SanDisk ได้เปิดตัวหน่วยความจำแฟลชแบบฝัง (Embedded Flash) มาตรฐาน UFS 4.1 รุ่นแรกที่ใช้เทคโนโลยี QLC NAND ในชื่อ iNAND MC EU721 ภายในงาน CFMS | MemoryS 2026 โดยออกแบบมาสำหรับอุปกรณ์สมาร์ตโฟนตั้งแต่ระดับกลางจนถึงเรือธง
รายละเอียดสำคัญ
- ใช้ BiCS Flash เจเนอเรชันที่ 8
- ซ้อนชั้น NAND สูงถึง 218 ชั้น
- ความเร็วอ่านสูงสุด 4500 MB/s
- ความเร็วเขียนสูงสุด 4300 MB/s
รองรับฟีเจอร์ AI บนอุปกรณ์ (On-device AI) เช่น
- แปลภาษาแบบเรียลไทม์
- ประมวลผลภาพอัจฉริยะ
- AR (Augmented Reality)
ฟีเจอร์เสริมด้านความปลอดภัยและความเสถียร
- Advanced RPMB สำหรับเข้ารหัสข้อมูล
- ระบบตรวจสอบสุขภาพอุปกรณ์
- การจัดการไฟล์แบบ HID fragment
ความจุและการวางจำหน่าย
- มีให้เลือก 256GB / 512GB / 1TB
- เริ่มมีตัวอย่าง (sample) แล้ว
- คาดว่าจะวางจำหน่ายในเดือนเมษายน 2026
สรุป
iNAND MC EU721 คือก้าวสำคัญของ QLC NAND ในตลาดมือถือ
ที่เน้นทั้ง “ความจุสูง + ความเร็วแรง + รองรับ AI” ในตัวเดียว
ที่มา: IT Home
