CXMT ไล่ทันยักษ์ใหญ่ DRAM! กำลังผลิตจ่อเทียบ Micron สิ้นปี 2026 พร้อมเร่งขยายโรงงานด้วยความเร็วที่อุตสาหกรรมต้องจับตา

บริษัทผู้ผลิตหน่วยความจำรายใหญ่ของจีน ChangXin Memory Technologies (CXMT) ยังคงเดินหน้าขยายกำลังการผลิตอย่างต่อเนื่อง ล่าสุดรายงานจาก Citrini Research ระบุว่า หากโครงการขยายกำลังการผลิตทั้งหมดแล้วเสร็จตามแผน ภายในสิ้นปี 2026 CXMT จะมีกำลังการผลิต DRAM สูงถึงประมาณ 350,000 เวเฟอร์ต่อเดือน ซึ่งใกล้เคียงกับ Micron หนึ่งในผู้ผลิต DRAM รายใหญ่ของโลก ที่คาดว่าจะมีกำลังการผลิตอยู่ที่ราว 375,000 เวเฟอร์ต่อเดือน

ตัวเลขดังกล่าวถือเป็นก้าวสำคัญของ CXMT เนื่องจากบริษัทเพิ่งก่อตั้งขึ้นเพื่อรองรับความต้องการหน่วยความจำภายในประเทศจีนในช่วงไม่กี่ปีที่ผ่านมา ขณะที่ Micron มีประสบการณ์ในอุตสาหกรรมหน่วยความจำมายาวนานหลายทศวรรษ

สร้างโรงงานเร็วกว่าอุตสาหกรรมเกือบ 1 ปี

ข้อมูลที่น่าสนใจจากรายงานระบุว่า CXMT สามารถก่อสร้าง Cleanroom หรือพื้นที่ผลิตชิปที่ต้องควบคุมสภาพแวดล้อมอย่างเข้มงวดได้ภายในเวลาประมาณ 12 เดือน เท่านั้น

เมื่อเปรียบเทียบกับผู้ผลิต DRAM รายอื่นของโลก ซึ่งโดยทั่วไปต้องใช้เวลาราว 21-24 เดือน ถือว่า CXMT สามารถลดระยะเวลาก่อสร้างลงได้เกือบครึ่งหนึ่ง ส่งผลให้การเพิ่มกำลังการผลิตทำได้รวดเร็วกว่าอุตสาหกรรมอย่างมีนัยสำคัญ

ไม่มี EUV แต่ยังเพิ่มกำลังผลิตได้

แม้ CXMT จะยังเผชิญข้อจำกัดจากมาตรการคว่ำบาตรของสหรัฐฯ ซึ่งทำให้ไม่สามารถจัดหาเครื่องผลิตชิปแบบ EUV (Extreme Ultraviolet Lithography) รุ่นล่าสุดได้ แต่บริษัทเลือกใช้เครื่อง DUV (Deep Ultraviolet) รุ่นเก่าร่วมกับเทคนิค Multi-Patterning เพื่อผลิตชิปที่มีความละเอียดสูง

แนวทางดังกล่าวทำให้ CXMT สามารถเพิ่มกำลังการผลิตได้อย่างต่อเนื่อง แม้จะต้องใช้กระบวนการผลิตที่ซับซ้อนกว่าผู้ผลิตรายอื่นที่สามารถใช้ EUV ได้โดยตรง

DDR5 พัฒนาอย่างต่อเนื่อง

ก่อนหน้านี้ CXMT ได้เริ่มส่งมอบชิป DDR5 ความจุ 16Gb ที่รองรับความเร็วสูงถึง 8,000 MT/s โดยใช้พื้นที่ไดเพียง 67 ตารางมิลลิเมตร และมีความหนาแน่นอยู่ที่ 0.239 Gb ต่อตารางมิลลิเมตร

ชิปดังกล่าวใช้เซลล์หน่วยความจำ G4 ซึ่งมีขนาดเล็กกว่ารุ่น G3 ถึงประมาณ 20% และเป็นพัฒนาการต่อเนื่องจากกระบวนการผลิต G1 (23 นาโนเมตร) และ G2 (18 นาโนเมตร)

ขณะเดียวกัน มีรายงานว่าบริษัทได้เริ่มผลิตชิป DDR5 ความจุ 24Gb ในระดับ Mass Production แล้ว แม้จะรองรับความเร็วราว 6,000 MT/s ซึ่งต่ำกว่ารุ่น 16Gb เล็กน้อย

นอกจากนี้ CXMT ยังผลิตหน่วยความจำ LPDDR5X-10667 สำหรับสมาร์ทโฟนและอุปกรณ์พกพา โดยมีทั้งรุ่นความจุ 12Gb และ 16Gb ซึ่งได้เข้าสู่สายการผลิตเชิงพาณิชย์เรียบร้อยแล้ว

ความต้องการ AI เป็นแรงผลักดันสำคัญ

รายงานระบุว่า ความต้องการหน่วยความจำสำหรับตลาด AI เป็นหนึ่งในปัจจัยสำคัญที่ผลักดันให้ CXMT เร่งขยายกำลังการผลิตอย่างต่อเนื่อง เพื่อรองรับความต้องการของผู้ผลิตเซิร์ฟเวอร์ ระบบ AI และอุปกรณ์ประมวลผลประสิทธิภาพสูงภายในประเทศจีน

จีนผลักดันการถ่ายทอดเทคโนโลยี DRAM

อีกประเด็นที่น่าสนใจคือ รัฐบาลจีนมีแนวโน้มสนับสนุนให้ CXMT ถ่ายทอดเทคโนโลยีและทรัพย์สินทางปัญญา (IP) ด้าน DRAM ไปยังผู้ผลิตหน่วยความจำรายอื่นภายในประเทศ เช่น JHICC, Swaysure และ XMC ซึ่งเป็นบริษัทในเครือของ YMTC

เป้าหมายของโครงการดังกล่าวคือการเพิ่มศักยภาพการผลิตหน่วยความจำภายในประเทศ ลดปัญหาการขาดแคลนชิป และสร้างความแข็งแกร่งให้กับอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ของจีน ก่อนที่จะขยายการทำตลาดไปยังภูมิภาคอื่นในอนาคต ไม่ว่าจะเป็นยุโรป หรืออาจรวมถึงสหรัฐอเมริกา หากข้อจำกัดด้านการค้าผ่อนคลายลง

จีนกำลังกลายเป็นคู่แข่งรายสำคัญของตลาด DRAM

การเติบโตของ CXMT สะท้อนให้เห็นว่าผู้ผลิตหน่วยความจำของจีนกำลังพัฒนาอย่างรวดเร็ว ทั้งในด้านเทคโนโลยี กระบวนการผลิต และกำลังการผลิต แม้ยังถูกจำกัดการเข้าถึงเทคโนโลยีขั้นสูงจากตะวันตกก็ตาม

หากแผนการขยายโรงงานดำเนินไปตามเป้าหมาย ภายในสิ้นปี 2026 CXMT จะกลายเป็นหนึ่งในผู้ผลิต DRAM รายใหญ่ที่สุดของโลก และอาจส่งผลต่อการแข่งขันกับผู้เล่นรายเดิมอย่าง Samsung, SK hynix และ Micron อย่างมีนัยสำคัญในช่วงหลายปีข้างหน้า

ที่มา: TechPowerUp