Samsung เตรียมปรับกลยุทธ์ครั้งใหญ่ในสายการผลิตหน่วยความจำ หลังความต้องการ DRAM พุ่งแรงจากการเติบโตของโครงสร้างพื้นฐาน AI ทั่วโลก
ตามรายงานจากอุตสาหกรรมเกาหลีที่อ้างโดย SE Daily ระบุว่า Samsung มีแผนจะปรับไลน์การผลิตบางส่วนจาก NAND Flash ไปเป็น DRAM ในโรงงาน Pyeongtaek และ Hwaseong นอกจากนี้ โรงงานใหม่ Pyeongtaek Fab 4 (P4) ที่กำลังจะเปิดใช้งาน จะถูกตั้งค่าให้เป็นไลน์ผลิต DRAM เพียงอย่างเดียว โดยใช้กระบวนการผลิตรุ่นล่าสุดอย่าง “1c process”
แหล่งข่าวในอุตสาหกรรมเผยว่า Samsung เริ่มมีท่าทีระมัดระวังต่อแนวโน้มตลาด NAND ในขณะที่ความต้องการ DRAM มาตรฐานกลับพุ่งขึ้นอย่างรวดเร็ว ราคาตลาดปรับตัวขึ้นแรง โดยลูกค้ากลุ่มเซิร์ฟเวอร์บางรายยอมเสนอราคาสูงกว่าปกติถึง 70% สำหรับโมดูล DDR5 ความจุ 96GB และ 128GB — แต่แม้กระทั่งจ่ายแพงขึ้นก็ยังไม่สามารถหาของได้เพียงพอ
บริษัทยักษ์ใหญ่หลายรายเชื่อว่าภาวะขาดแคลน DRAM อาจยืดเยื้อไปอีกหลายปี และได้เริ่มเจรจาเพื่อจอง Allocation ของปี 2027 แล้วตั้งแต่ตอนนี้
ปัจจุบัน Samsung ผลิตทั้ง DRAM และ NAND ใน Pyeongtaek Fab 1, Pyeongtaek Fab 3 และศูนย์ Hwaseong โดยไลน์แบบ Hybrid ที่ P1 และ Hwaseong จะถูกปรับสัดส่วนการผลิตไปทาง DRAM มากขึ้น เมื่อมีการถอดอุปกรณ์ของ NAND ออก
สำหรับ Fab 4 (P4) ที่กำลังอยู่ในช่วงก่อสร้างขั้นสุดท้าย จะเริ่มเดินสายการผลิตในปีหน้าในฐานะไลน์ DRAM แบบ Dedicated ใช้เทคโนโลยี 1c และยังมีการพิจารณาว่าโซนที่สองของ P4 ซึ่งเดิมทีวางแผนให้เป็นสายผลิต Foundry อาจถูกใช้สำหรับผลิต DRAM เช่นกัน
เมื่อการปรับเปลี่ยนทั้งหมดเริ่มเดินเครื่อง ผลผลิต DRAM จาก P1 (Hwaseong) และ Fab 4 จะเพิ่มขึ้นอย่างชัดเจนในช่วงครึ่งแรกของปีหน้า ส่วนกำลังการผลิต NAND ในเกาหลีที่ลดลง จะถูกชดเชยด้วยการเพิ่มกำลังผลิตจากโรงงาน Xi'an ของ Samsung ในประเทศจีนแทน
ที่มา: TechPowerUp
