สื่อจีนรายงานว่า Huawei ได้ยื่นขอสิทธิบัตรกระบวนการผลิตชิป 2nm ตั้งแต่ปี 2021 โดยอ้างว่าสามารถทำได้ โดยไม่ต้องใช้เครื่อง EUV เพียงใช้ DUV Lithography ร่วมกับเทคนิค SAQP (Self-Aligned Quadruple Patterning) ก็สามารถลดระยะ Gate Pitch ให้ต่ำกว่า 21nm ซึ่งเป็นระดับที่เข้าเกณฑ์ กระบวนการ 2nm ได้ ทำให้ Huawei ถูกมองว่า “นำหน้าอย่างมาก” ในเส้นทาง DUV

รายละเอียดจากรายงานของจีน

• โดยทั่วไป เทคโนโลยีระดับ ต่ำกว่า 5nm ทั่วโลกจะต้องใช้ EUV เพราะ DUV ถูกมองว่าไปได้ไกลสุดแค่ประมาณ 7nm แล้ว
  แต่รายงานชี้ว่า จีนอาจยังดัน DUV ไปได้ไกลถึงระดับ 2nm

• Huawei ได้เผยแพร่งานวิจัย & ยื่นสิทธิบัตร SAQP ตั้งแต่ปี 2021
  โดยอธิบายว่าแม้ไม่มี EUV ก็ยังสามารถทำ pattern ระดับ 2nm ได้ด้วยเทคนิคการแบ่งลวดลาย 4 ขั้นตอนแบบ Self-Aligned
  ซึ่ง ไม่ใช่ “Quadruple Lithography” แบบที่บางบทความเข้าใจผิด
  เพราะ “สี่เท่าลิโธกราฟี” นั้นแทบเป็นไปไม่ได้ในเชิงเทคนิคและต้นทุน

• นอกจากนั้น Huawei ยังยื่นสิทธิบัตรด้านทรานซิสเตอร์ยุคถัดไปจำนวนมาก เช่น

  • GAA (Gate-All-Around)

  • CFET (Complementary FET Stack)
    ซึ่ง CFET ถูกมองว่าเป็นเทคโนโลยีกุญแจสำคัญสำหรับยุค 1nm ถึง 0.1nm

ยังไม่พร้อมผลิตจริง

บทความย้ำว่าสิ่งนี้เป็นเพียง “สิทธิบัตรทางเทคนิค”
ไม่ได้หมายความว่า Huawei พร้อมผลิต 2nm ด้วย DUV แล้ว

แต่ก็มีประโยคชวนคิดว่า:

หากจีนสามารถทำชิป 2nm ด้วย DUV ได้จริง
ในขณะที่ TSMC, Samsung และ Intel ต้องพึ่ง EUV / High-NA EUV
สุดท้ายแล้วใครกันแน่ที่จะกังวลเรื่องความสามารถในการแข่งขันมากกว่า?

ที่มา: HKEPC