Intel Foundry ได้เปิดเผยงานวิจัยใหม่ที่น่าสนใจ โดยพัฒนา “ชิปเล็ต GaN (Gallium Nitride) ที่บางที่สุดในโลก” ซึ่งมีฐานซิลิคอนบางเพียง 19 ไมโครเมตรเท่านั้น

บริษัทสามารถผลิตเวเฟอร์ GaN-on-silicon ขนาด 300 มม. ซึ่งเป็นหนึ่งในครั้งแรกที่มีการรวม GaN เข้ากับลอจิกซิลิคอนแบบดั้งเดิมไว้บนชิปเดียวกัน โดยปกติแล้ว GaN จะถูกใช้เฉพาะในงานด้านพลังงาน (power electronics) และไม่ได้ถูกรวมเข้ากับวงจรประมวลผลแบบซิลิคอน

แต่ในครั้งนี้ Intel สามารถรวมเซมิคอนดักเตอร์ GaN สำหรับจ่ายพลังงานเข้ากับลอจิกคำนวณบนซิลิคอนได้สำเร็จ ทำให้ชิปด้านพลังงานสามารถประมวลผลพื้นฐานและควบคุมการทำงานได้เอง โดยไม่ต้องพึ่งชิปแยกเหมือนที่ผ่านมา

เวเฟอร์ GaN นี้ถูกผลิตบนกระบวนการ 30 นาโนเมตร ซึ่งแสดงคุณสมบัติที่โดดเด่น เช่น การนำกระแสที่เสถียร การสูญเสียพลังงานต่ำมาก และสามารถทนแรงดันได้สูงถึง 78 โวลต์โดยไม่มีการรั่วไหล

GaN เป็นวัสดุแบบ wide bandgap ที่มีความสามารถด้านความถี่สูงมาก (เกิน 300 GHz) และมีประสิทธิภาพในการจ่ายพลังงานดีกว่าซิลิคอน รวมถึงสามารถทำงานได้เสถียรในอุณหภูมิสูง จึงเหมาะกับงานอย่างรถยนต์ไฟฟ้า หรือระบบจ่ายไฟในดาต้าเซ็นเตอร์ที่มีพื้นที่จำกัดและอุณหภูมิสูงถึงประมาณ 150°C

นอกจากนี้ Intel ยังได้ทดสอบวงจรลอจิกพื้นฐาน เช่น inverter, NAND gate, multiplexer และ ring oscillator ซึ่งทั้งหมดทำงานได้ตามมาตรฐาน โดยมีความเร็วในการสวิตช์เพียง 33 พิโควินาที (หนึ่งในล้านล้านวินาที) อย่างสม่ำเสมอทั่วทั้งเวเฟอร์

เทคโนโลยีนี้ถือว่ามีศักยภาพสูง ทั้งในด้านคุณสมบัติทางไฟฟ้า อัตราการผลิต และประสิทธิภาพ และมีโอกาสถูกนำไปผลิตในระดับอุตสาหกรรมในอนาคต ซึ่งอาจถูกใช้ในระบบ AI หุ่นยนต์ และดาต้าเซ็นเตอร์รุ่นถัดไป