps
ด้วยความจุ 24 Gb ต่อชิป ทำให้ได้ 3 GB ต่อโมดูล เหมาะสำหรับกราฟิกการ์ดเจเนอเรชันถัดไป นอกจากนี้ Samsung ยังมีโมดูล 3 GB รุ่นอื่น ๆ โดยเฉพาะ รุ่น 28 Gbps ขนาด 3 GB ที่ได้เข้าสู่การผลิตจำนวนมากแล้ว และคาดว่าจะถูกนำไปใช้กับ การอัปเดตซีรีส์ SUPER ของ NVIDIA ในรอบกลางเจเนอเรชัน (mid-cycle refresh)
เนื่องจากโมดูลขนาด 3 GB นั้นถือว่าค่อนข้างหายาก การยืนยันว่าเริ่มการผลิตจำนวนมากแล้ว โดยเฉพาะรุ่นเริ่มต้นที่ความเร็ว 28 Gbps จึงถือเป็นข่าวดีสำหรับตัวเลือก VRAM ระดับสูง แต่เมื่อ Samsung กำลังทดสอบโมดูล GDDR7 40 Gbps ความจุ 3 GB อยู่ในขณะนี้ ก็เป็นที่น่าจับตามองว่าโมดูลระดับนี้จะถูกนำไปใช้ในผลิตภัณฑ์ใดบ้าง สำหรับซีรีส์ GeForce RTX 50 SUPER ที่กำลังจะเปิดตัว NVIDIA มีแนวโน้มว่าจะใช้ชิปที่ “ผลิตจริงแล้ว” มากกว่าชิปที่ยังอยู่ในช่วงทดลองตัวอย่าง เนื่องจากการผลิตจำนวนมากและการเตรียมสต็อกเป็นสิ่งสำคัญก่อนเปิดตัวสินค้า
ด้านคู่แข่งของ Samsung เองก็เร่งเครื่องเช่นกัน SK Hynix เตรียมนำเสนอ DRAM รุ่นความเร็วสูงตัวใหม่ในงาน ISSCC 2026 ซึ่งจะมีชิป GDDR7 ความจุ 24 Gb ที่ความเร็ว 48 Gbps ชิปนี้ใช้การออกแบบ dual-channel แบบสมมาตร พร้อมอินเทอร์เฟซภายในระดับใหม่ ทำความเร็วได้เกินจากที่เคยคาดไว้เดิมที่ 32–37 Gbps ค่าความเร็วต่อพินเพิ่มขึ้นมากกว่า 70% เมื่อเทียบกับชิป 28 Gbps ในปัจจุบัน ทำให้แบนด์วิดธ์ต่อชิปเพิ่มจาก 112 GB/s เป็น 192 GB/s
ความก้าวหน้าของ GDDR7 ที่รวดเร็วนี้สะท้อนให้เห็นถึงความต้องการแบนด์วิดธ์ที่สูงขึ้นสำหรับโมดูลความจุ 3 GB ทำให้ผู้ผลิตหน่วยความจำต้องเดินหน้าเร่งการพัฒนาอย่างต่อเนื่องเพื่อรองรับตลาดที่เติบโตอย่างรวดเร็ว
ที่มา: TechPowerUp
