หลังจากเผชิญปัญหาล่าช้ากว่าหนึ่งปีครึ่ง ในที่สุดซัมซุงก็สามารถไล่ตามคู่แข่งรายใหญ่ด้านหน่วยความจำได้ทัน สำนักข่าวเกาหลีใต้อย่าง Korean Economic Daily และ Business Korea รายงานว่าซัมซุงผ่านการตรวจสอบคุณภาพของ NVIDIA สำหรับ HBM3e แบบ 12-เลเยอร์ หลังจากพัฒนามาตั้งแต่กุมภาพันธ์ปีที่แล้ว
นักวิเคราะห์ที่อ้างโดย Korean Economic Daily ระบุว่าความสำเร็จครั้งนี้สะท้อนถึงการอัปเกรดประสิทธิภาพของ HBM3e รุ่นปัจจุบันของซัมซุง รวมถึงความพยายามของ NVIDIA ที่จะกระจายฐานซัพพลายเออร์ โดยชิป HBM3e แบบ 12 เลเยอร์ ถูกออกแบบด้วย DRAM 12 ชั้นเพื่อเพิ่มแบนด์วิดท์สูงสุด รองรับการทำงานของตัวเร่ง AI รุ่นใหม่อย่าง NVIDIA B300 และ AMD MI350
อย่างไรก็ตาม Aju News มองความคืบหน้าของซัมซุงแตกต่างออกไป โดยรายงานว่าบริษัทเพิ่งเสร็จสิ้นการทดสอบ Wafer Acceptance Test (WAT) รอบสองภายในสำหรับ HBM3e แบบ 12 เลเยอร์ของ NVIDIA โดยคาดว่าผลจะออกมาในไม่กี่วันข้างหน้า
แม้ผลการทดสอบ WAT ที่แข็งแกร่งจะถือเป็นสัญญาณบวกที่ชิปมีโอกาสผ่านการรับรองจาก NVIDIA แต่รายงานย้ำว่าซัมซุงยังไม่ได้รับการอนุมัติอย่างเป็นทางการ หนึ่งในแหล่งข่าวอุตสาหกรรมอธิบายเปรียบเปรยว่า “ถ้าการรับรองของ NVIDIA คือการสอบเข้ามหาวิทยาลัย WAT ของซัมซุงก็เหมือนการสอบลองที่ใช้ข้อสอบจริงมาทดสอบ”
ทั้งนี้ Korean Economic Daily ระบุว่าความก้าวหน้าครั้งสำคัญของซัมซุงมาจากการแก้ปัญหาความร้อนโดยตรง โดยให้เครดิตแก่รองประธาน Jun Young-hyun ที่เข้ามารับตำแหน่งหัวหน้าฝ่ายเซมิคอนดักเตอร์เมื่อเดือนพฤษภาคมปีที่แล้ว ซึ่งได้ผลักดันการออกแบบใหม่ หลังจากพบกับผู้บริหาร NVIDIA เมื่อต้นปี เขาได้สั่งทีมพัฒนาให้ปรับปรุง DRAM รุ่น 1a สำหรับ HBM3e เพื่อปูทางสู่การผ่านด่านสำคัญในที่สุด
เมื่อเปรียบเทียบกัน SK hynix ได้ประกาศตั้งแต่กันยายน 2024 ว่าเริ่มการผลิตจำนวนมากของ HBM3e แบบ 12 เลเยอร์ ขนาด 36GB เป็นรายแรกของโลก ขณะที่ Business Korea รายงานว่าไมครอนก็เริ่มผลิต HBM3e แบบ 12 เลเยอร์เช่นกันในต้นปี 2025 หลังจากพัฒนาเสร็จและส่งตัวอย่างให้ลูกค้าเมื่อกันยายนที่ผ่านมา
ซัมซุงเร่งสปีดการแข่งขัน HBM4
ขณะที่ SK hynix ประกาศในเดือนกันยายนว่าได้พัฒนา HBM4 เสร็จสิ้นและเตรียมเข้าสู่การผลิตจำนวนมาก Aju News รายงานว่าซัมซุงก็ก้าวหน้าไม่แพ้กัน โดยบริษัทเพิ่งผ่านขั้นตอน Product Validation Review (PVR) สำหรับ HBM4 ซึ่งถือเป็นหนึ่งในด่านสุดท้ายของกระบวนการพัฒนาผลิตภัณฑ์ใหม่
รายงานระบุว่าซัมซุงได้จัดส่งตัวอย่าง HBM4 ไปแล้วตั้งแต่ไตรมาส 2 แต่ปัจจุบันบริษัทกำลังทุ่มทรัพยากรทั้งหมดของฝ่ายเซมิคอนดักเตอร์ในการพัฒนาเวอร์ชันแก้ไขที่รวมเอาข้อกำหนดด้านประสิทธิภาพของ NVIDIA เข้ามาด้วย
ชิป HBM4 แบบ 12 เลเยอร์ ที่สร้างบน DRAM รุ่น 1c ของซัมซุง คาดว่าจะมีประสิทธิภาพเหนือกว่าผลิตภัณฑ์ HBM4 ของ SK hynix และ Micron ที่ยังใช้ DRAM รุ่น 1b โดยสามารถตอบสนองความต้องการของ NVIDIA ที่ให้ชิปมีแบนด์วิดท์ 10Gbps ต่อชิปได้
TrendForce รายงานว่า NVIDIA เพิ่งกดดันซัพพลายเออร์ชิ้นส่วนหลักสำหรับเซิร์ฟเวอร์ Vera Rubin ให้ยกระดับสเปก โดยเฉพาะการเพิ่มความเร็ว HBM4 ต่อพินขึ้นเป็น 10Gbps เพื่อเตรียมรับการเปิดตัวแพลตฟอร์ม MI450 Helios ของ AMD ในปี 2026
ในบรรดาซัพพลายเออร์รายใหญ่ทั้งสาม ซัมซุงได้ก้าวเชิงรุกตั้งแต่ปี 2024 โดยการอัปเกรดกระบวนการผลิตฐานของ HBM4 ไปใช้ FinFET ขนาด 4nm โดยตั้งเป้าที่จะเริ่มผลิตจำนวนมากภายในสิ้นปีนี้ ตามรายงานของ TrendForce
ที่มา : TrendForce
