วงการชิปเดือด! คดีรั่วไหลเทคโนโลยีเซมิคอนดักเตอร์ระหว่าง Samsung, SK hynix และ TSMC ปะทุขึ้นอีกครั้ง ท่ามกลางการแข่งขันที่รุนแรงที่สุดในประวัติศาสตร์

เมื่อการแข่งขันในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์เข้มข้นขึ้น ปัญหา “การรั่วไหลของเทคโนโลยี” ก็เพิ่มขึ้นตามไปด้วย ตั้งแต่กระบวนการผลิตชิประดับนาโนขั้นสูงไปจนถึงเทคโนโลยีหน่วยความจำล่าสุด ล่าสุดบริษัทชั้นนำอย่าง Samsung, SK hynix และ TSMC ต่างถูกพัวพันกับคดี ขโมยความลับทางการค้าและจารกรรมอุตสาหกรรม หลายกรณี

Samsung: คดีรั่วไหลเทคโนโลยี DRAM จุดไฟความทะเยอทะยานของจีน

ตามรายงานของ SeDaily อดีตผู้บริหาร Samsung พร้อมนักวิจัยอีก 3 คน ถูกจับกุมและตั้งข้อหาเมื่อวันที่ 1 ตุลาคม ในข้อหา ถ่ายโอนเทคโนโลยี DRAM ระดับ 18nm ให้กับจีน หลังลาออกจาก Samsung พวกเขาได้เข้าร่วมบริษัท CXMT ของจีนในตำแหน่งสำคัญในทีมพัฒนา “Phase 2 Development” โดยใช้ความรู้จาก Samsung ที่ได้มาอย่างผิดกฎหมายเพื่อพัฒนาเทคโนโลยีของ CXMT

รายงานระบุว่าเทคโนโลยีที่รั่วไหลนั้นเกี่ยวข้องกับกระบวนการผลิต DRAM ระดับ 10nm รุ่นใหม่ของ Samsung ที่ใช้เงินลงทุนกว่า 1.6 ล้านล้านวอน
ขณะที่ Business Korea ประเมินว่า Samsung สูญเสียยอดขายกว่า 5 ล้านล้านวอนในปีที่แล้ว จากเหตุการณ์นี้ และความเสียหายในอนาคตอาจแตะระดับ หลายหมื่นล้านวอน

แรงจูงใจสำคัญคือ “เงิน” — ผู้ต้องหาทั้งหมดได้รับค่าตอบแทนสูงถึง 1.5–3 พันล้านวอนต่อปี ซึ่งมากกว่าเงินเดือนเดิมที่ Samsung ถึง 3–5 เท่า

นอกจากนี้ SeDaily รายงานว่า CXMT ซึ่งเคยเริ่มต้นจากการผลิต DRAM รุ่นเก่า ด้วยเงินลงทุนจากรัฐบาลท้องถิ่นกว่า 2.6 ล้านล้านวอน ปัจจุบันสามารถผลิต DRAM ขนาด 18nm ได้เอง และเตรียมรุกตลาดระดับพรีเมียม เช่น DDR5 และ LPDDR5
ตามรายงานของ ChinaTalk CXMT ล้าหลังคู่แข่งระดับโลกในเทคโนโลยี HBM เพียง 3–4 ปี โดยมีแผนเปิดตัว HBM3 ในปี 2026 และ HBM3e ในปี 2027

ไม่เพียงเท่านั้น — SeDaily ยังเผยว่าตำรวจอุตสาหกรรมของเกาหลีใต้ได้ บุกตรวจค้นสำนักงานใหญ่ของ Samsung Display ที่เมืองอาซัน หลังมีเบาะแสว่าพนักงานบางราย อาจรั่วไหลเทคโนโลยีจอ OLED ล่าสุดให้บริษัทจีน ด้วย

SK hynix: อีกหนึ่งยักษ์ใหญ่เกาหลีที่ไม่รอดจากคดีรั่วเทคโนโลยี

Donga Daily รายงานว่าอดีตพนักงานชื่อ “คิม” ซึ่งเคยทำงานที่ SK hynix ตั้งแต่ปี 2016 และประจำอยู่ที่สำนักงานในจีนระหว่างปี 2018–2022 ได้กลับมาเกาหลีและ เข้าร่วมบริษัท HiSilicon (ในเครือ Huawei) หลังจากนั้น

ก่อนลาออก เขาถูกกล่าวหาว่าได้ เข้าถึงและถ่ายภาพเอกสารภายในของ SK hynix กว่า 186 หน้า รวมถึงข้อมูลด้าน เทคโนโลยี CIS และ hybrid bonding ซึ่งเป็นเทคโนโลยีสำคัญในการผลิตชิป AI

โดยรวมแล้ว เขาถูกกล่าวหาว่า ขโมยเทคโนโลยีขั้นสูงกว่า 170 รายการ และทำให้ข้อมูลลับรั่วไหลกว่า 5,900 หน้า ภายในเวลาเพียง 5 เดือน (ก.พ.–ก.ค. 2022)

แม้จะมีคดีลักษณะนี้เกิดซ้ำ ๆ แต่ SeDaily ระบุว่า “โทษทางกฎหมายในเกาหลีใต้ยังเบาเกินไป” โดยเฉลี่ยผู้กระทำผิดตามกฎหมายคุ้มครองเทคโนโลยีอุตสาหกรรมได้รับโทษจำคุกเพียง 10.7 เดือน ระหว่างปี 2018–2022 ขณะที่ประเทศอย่าง สหรัฐฯ และไต้หวัน กลับจัดเป็นคดีจารกรรมระดับชาติและลงโทษอย่างรุนแรงกว่า

TSMC: คดีรั่วไหลเทคโนโลยี 2nm สุดอ่อนไหว

ที่ไต้หวัน ซึ่งมีการบังคับใช้กฎหมายคุ้มครองเทคโนโลยีระดับชาติอย่างเข้มงวด Economic Daily News รายงานว่า อัยการสูงสุดของไต้หวันได้ ตั้งข้อหาอดีตวิศวกร 3 รายของ TSMC เมื่อวันที่ 27 สิงหาคม ฐานขโมยเทคโนโลยีระดับชาติ โดยอัยการเรียกร้องโทษจำคุก 7–14 ปี ภายใต้กฎหมายความมั่นคงและการค้าลับ

คดีนี้ถือว่า “อ่อนไหวมาก” เพราะเกี่ยวข้องกับ กระบวนการผลิต 2nm ของ TSMC ซึ่งจะเริ่มผลิตจำนวนมากภายในปีนี้ และหนึ่งในผู้ต้องหายัง ย้ายไปทำงานให้ Tokyo Electron (TEL) ผู้ผลิตเครื่องจักรรายใหญ่ที่เป็นพันธมิตรกับ TSMC และเกี่ยวพันกับ Rapidus บริษัทญี่ปุ่นที่พัฒนาชิป 2nm ภายใต้การสนับสนุนจากรัฐ

ภายหลัง Economic Daily News รายงานว่า Toshiki Kawai ซีอีโอของ TEL ได้เดินทางไปไต้หวันถึง 2 ครั้งในเดือนกันยายนเพื่อ “ขอโทษอย่างเป็นทางการ” ต่อ TSMC และได้ตกลงชดเชยเบื้องต้น รวมถึง ลดราคาการจัดซื้อ, เร่งส่งมอบเครื่องจักร, และ จัดอบรมพิเศษด้านกระบวนการผลิตขั้นสูง เพื่อรักษาความสัมพันธ์ระยะยาวกับ TSMC

TSMC เองก็กำลังเร่งผลิต ชิป 2nm และวางแผนพัฒนาไปสู่ 1.6nm, 1.4nm และ 1nm ต่อไปในอนาคต ทำให้ TEL ต้องเร่งรักษาความร่วมมือครั้งนี้ไว้ให้ได้

เห็นได้ชัดว่า “สงครามเทคโนโลยีชิป” ไม่ได้จำกัดอยู่ที่เรื่องประสิทธิภาพหรือการผลิตอีกต่อไป แต่ได้กลายเป็น “สงครามข่าวกรองและการสอดแนม” ระหว่างประเทศและบริษัทยักษ์ใหญ่ทั่วโลกอย่างเต็มรูปแบบแล้ว

ที่มา: TrendForce