Samsung กำลังเร่งเดินหน้าพัฒนาเทคโนโลยีเซมิคอนดักเตอร์ขั้นสูงอย่างจริงจัง โดยรายงานจาก Hankyung ระบุว่า แผนก Foundry ของบริษัทตั้งเป้าจะเปิดตัวกระบวนการผลิตระดับ 1 นาโนเมตร (1nm) ภายในปี 2030 พร้อมกันนี้ยังมีแผนขยายไลน์กระบวนการผลิตในระดับ 2nm ซึ่งเป็นเทคโนโลยีชั้นนำในปัจจุบัน เพื่อดึงดูดลูกค้ารายใหญ่
สำหรับเทคโนโลยีระดับ 1nm นั้น คาดว่า Samsung จะนำสถาปัตยกรรมใหม่ที่เรียกว่า “forksheet” มาใช้ โดยก่อนหน้านี้ตั้งแต่ระดับ 2nm บริษัทใช้เทคโนโลยี Gate-All-Around (GAA) ซึ่งช่วยเพิ่มประสิทธิภาพด้านพลังงาน ด้วยการให้กระแสไฟไหลผ่านรอบทรานซิสเตอร์ทั้ง 4 ด้าน แทนที่จะเป็น 3 ด้านแบบเดิม
เทคโนโลยี forksheet จะพัฒนาไปอีกขั้น โดยเพิ่ม “ผนวนฉนวน” คั่นระหว่างทรานซิสเตอร์ ทำให้สามารถจัดวางได้แน่นขึ้น เปรียบเหมือนการเปลี่ยนช่องว่างระหว่างบ้านให้กลายเป็นกำแพงทึบ ส่งผลให้พื้นที่ชิปเท่าเดิมสามารถบรรจุทรานซิสเตอร์ได้มากขึ้น
รายงานยังระบุว่า TSMC เองก็คาดว่าจะใช้เทคโนโลยี forksheet เช่นกันสำหรับกระบวนการ 1nm หลังปี 2030 ทำให้เห็นว่า Samsung กำลังพยายามยกระดับตัวเองเพื่อแข่งขันกับ TSMC ในระดับเทคโนโลยีเดียวกัน
นอกจากการพัฒนา 1nm แล้ว Samsung ยังเร่งขยายไลน์ 2nm อย่างต่อเนื่อง โดยมีรายงานว่าอัตราการผลิตสำเร็จ (yield) ของ 2nm ตอนนี้สูงเกิน 60% แล้ว ซึ่งถือว่าดีขึ้นมาก และช่วยเพิ่มโอกาสที่ธุรกิจ Foundry จะกลับมาทำกำไรได้ในปีนี้
สำหรับชิป AI รุ่น “AI6” ของ Tesla นั้น Samsung กำลังพัฒนากระบวนการเฉพาะที่เรียกว่า SF2T และมีแผนเริ่มผลิตจริงในปี 2027 ที่โรงงานใหม่ในเมือง Taylor รัฐ Texas
นอกจากนี้ยังมีแผนพัฒนาเวอร์ชันอื่นของ 2nm ได้แก่
- SF2P: เริ่มใช้ในปี 2026 สำหรับชิปมือถือรุ่นใหม่
- SF2P+: คาดว่าจะเริ่มใช้งานในปี 2027
ในขณะเดียวกัน ผู้ผลิตชิปรายอื่นก็เร่งพัฒนาเทคโนโลยี 1nm เช่นกัน
Rapidus จากญี่ปุ่นมีเป้าหมายลดช่องว่างเทคโนโลยีกับ TSMC ให้เหลือประมาณ 6 เดือนในยุค 1nm และมีแผนเริ่มพัฒนาเทคโนโลยี 1.4nm ในปี 2026 พร้อมตั้งเป้าผลิตจริงราวปี 2029
ส่วน TSMC เองมีรายงานว่าอาจเปิดตัวเทคโนโลยี 1.4nm ได้เร็วกว่านั้น โดยโรงงานใน Central Taiwan Science Park คาดว่าจะเริ่มทดสอบการผลิตปลายปี 2027 และเข้าสู่การผลิตจริงในช่วงครึ่งหลังของปี 2028
สรุป:
การแข่งขันในอุตสาหกรรมชิปกำลังเดือดขึ้นเรื่อย ๆ โดย Samsung, TSMC และผู้เล่นรายใหม่ ต่างเร่งพัฒนาเทคโนโลยีระดับ 1nm และต่ำกว่า เพื่อชิงความเป็นผู้นำในยุคถัดไปของโลกเซมิคอนดักเตอร์
ที่มา: TrendForce
