SK hynix เดินหน้าหน่วยความจำยุคใหม่ รับกระแส AI ย้ำ “ไม่มี Memory ก็ไม่มี AI” ทุ่มฐานผลิตใหม่ทั่วโลก

SK hynix กำลังเร่งเดินหน้าพัฒนาเทคโนโลยีหน่วยความจำยุคถัดไป เพื่อรองรับความต้องการประมวลผล AI ที่ยังขยายตัวอย่างต่อเนื่อง โดยบริษัทเตรียมใช้ฐานการผลิตและศูนย์วิจัยแห่งใหม่ทั้งในเกาหลีใต้และสหรัฐฯ เป็นกำลังสำคัญในการผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำรุ่นใหม่ออกสู่ตลาด

ประเด็นดังกล่าวถูกเน้นย้ำในการจัดงาน 2026 Global Forum ที่เมืองซานตาคลารา รัฐแคลิฟอร์เนีย เมื่อวันที่ 18 กันยายน 2026 โดย Kwak Noh-Jung ประธานและซีอีโอของ SK hynix ระบุว่า การเติบโตของอุตสาหกรรม AI จะทำให้ความต้องการ AI Memory ยังคงอยู่ในระดับสูง และบริษัทต้องการรักษาความได้เปรียบด้านเทคโนโลยีและตำแหน่งในตลาด ผ่านการขยายฐานการผลิตและโครงสร้างพื้นฐานด้านการวิจัยในหลายภูมิภาคทั่วโลก

Kwak ยังกล่าวอย่างชัดเจนว่า “Without memory, the AI industry cannot exist” หรืออุตสาหกรรม AI ไม่สามารถเกิดขึ้นได้หากไม่มีหน่วยความจำ พร้อมระบุว่า หลังจาก HBM กลายเป็นหนึ่งในเทคโนโลยีสำคัญของยุค AI บริษัทกำลังเตรียมหน่วยความจำเจเนอเรชันใหม่ เพื่อเปิดความเป็นไปได้เพิ่มเติมสำหรับระบบ AI ในอนาคต

จาก HBM สู่ Memory รุ่นใหม่สำหรับ AI

ปัจจุบันหน่วยความจำไม่ได้ถูกมองเป็นเพียงส่วนประกอบที่ทำงานร่วมกับ CPU หรือ GPU อีกต่อไป แต่กลายเป็นหนึ่งในคอขวดสำคัญของระบบ AI เพราะโมเดล AI สมัยใหม่ต้องเคลื่อนย้ายข้อมูลปริมาณมหาศาลระหว่างหน่วยประมวลผลและหน่วยความจำ

SK hynix จึงกำลังขยายพอร์ตโฟลิโอให้ครอบคลุมตั้งแต่ HBM, DRAM, LPDDR ไปจนถึงโซลูชันหน่วยความจำสำหรับระบบ AI โดยเฉพาะ โดยในงาน Global Forum บริษัทนำเสนอทั้งผลิตภัณฑ์ที่ใช้งานอยู่ในตลาดและเทคโนโลยีหน่วยความจำรุ่นถัดไป รวมถึงแนวทางพัฒนาที่เชื่อมโยงตั้งแต่การออกแบบ DRAM, กระบวนการผลิต, Advanced Packaging ไปจนถึงระดับระบบ

ในกลุ่ม HBM บริษัทเดินหน้าพัฒนาอย่างต่อเนื่อง โดยได้ส่งตัวอย่าง HBM4E แบบ 12-High ให้ลูกค้ารายสำคัญแล้ว ตัวหน่วยความจำมีความเร็วสูงสุด 16Gbps ต่อพิน และปรับปรุงประสิทธิภาพการใช้พลังงานมากกว่า 20% จากรุ่นก่อนหน้า พร้อมใช้เทคโนโลยี Advanced MR-MUF เพื่อช่วยจัดการความร้อนและเพิ่มเสถียรภาพของแพ็กเกจ

ขณะเดียวกัน SK hynix ยังเดินหน้ากับหน่วยความจำสำหรับอุปกรณ์ที่ใช้ On-Device AI ด้วย โดยบริษัทพัฒนา LPDDR6 ขนาด 16Gb บนกระบวนการ 1c ซึ่งมีความเร็วในการประมวลผลข้อมูลเพิ่มขึ้น 33% และประสิทธิภาพด้านพลังงานดีขึ้นมากกว่า 20% เมื่อเทียบกับ LPDDR5X พร้อมวางแผนเริ่มการผลิตในช่วงครึ่งหลังของปี 2026

ทุ่มเงินสร้างโรงงานใหม่ รับ AI Memory ระยะยาว

การผลักดันเทคโนโลยีไม่ได้เกิดขึ้นเฉพาะในห้องวิจัย แต่ SK hynix กำลังเพิ่มกำลังการผลิตครั้งใหญ่ด้วย

เมื่อเดือนสิงหาคมที่ผ่านมา บริษัทอนุมัติเงินลงทุนรวมประมาณ 54 ล้านล้านวอน สำหรับโรงงานใหม่ 2 แห่งในเกาหลีใต้ ได้แก่ Yongin Y2 มูลค่า 35.2 ล้านล้านวอน และ Cheongju M17 มูลค่า 19.1 ล้านล้านวอน เพื่อรองรับความต้องการ DRAM และ NAND ในยุค AI

โดย Y2 ใน Yongin จะเป็นฐานผลิต DRAM ขนาดใหญ่ และถูกวางแผนให้สามารถผลิต HBM และ DRAM รุ่นถัดไป ได้ โดย Cleanroom แรกมีกำหนดเปิดในเดือนมิถุนายน 2029 ส่วน M17 ใน Cheongju จะเน้น NAND และมีเป้าหมายเปิด Cleanroom แรกในเดือนธันวาคม 2028

SK hynix ระบุว่าโครงการเหล่านี้ไม่ได้เป็นเพียงการสร้างโรงงานเพื่อเพิ่มจำนวนชิป แต่เป็นการวางโครงสร้างพื้นฐานสำหรับความต้องการ Memory ในระยะยาว โดยบริษัทมองว่าการเติบโตของตลาด DRAM และ NAND กำลังเปลี่ยนจากวัฏจักรแบบชั่วคราวไปสู่การเปลี่ยนแปลงเชิงโครงสร้างที่มี AI เป็นแรงขับเคลื่อนสำคัญ

สหรัฐฯ กลายเป็นอีกสนามรบสำคัญของ SK hynix

นอกจากเกาหลีใต้แล้ว SK hynix ยังขยายฐานการผลิตไปยังสหรัฐฯ โดยโรงงานใน West Lafayette, Indiana ได้เริ่มก่อสร้างแล้วด้วยเงินลงทุนมากกว่า 4 พันล้านดอลลาร์ และจะเป็นฐานการผลิต HBM แห่งแรกของบริษัทในสหรัฐฯ พร้อมสายการผลิต Advanced Packaging และพื้นที่ทดสอบด้าน R&D

Cleanroom ของโรงงานมีกำหนดเปิดในเดือนตุลาคม 2028 และ SK hynix ตั้งเป้าเริ่มผลิต HBM ที่ผลิตในสหรัฐฯ ในช่วงครึ่งหลังของปี 2029

บริษัทยังระบุถึงการจัดตั้ง Global AI R&D Center ในสหรัฐฯ เพื่อพัฒนาเทคโนโลยีร่วมกับระบบนิเวศ AI และ semiconductor ในประเทศ ซึ่งจะช่วยเชื่อมโยงการวิจัยกับความต้องการของลูกค้าและตลาดได้ใกล้ชิดยิ่งขึ้น

Memory กำลังกลายเป็นหัวใจของ AI

สิ่งที่ SK hynix กำลังทำจึงไม่ใช่เพียงการแข่งขันกันว่าใครผลิต DRAM หรือ HBM ได้เร็วที่สุด แต่เป็นการแข่งขันเพื่อออกแบบ Memory ที่ทำงานร่วมกับ AI ได้ทั้งระบบ

ในการประชุม Global Forum ปีนี้ ผู้บริหารด้าน DRAM Design, AI Interface, Package Development และ Memory Systems Research ของ SK hynix ต่างพูดถึงทิศทางเดียวกันว่า การพัฒนาในอนาคตจะต้องเชื่อมโยงเทคโนโลยีจากหลายสาขาเข้าด้วยกัน แทนที่จะพัฒนาแต่ละส่วนแยกออกจากกัน

นี่คือเหตุผลว่าทำไมตลาด Memory จึงกลายเป็นหนึ่งในสมรภูมิสำคัญที่สุดของยุค AI ตั้งแต่ HBM สำหรับ GPU และ AI Accelerator, LPDDR6 สำหรับ On-Device AI ไปจนถึง DRAM รุ่นใหม่และโซลูชันหน่วยความจำสำหรับ Data Center

SK hynix จึงกำลังวางเกมไว้ตั้งแต่ Design → Process → Packaging → System → Manufacturing เพื่อรับมือกับโลกที่ AI ต้องการทั้งความเร็ว แบนด์วิดท์ ความจุ และประสิทธิภาพด้านพลังงานมากขึ้นพร้อมกัน

ในยุคที่ GPU อาจเป็นส่วนที่ทุกคนมองเห็น แต่สิ่งที่กำหนดว่าระบบ AI จะดึงประสิทธิภาพของ GPU ออกมาได้มากแค่ไหน กลับขึ้นอยู่กับ “Memory” อย่างหลีกเลี่ยงไม่ได้

ที่มา: Wccftech