Intel และ Saimemory ซึ่งเป็นบริษัทย่อยของ SoftBank ได้ลงนามข้อตกลงความร่วมมือในการพัฒนาและทำตลาดเทคโนโลยีหน่วยความจำแบบใหม่ที่เรียกว่า Z-Angle Memory (ZAM) โดยมุ่งเป้าไปที่งานด้าน AI และระบบประมวลผลสมรรถนะสูง (HPC)

ZAM ถูกอธิบายว่าเป็นสถาปัตยกรรม DRAM แบบซ้อนแนวตั้ง (stacked DRAM) ที่ถูกออกแบบมาเพื่อก้าวข้ามข้อจำกัดของหน่วยความจำ HBM (High-Bandwidth Memory) ในปัจจุบัน โดยมีเป้าหมายเพื่อให้ได้ ความจุและแบนด์วิดท์ที่สูงขึ้น พร้อมการใช้พลังงานที่ต่ำลง ชื่อ Z-Angle มาจากการซ้อนหน่วยความจำในแนวแกนตั้ง (แกน Z) ตามรายงานจาก EE Times Japan

โครงการนี้ต่อยอดจากงานวิจัย Intel Next Generation DRAM Bonding (NGDB) ซึ่งพัฒนาภายใต้โครงการ Advanced Memory Technology (AMT) ที่ได้รับการสนับสนุนจากรัฐบาลสหรัฐฯ โดยทำงานร่วมกับ Sandia, Lawrence Livermore และ Los Alamos National Laboratories โดยต้นแบบ NGDB ล่าสุดที่มีการซ้อน DRAM แนวตั้งจำนวน 8 ชั้น ได้แสดงให้เห็นถึงการทำงานสมบูรณ์ของเทคโนโลยีการซ้อนและเชื่อมต่อแนวตั้งรูปแบบใหม่นี้ ซึ่ง Sandia ได้เปิดเผยข้อมูลในเดือนมกราคมที่ผ่านมา

ตามรายงานจาก Nikkei และ Wallstreet.cn ระบุว่า Saimemory ตั้งเป้าให้ ZAM มี ความจุสูงกว่า HBM ในปัจจุบันถึง 2–3 เท่า พร้อม ลดการใช้พลังงานลงราว 40–50% ขณะเดียวกันยังควบคุมต้นทุนให้สามารถแข่งขันได้ โดย Saimemory วางแผนจะมีต้นแบบพร้อมใช้งานในช่วงต้นปี 2028 และเริ่มวางจำหน่ายเชิงพาณิชย์ในปี 2029 ขณะที่ SoftBank คาดว่าจะลงทุนประมาณ 3,000 ล้านเยน ในช่วงการพัฒนาต้นแบบ

สำหรับ Intel ความร่วมมือครั้งนี้ถือเป็นการ กลับเข้าสู่สนามเทคโนโลยีหน่วยความจำขั้นสูงอีกครั้ง หลังจากที่บริษัทถอนตัวออกจากตลาด DRAM ไปเมื่อหลายทศวรรษก่อน

ที่มา: TrendForce