SK hynix ซีอีโอโต้รายงาน Bloomberg ชี้วิกฤตขาดแคลนหน่วยความจำอาจยืดเยื้อถึงหลังปี 2030
Kwak Noh-jung ประธานเจ้าหน้าที่บริหาร (CEO) ของ SK hynix ออกมาแสดงความเห็นโต้แย้งรายงานของ Bloomberg ที่คาดการณ์ว่าตลาดหน่วยความจำจะเข้าสู่ภาวะอุปทานล้นตลาด (Oversupply) ภายในปี 2028 โดยระบุว่า การประเมินดังกล่าว "ไม่สอดคล้องกับความเป็นจริง" และเชื่อว่าวิกฤตการขาดแคลนหน่วยความจำอาจยืดเยื้อไปจนถึง หลังปี 2030
SK hynix มองปี 2027 จะเป็นปีที่หนักที่สุดในประวัติศาสตร์อุตสาหกรรม
Kwak Noh-jung เปิดเผยระหว่างให้สัมภาษณ์กับสื่อต่างประเทศว่า แม้ผู้ผลิต DRAM รายใหญ่ทั้ง SK hynix, Samsung Electronics และ Micron จะทยอยเปิดโรงงานใหม่เพื่อเพิ่มกำลังการผลิตก่อนปี 2028 แต่ความต้องการของตลาด โดยเฉพาะจากอุตสาหกรรม AI ยังคงเติบโตเร็วกว่าการขยายกำลังการผลิตอย่างมาก
เขากล่าวว่า
"ก่อนหน้านี้มีสถาบันวิเคราะห์แห่งหนึ่งคาดว่าตลาดหน่วยความจำจะมีอุปทานล้นในปี 2028 ซึ่งเป็นมุมมองที่ไม่รับผิดชอบอย่างยิ่ง"
พร้อมระบุเพิ่มเติมว่า
"เราประเมินว่าปี 2027 จะเป็นปีที่ยากลำบากที่สุดในประวัติศาสตร์ของอุตสาหกรรมหน่วยความจำ"
แม้สร้างโรงงานใหม่ แต่ยังไม่ทันความต้องการ
ซีอีโอของ SK hynix ยอมรับว่า บริษัทกำลังเร่งลงทุนขยายกำลังการผลิตอย่างเต็มที่ แต่ข้อจำกัดด้านการก่อสร้างโรงงาน การจัดหาเครื่องจักร และกระบวนการเพิ่มกำลังการผลิต ทำให้ไม่สามารถตอบสนองความต้องการที่เพิ่มขึ้นได้ทันเวลา
แม้จะเข้าสู่ช่วงหลังปี 2030 เขามองว่าช่องว่างระหว่างอุปสงค์และอุปทานก็อาจยังไม่ถูกเติมเต็มทั้งหมด
นักวิเคราะห์บางส่วนยังมองต่าง
อย่างไรก็ตาม ไม่ใช่ทุกฝ่ายที่เห็นด้วยกับมุมมองของ SK hynix
ก่อนหน้านี้ Bloomberg และนักวิเคราะห์จากบริษัทจัดอันดับ Morningstar ได้แก่ Jing Jie Yu ต่างประเมินว่า ในช่วงปี 2027-2028 กำลังการผลิตใหม่จำนวนมากจะเริ่มเดินเครื่อง ส่งผลให้โครงสร้างอุปสงค์และอุปทานกลับเข้าสู่สมดุล และอาจกดดันให้ราคาหน่วยความจำปรับตัวลดลง หรือเกิดภาวะ Price Erosion
อนาคต AI คือปัจจัยสำคัญ
รายงานยังชี้ว่า ตัวแปรสำคัญที่สุดของตลาดหน่วยความจำในระยะยาว คือความสามารถในการสร้างรายได้ของอุตสาหกรรม AI
แม้ความต้องการด้าน AI จะยังเติบโตอย่างรวดเร็ว แต่หลายบริษัทในอุตสาหกรรม รวมถึง OpenAI ยังคงเผชิญแรงกดดันด้านผลกำไร ขณะที่การระดมทุนเริ่มเปลี่ยนจากเงินลงทุนโดยตรงไปสู่การกู้ยืมหรือการออกหุ้นเพิ่มทุน
นักวิเคราะห์จึงตั้งคำถามว่า การลงทุนมหาศาลในศูนย์ข้อมูล (Data Center) จะสามารถดำเนินต่อไปได้อีกนานเพียงใด
หากการลงทุนด้าน AI ชะลอตัวลง ความต้องการเซมิคอนดักเตอร์ หน่วยความจำ และเวเฟอร์ซิลิคอนก็อาจลดลงตามไปด้วย ซึ่งจะส่งผลโดยตรงต่อทิศทางของตลาด DRAM และ HBM ในอนาคต
ขณะนี้จึงเกิดมุมมองที่แตกต่างอย่างชัดเจนระหว่างฝั่งผู้ผลิตหน่วยความจำรายใหญ่ ซึ่งเชื่อว่าตลาดจะยังขาดแคลนต่อเนื่องอีกหลายปี กับนักวิเคราะห์บางส่วนที่มองว่ากำลังการผลิตใหม่จะเริ่มสร้างแรงกดดันต่อราคาในช่วงปี 2027-2028 โดยทิศทางของอุตสาหกรรม AI จะเป็นตัวแปรสำคัญที่กำหนดว่าฝ่ายใดจะคาดการณ์ได้ใกล้เคียงความเป็นจริงมากที่สุด
ที่มา: HKEPC



