มีข่าวมาสักพักแล้วว่า Samsung จะเริ่มทำการผลิตแรมแบบ A-Die ด้วยกระบวนการผลิตขนาด 10 นาโนเมตร แทนที่ B-Die ที่ใช้กระบวนการผลิต 20 นาโนเมตรอย่างที่ใช้อยู่ในปัจจุบัน
วงจรของแรมก็คือปกติเวลาเปิดตัวเทคโนโลยีใหม่ (เช่น DDR4) กระบวนการผลิตมักจะคงขนาดเดิมเอาไว้ แต่เปลี่ยนเทคโนโลยีการผลิต ทำให้ราคายังค่อนข้างแพง จนกระทั่งเริ่มกระบวนการผลิตขนาดที่เล็กลงและออกแบบมาเพื่อเทคโนโลยีใหม่โดยเฉพาะ จะทำให้ราคาถุกลง ตัว A-Die ที่มีขนาดกระบวนการผลิต 10 นาโนเมตรนี้ก็น่าจะเป็นวงจรช่วงที่สอง ที่จะทำให้ราคาแรม DDR4 ถูกลงกว่าเดิมในอนาคตเช่นกัน แต่อาจจะเสียเรื่องความเร็วไปบ้างเพื่อแลกกับการลดขนาดนี้
โมดูล Samsung A-Die ตัวแรกๆ นั้นมีรหัส M378A4G3AB2-CVF มีความจุแบบ Dual สูงถึง 32GB แต่ความเร็วนั้นไม่ได้สูงมากนัก (2933 MHz) CL21-21-21 ไม่ได้เร็วอย่างที่หลายๆ คนคาดหวังจาก DDR4 เท่าไหร่นัก แม้ว่าความเร็วสํญญาณนาฬิกานี้ถ้าหากเป็น B-die คงจะลดลงไปที่ CL17 ไปแล้ว
แน่นอนว่าถ้าหาก Samsung ยังแก้ไขปัญหาเรื่องความเร็วไม่ได้ ชิปแบบเดิมจะยิ่งแพงขึ้นกว่าเดิม (เพราะหลายๆ คนต้องการ แต่ไม่มีการผลิตเพิ่มมากขึ้นนัก) แต่ชิปแบบใหม่จะยิ่งถูกลงกว่าเดิม (ผลิตง่าย ผลิตได้เยอะ และความต้องการน้อยกว่า)
แล้วคุณล่ะ เลือกอะไรก่อน ราคาหรือความเร็ว
ที่มา - WCCFTech
