Synopsys เปิดตัว “ซิลิคอนต้นแบบ” (Silicon Bring-Up) ของเทคโนโลยีหน่วยความจำ LPDDR6 IP บนกระบวนการผลิต N2P รุ่นล้ำสมัยของ TSMC ซึ่งสามารถทำความเร็วแบนด์วิดท์ได้สูงสุดถึง 86 GB/s

Synopsys ได้เปิดเผยความก้าวหน้าครั้งใหญ่ในโลกของหน่วยความจำสำหรับอุปกรณ์พกพา ด้วยการประกาศความสำเร็จในการทดสอบ ซิลิคอนต้นแบบ (Silicon Bring-Up) ของ LPDDR6 IP ที่สร้างขึ้นบนกระบวนการผลิต N2P สุดล้ำของ TSMC

Synopsys LPDDR6 IP บรรลุแบนด์วิดท์ระดับมหาศาล ด้วยพลังของเทคโนโลยี N2P

สำหรับผู้ที่อาจยังไม่คุ้นเคย คำว่า “silicon bring-up” หมายถึงขั้นตอนการเปิดใช้งานชิปต้นแบบเป็นครั้งแรก ซึ่งในกรณีนี้คือการทดสอบบล็อก IP (Intellectual Property block) โดยจะผ่านการตรวจสอบหลายขั้นตอน เช่น ตรวจสอบฮาร์ดแวร์ ลำดับการจ่ายพลังงาน และอื่น ๆ ซึ่ง Synopsys ได้ประสบความสำเร็จในการพัฒนา LPDDR6 IP ที่สามารถนำไปให้ผู้อื่นใช้งานเชิงพาณิชย์ได้ โดยมีความเร็วแบนด์วิดท์สูงสุดถึง 86 GB/s — อยู่ในระดับเดียวกับมาตรฐาน JEDEC ที่กำหนดไว้

จากมุมมองทางด้านหน่วยความจำ นี่ถือเป็นหนึ่งในครั้งแรก ๆ ที่เทคโนโลยีของ TSMC N2P ถูกนำมาใช้ร่วมกับบล็อก LPDDR6 IP ซึ่ง IP ดังกล่าวประกอบด้วยสองส่วนหลัก คือ

ตัวควบคุม (Controller)
อินเทอร์เฟซ PHY (PHY Interface)

ตัวควบคุมจะทำหน้าที่หลักในส่วนของ โปรโตคอล JEDEC, การควบคุมจังหวะเวลา (Timing Control) และโหมดประหยัดพลังงาน ขณะที่ฝั่งของ TSMC N2P จะมีบทบาทในส่วนของวงจร PHY analog และ I/O ซึ่งสร้างขึ้นด้วยสแตกโลหะ (Metal Stack) และคลัง I/O library ของ N2P โดยเฉพาะ

เนื่องจาก คอนโทรลเลอร์ LPDDR6 ต้องการความหนาแน่นของทรานซิสเตอร์สูงและความเร็วในการทำงานที่มากเพื่อให้ได้การซิงค์เวลาที่แม่นยำ กระบวนการผลิต N2P จึงเป็นตัวเลือกที่เหมาะสมที่สุด ด้วยความสามารถด้าน PPA (Performance, Power, Area) ที่ยอดเยี่ยม ทำให้หน่วยความจำสามารถใช้พลังงานต่อบิตได้ต่ำลง มีขนาดเล็กลง และเหมาะกับการใช้งานในอุปกรณ์ที่ต้องการประสิทธิภาพสูงแต่ประหยัดพลังงาน เช่น อุปกรณ์ที่มี AI บนชิป (On-Device AI) หรือแพลตฟอร์มพลังงานต่ำ

ในด้านความเร็ว Synopsys ระบุว่า LPDDR6 สามารถทำแบนด์วิดท์ได้สูงถึง 86 GB/s ซึ่งสอดคล้องกับอัตราความเร็วต่อพินของมาตรฐาน JEDEC ที่ราว 10.667 Gb/s โดยความเร็วสูงสุดในเชิงทฤษฎีสามารถแตะได้ถึง 14.4 Gb/s ต่อพิน หรือคิดเป็นแบนด์วิดท์รวม 115 GB/s ซึ่งเมื่อเทียบกับ LPDDR5 แล้ว มาตรฐาน LPDDR6 ถือว่ามีการพัฒนาแบบก้าวกระโดด โดยได้รับแรงขับเคลื่อนจากเทคโนโลยีการผลิต N2P ของ TSMC

คาดว่า LPDDR6 จะเริ่มกลายเป็นมาตรฐานหลักของอุตสาหกรรมภายในปีหน้า และจะเป็นอีกจุดเปลี่ยนสำคัญของหน่วยความจำสำหรับอุปกรณ์ยุคใหม่

ที่มา: Wccftech