ตามรายงานของ SemiAnalysis การสร้างระบบเซมิคอนดักเตอร์ AI ของจีนกำลังเผชิญ “คอขวด” ที่ไม่คาดคิด และยังรุนแรงกว่าปัญหาข้อจำกัดการผลิตเสียอีก นั่นคือ การขาดแคลนหน่วยความจำความเร็วสูงแบบ HBM (High-Bandwidth Memory)
แม้ผู้ผลิตเซมิคอนดักเตอร์ในประเทศอย่าง SMIC จะสามารถผลิตตัวประมวลผล AI ได้เพียงพอ แต่การไม่มีห่วงโซ่อุปทาน HBM กลับกลายเป็นอุปสรรคสำคัญที่กดทับความทะเยอทะยานด้านเซมิคอนดักเตอร์ของจีน
ตัวอย่างที่ชัดเจนคือ Huawei Ascend 910C บริษัทมีศักยภาพในการผลิตสูงถึง 805,000 ชิ้นต่อปี ผ่านกำลังการผลิตของ TSMC (ที่ได้มาจากการกักตุนก่อนถูกสกัดกั้น) รวมถึง SMIC ด้วย แต่การขาด HBM ทำให้ไม่สามารถปลดล็อกศักยภาพการผลิตนี้ได้
ที่ผ่านมา บริษัทจีนเคยกว้านซื้อสต็อก HBM จาก Samsung ได้ราว 11.4 ล้านสแตก ก่อนที่มาตรการควบคุมการส่งออกจะเข้มงวดขึ้น แต่สต็อกนี้ไม่อาจรองรับการขยายตัวระยะยาวของ AI ได้ การขาดหน่วยความจำจึงแทบจะ “ลบล้าง” ความสามารถในการผลิตชิปของจีนลงไปโดยปริยาย และส่งผลให้คู่แข่งฝั่งตะวันตกอย่าง NVIDIA และ AMD ยังคงได้เปรียบต่อเนื่อง แม้ปักกิ่งจะทุ่มงบลงทุนอย่างมหาศาลก็ตาม
เส้นทางสู่ “การพึ่งพา HBM ในประเทศ” ของจีนพุ่งเป้าไปที่ผู้ผลิตเมมโมรีภายในอย่าง CXMT และความร่วมมือใหม่กับ YMTC แต่การเปลี่ยนสายการผลิตจาก DRAM ปกติไปสู่ HBM ต้องใช้เครื่องจักรเฉพาะทาง ซึ่งส่วนใหญ่ยังขึ้นกับซัพพลายเออร์ตะวันตก นี่จึงกลายเป็น “ชั้นของการพึ่งพา” อีกระดับ
จีนอาจเริ่มผลิต HBM3E ที่แข่งขันได้ภายในปี 2026 หากการลงทุนยังดำเนินต่อเนื่องและไม่มีข้อจำกัดเพิ่มเติมเรื่องเครื่องจักร อย่างไรก็ตาม เส้นเวลาเช่นนี้ตั้งอยู่บนสมมติฐานว่าการถ่ายทอดเทคโนโลยีสำเร็จ และยังเข้าถึงเครื่องมือการผลิตที่จำเป็นได้โดยไม่สะดุด หากการควบคุมการส่งออกขยายไปครอบคลุมเครื่องมือที่เกี่ยวข้องกับ HBM มากขึ้น เส้นทางนี้ก็อาจถูกยืดออกไปอีกมาก
ด้าน YMTC มีรายงานว่าเตรียมเข้าสู่การผลิต DRAM และอาจเริ่มสั่งซื้อเครื่องจักรได้ตั้งแต่ปลายปี 2025 โดยใช้ “อาวุธลับ” อย่างเทคโนโลยี Xtacking ซึ่งเป็นเทคนิค hybrid bonding ขั้นสูงสุดแบบหนึ่งที่ YMTC ใช้กับ NAND มาหลายปีแล้ว ความสำคัญอยู่ที่ HBM ต้องซ้อนชิปหน่วยความจำอย่างน้อย 16 เลเยอร์ ด้วยความแม่นยำสูง ซึ่ง YMTC มีประสบการณ์ในด้านนี้อยู่แล้ว
ที่มา : TechPowerUp
