มีรายงานว่า Micron กำลังพยายามเป็นรายแรกของอุตสาหกรรมในการพัฒนาเทคโนโลยีหน่วยความจำกราฟิกแบบซ้อนชั้น (Stacked GDDR) โดยตามรายงานของ ETNews ระบุว่าแหล่งข่าวเผยว่าบริษัทได้เริ่มพัฒนาผลิตภัณฑ์ใหม่ที่นำ GDDR มาวางซ้อนในแนวตั้งแล้ว ขณะนี้ Micron กำลังเตรียมอุปกรณ์ที่จำเป็น และมีแผนจะเริ่มทดสอบกระบวนการผลิตในช่วงครึ่งหลังของปี 2026 โดยดีไซน์เบื้องต้นคาดว่าจะมีการซ้อนประมาณ 4 ชั้น และอาจมีต้นแบบออกมาเร็วที่สุดในปี 2027

ตามรายงานระบุว่า GDDR เป็นหน่วยความจำที่ถูกออกแบบมาเพื่อการประมวลผลวิดีโอและกราฟิก 3 มิติ โดยปกติใช้ในกราฟิกการ์ดและอุปกรณ์เกม แต่ปัจจุบันเริ่มถูกนำไปใช้ในตัวเร่ง AI (AI accelerators) มากขึ้น แม้จะมีแบนด์วิดท์ต่ำกว่า HBM แต่ข้อได้เปรียบด้านต้นทุนทำให้มีความต้องการเพิ่มขึ้น โดยเฉพาะในงาน AI inference ซึ่งเป็นตลาดที่ Micron ต้องการเจาะ

ด้วยการซ้อน GDDR ในลักษณะคล้ายกับ HBM บริษัทมีเป้าหมายจะสร้างผลิตภัณฑ์ที่แม้จะยังช้ากว่า HBM แต่ให้ประสิทธิภาพและความจุสูงกว่า GDDR แบบเดิม นอกจากนี้ยังคาดว่าจะมีความต้องการจากตลาดการ์ดจอเกมมิ่งระดับสูง ซึ่งยังคงเติบโตอย่างต่อเนื่อง

รายงานจาก Global Economic ระบุเพิ่มเติมว่า แม้ Stacked GDDR จะด้อยกว่า HBM ในด้านประสิทธิภาพ แต่จุดเด่นสำคัญคือ “ต้นทุนที่ถูกกว่า” และ “กระบวนการแพ็กเกจที่ง่ายกว่า” โดย HBM ต้องใช้เทคโนโลยีซับซ้อน เช่น through-silicon vias (TSVs) จำนวนมาก และการแพ็กเกจแบบ interposer อย่าง CoWoS ซึ่งมีข้อจำกัดด้านการผลิตและซัพพลาย

ในทางกลับกัน Stacked GDDR ใช้กระบวนการที่ง่ายกว่า จึงได้เปรียบทั้งในด้านต้นทุนและการขยายกำลังผลิต

หาก Micron ประสบความสำเร็จ ก็อาจสามารถยึดตำแหน่งผู้นำในตลาดนี้ได้ก่อนใคร โดยรายงานชี้ว่าบริษัทมองเห็นโอกาสการเติบโตจากกระแส AI และต้องการรุกตลาด Stacked GDDR ก่อนคู่แข่งอย่าง Samsung และ SK hynix เพื่อสร้างความได้เปรียบ

อีกประเด็นหนึ่งที่น่าสนใจคือ หาก Stacked GDDR ได้รับความนิยมในตลาด AI inference จริง อาจกระทบโมเดลรายได้ที่พึ่งพา HBM อย่างมาก เนื่องจากงาน inference ต้องใช้เซิร์ฟเวอร์จำนวนมหาศาล และ GDDR มีราคาต่อหน่วยเพียงประมาณ 5–10% ของ HBM ทำให้เป็นตัวเลือกที่น่าสนใจอย่างมาก

อย่างไรก็ตาม เทคโนโลยี Stacked GDDR ยังอยู่ในช่วงเริ่มต้นของการวิจัย และยังไม่มีตัวอย่างการผลิตเชิงพาณิชย์มาก่อน ทำให้ยังไม่แน่ชัดว่า Micron จะสามารถแก้ปัญหาทางเทคนิคได้หรือไม่

ความท้าทายหลัก ได้แก่

• การพัฒนาเทคนิคการซ้อนชิป GDDR อย่างมีประสิทธิภาพ
• การจัดการพลังงานและความร้อน
• การควบคุมต้นทุนการผลิตให้แข่งขันกับ HBM ได้

ทั้งหมดนี้จะเป็นปัจจัยสำคัญในการทำให้เทคโนโลยีนี้ประสบความสำเร็จในตลาดจริง

ที่มา: TrendForce