เมื่อผู้ให้บริการคลาวด์รายใหญ่ (CSPs) เร่งขยายโครงสร้างพื้นฐานด้าน AI และหันไปสู่การประมวลผล inference ที่ต้องใช้พลังสูง ความต้องการสตอเรจความจุใหญ่ก็กำลังพุ่งสูงขึ้น ส่งผลให้การพัฒนา NAND รุ่นถัดไปถูกจับตามองอย่างมาก แต่ล่าสุด รายงานว่า Samsung Electronics กำลังเผชิญปัญหาในการทำให้ NAND รุ่นที่ 9 (V9) QLC เข้าสู่การผลิตเชิงพาณิชย์เต็มรูปแบบ ทำให้กำหนดการถูกเลื่อนไปอย่างน้อยครึ่งแรกของปี 2026

รายงานระบุว่า V9 NAND ของซัมซุงออกแบบมาที่ 280 เลเยอร์ โดยเริ่มการผลิตจำนวนมากตั้งแต่เมษายนปีที่แล้ว แต่ใช้โครงสร้างแบบ TLC (Triple-Level Cell) ที่ความจุ 1Tb จากนั้นในกันยายน 2024 ซัมซุงก็เริ่มเดินสายผลิต V9 QLC (Quad-Level Cell) ความจุสูง อย่างไรก็ตาม แหล่งข่าวหลายรายบอกกับ ZDNet ว่า ล็อตแรกของ V9 QLC มีปัญหาด้านการออกแบบจนทำให้ประสิทธิภาพไม่ดี ส่งผลให้โครงการล่าช้า อีกทั้งซัมซุงยังคงตามหลังในตลาด QLC เพราะปัจจุบันผลิตภัณฑ์ QLC หลักยังติดอยู่ที่รุ่น V7 และไม่ได้ปล่อย QLC สำหรับรุ่น V8 เลย

SK hynix เร่งเครื่องแซง

ในขณะที่ซัมซุงกำลังเจออุปสรรค SK hynix ได้ประกาศความสำเร็จครั้งสำคัญเมื่อปลายสิงหาคมที่ผ่านมา ด้วยการพัฒนา QLC NAND ความจุ 2Tb ที่มีถึง 321 เลเยอร์ พร้อมเดินสายผลิตแล้ว ถือเป็น QLC NAND รุ่นแรกของโลกที่ทะลุ 300 เลเยอร์ โดยบริษัทเผยว่า ความเร็วในการส่งข้อมูลเพิ่มขึ้น 2 เท่า เขียนข้อมูลได้เร็วขึ้น 56% อ่านเร็วขึ้น 18% และใช้พลังงานน้อยลงกว่า 23% ซึ่งช่วยเพิ่มความได้เปรียบอย่างมากในศูนย์ข้อมูล AI ที่ต้องการทั้งความเร็วและการประหยัดพลังงาน

ในอีกด้านหนึ่ง แม้ซัมซุงจะเคยเปิดตัว V10-class TLC NAND ความจุ 1Tb ที่มากกว่า 400 เลเยอร์ ตั้งแต่กุมภาพันธ์ที่ผ่านมา แต่ยังไม่มีกำหนดการผลิตจริงที่ชัดเจน ขณะที่ Kioxia ของญี่ปุ่นก็โชว์ V10-class NAND ที่ 332 เลเยอร์ในต้นปี 2025 แต่ยังอยู่ระหว่างการพัฒนาและรอการผลิตจำนวนมากเช่นกัน

ที่มา : TrendForce