ผู้ผลิตหน่วยความจำของจีนรายงานว่ากำลังร่วมมือกันเพื่อผลิต HBM โดยบริษัท NAND รายใหญ่ YMTC จับมือกับ CXMT ในการผลักดันไปสู่ HBM3 และรุ่นถัดไป

YMTC คาดว่าจะร่วมมือกับ CXMT ของจีนในการพัฒนาเทคโนโลยี Hybrid Bonding มุ่งหน้าสู่ HBM3 และก้าวไกลกว่านั้น

จีนกำลังมุ่งสู่การพึ่งพาตนเองอย่างสมบูรณ์ในการผลิต ไม่ว่าจะเป็นชิป AI หรือแม้กระทั่งเซมิคอนดักเตอร์และ HBM โดยเฉพาะอย่างยิ่งในส่วนของหน่วยความจำแบนด์วิธสูง (HBM) ที่ CXMT ของจีนถูกอ้างว่าเป็นผู้เล่นหลัก และปัจจุบันผลิต HBM2 ในระดับการผลิตจำนวนมากแล้ว และตามรายงานจาก ZDNet Korea บริษัทกำลังจับมือกับ YMTC ผู้ผลิต NAND ชั้นนำ เพื่อพัฒนาเทคโนโลยี DRAM รุ่นใหม่ที่จะรองรับ HBM ประสิทธิภาพสูงในอนาคต

รายงานระบุว่า YMTC มีแผนจะลงทุนในธุรกิจ DRAM ในเร็ว ๆ นี้ และจัดตั้งเทคโนโลยีที่เกี่ยวข้องเพื่อขับเคลื่อนไปสู่การผลิต HBM บริษัทจีนรายนี้ถูกกล่าวว่ากำลังสั่งซื้ออุปกรณ์ R&D สำหรับ DRAM และที่สำคัญคือวางแผนจะร่วมมือกับ CXMT ในการเดินหน้าครั้งนี้ด้วย โดย CXMT เป็นผู้ผลิต DRAM รายใหญ่ที่สุดของจีนในปัจจุบัน และมีความเชี่ยวชาญในการผลิต HBM2 แล้ว อีกทั้งยังถูกอ้างว่ากำลังก้าวไปสู่ HBM3 อย่างรวดเร็ว

YMTC คาดว่า CXMT จะมอบเทคโนโลยีอย่าง hybrid bonding ให้ ซึ่งจะช่วยเร่งกระบวนการพัฒนาไปสู่ HBM ที่ใช้ DRAM และสิ่งที่ให้ความสำคัญคือการขยายกำลังการผลิต YMTC เคยเป็นหนึ่งในผู้ผลิต NAND รายใหญ่ที่สุดก่อนที่จะเจอกับมาตรการควบคุมการส่งออกของสหรัฐฯ และบริษัทเคยร่วมมือกับ Samsung มาก่อน ซึ่งบ่งชี้ว่า YMTC มีศักยภาพที่จะช่วยแก้ปัญหาคอขวดของการผลิต HBM ในภูมิภาคได้

ความร่วมมือนี้อาจเป็นภัยคุกคามต่อคู่แข่งจากเกาหลีใต้ อย่างเช่น Samsung ซึ่งถึงแม้จะล้ำหน้ากว่าในด้านสิทธิบัตรและเทคโนโลยี แต่ก็อาจได้รับผลกระทบจากความก้าวหน้าอย่างรวดเร็วของผู้ผลิตหน่วยความจำจีน สำหรับตอนนี้ สิ่งสำคัญของจีนคือการสร้างสายการผลิตเซมิคอนดักเตอร์และ HBM ให้เพียงพอ เพื่อตอบสนองต่อการผลักดันการใช้เทคโนโลยี AI ภายในประเทศ

ที่มา : Wccftech