SanDisk คาดตลาด NAND ขาดแคลนต่อเนื่องถึงปี 2026 — พร้อมปรับขึ้นราคาอีกรอบจากดีมานด์ศูนย์ข้อมูลและ AI ที่พุ่งแรง
ในขณะที่ศูนย์ข้อมูลทั่วโลกกำลังเร่งขยายตัวอย่างรวดเร็ว ผู้นำด้านคลาวด์หลายรายเริ่ม เปลี่ยนจากงานฝึกสอน AI (AI training) ไปสู่การประมวลผลใช้งานจริง (AI inference) ส่งผลให้ ความต้องการหน่วยความจำความจุสูงพุ่งทะยาน — และเป็นตัวเร่งให้ผู้ผลิต NAND หลายเจ้าทยอยขึ้นราคาในช่วงที่ผ่านมา รวมถึง SanDisk, Micron และ Western Digital ด้วย
โดยในการประชุม Goldman Sachs Communacopia + Technology Conference เมื่อสัปดาห์ก่อน SanDisk ได้เผยมุมมองเชิงบวกอย่างมากต่อธุรกิจ โดยอ้างอิงจาก Seeking Alpha ว่า ตลาด NAND จะยังอยู่ในภาวะขาดแคลนต่อเนื่องไปจนถึงปี 2026
จากบันทึกถอดความของ Seeking Alpha ระบุว่า SanDisk มองว่า ศูนย์ข้อมูลจะเป็นแรงขับเคลื่อนหลักของการเติบโต และโมเมนตัมในตลาดยังคงเร่งตัวขึ้นอย่างต่อเนื่อง ด้าน David Goeckeler ซีอีโอของ SanDisk กล่าวย้ำว่า บริษัทจะใช้ กลยุทธ์ควบคุมการขยายกำลังการผลิตอย่างระมัดระวัง เพื่อให้สอดรับกับความต้องการ พร้อมเตือนว่า “เรายังไม่เห็นตลาดที่ดีไปถึงปี 2026” ซึ่งอาจสะท้อนว่า สภาวะขาดแคลนอาจยืดเยื้อไปจนถึงเวลานั้น
มีช่องให้ขึ้นราคาได้อีก
มุมมองเชิงบวกของ SanDisk ปรากฏชัดในนโยบายล่าสุด โดย TechPowerUp รายงานว่า SanDisk ได้ปรับขึ้นราคา NAND อีก 10% สำหรับคู่ค้าช่องทางจัดจำหน่ายทั้งหมดและสินค้าผู้บริโภค โดยมีผลกับคำสั่งซื้อใหม่ตั้งแต่ 5 กันยายนที่ผ่านมา โดยบริษัทระบุว่าเป็นผลจาก ความต้องการที่พุ่งขึ้นในงาน AI ศูนย์ข้อมูล และอุปกรณ์พกพา
Seeking Alpha ระบุเพิ่มเติมว่า SanDisk มองว่า ยังมีช่องทางสำหรับการขึ้นราคาอีกในอนาคต เพราะตลาดยังตึงตัว โดย Luis Visoso รองประธานบริหารและซีเอฟโอ กล่าวว่า บริษัทคาดว่าจะสามารถ ปรับราคาขายได้ต่อเนื่องในกลุ่มลูกค้า, ศูนย์ข้อมูล และคลาวด์ พร้อมชี้ว่าการเจรจาราคาและปริมาณสินค้านั้นทำเป็นรายไตรมาสกับลูกค้าแต่ละราย
อัปเดตเทคโนโลยี BICS 8 และ HBF
ตามรายงานของ Seeking Alpha — SanDisk เตรียม เร่งเปลี่ยนไปใช้ NAND รุ่นใหม่ BICS 8 อย่างรวดเร็วภายในปีนี้ โดยตั้งเป้าเพิ่มสัดส่วนจากเลขหลักเดียวในปัจจุบันขึ้นเป็น 40–50% ของพอร์ตทั้งหมดภายในสิ้นปีงบประมาณนี้
ทั้งนี้ SanDisk กำลัง เร่งโรดแมป NAND อย่างจริงจัง จากเดิมที่ใช้ BICS 5 → BICS 6 (QLC) และกำลังตั้งเป้า เปลี่ยนไปใช้ BICS 8 เต็มรูปแบบทั่วทั้งพอร์ตในอีกไม่กี่ปีข้างหน้า
นอกจากนี้ SanDisk ยังเปิดเผยเมื่อต้นปีว่า บริษัทกำลังพัฒนาเทคโนโลยีใหม่ที่เรียกว่า HBF (High Bandwidth Flash) และได้ ลงนามบันทึกข้อตกลง (MoU) ร่วมกับ SK hynix เพื่อกำหนดสเปกของเทคโนโลยีนี้ร่วมกัน
ตามรายงานของ Sisa Journal — หาก HBM เป็นการซ้อนชิป DRAM เพื่อเพิ่มแบนด์วิดท์ของหน่วยความจำ, HBF คือการซ้อนชั้น 3D NAND เพื่อเพิ่มจำนวนการทำงานแบบขนาน (parallel I/O) อย่างมหาศาล
SanDisk ระบุในการประชุม Goldman Sachs ว่า HBF คาดว่าจะพร้อมใช้งานได้ปลายปี 2026 และระบบสมบูรณ์ (รวมตัวควบคุมและ ASIC) จะเปิดตัวช่วงต้นปี 2027
โดยรุ่นแรกของ HBF จะใช้ หน่วยความจำซ้อน 16 ชั้น ให้ความจุสูงสุด 512GB ต่อกอง (stack) — มีแบนด์วิดท์เทียบเท่า HBM แต่ความจุมากกว่า 8–16 เท่า
ที่มา : TrendForce