ซีอีโอ SK hynix เตือน ปี 2027 อาจเป็นวิกฤตหน่วยความจำรุนแรงที่สุดในประวัติศาสตร์ อุปสงค์แซงกำลังผลิตต่อเนื่อง
สถานการณ์การขาดแคลนหน่วยความจำทั่วโลกอาจยังไม่ถึงจุดเลวร้ายที่สุด เมื่อ Kwak Noh-jung ประธานเจ้าหน้าที่บริหาร (CEO) ของ SK hynix ออกมาเตือนว่า ปี 2027 อาจกลายเป็นปีที่อุตสาหกรรมหน่วยความจำเผชิญวิกฤตด้านอุปทานรุนแรงที่สุดในประวัติศาสตร์
คำเตือนดังกล่าวสอดคล้องกับรายงานหลายฉบับที่ระบุว่า ตลาด DRAM จะยังไม่กลับเข้าสู่ภาวะสมดุลระหว่างอุปสงค์และอุปทานไปอีกหลายปี โดยเฉพาะจากความต้องการ HBM (High Bandwidth Memory) ที่เพิ่มขึ้นอย่างรวดเร็วจากกระแส AI
กำลังการผลิตเพิ่ม แต่ส่วนใหญ่ถูกใช้กับ HBM
รายงานจาก Business Times ระบุว่า กำลังการผลิตเวเฟอร์สำหรับหน่วยความจำทั่วโลกในช่วงปี 2027–2028 จะเพิ่มขึ้นเฉลี่ยประมาณ 12% ต่อปี
อย่างไรก็ตาม กว่า ครึ่งหนึ่งของกำลังการผลิตที่เพิ่มขึ้น จะถูกใช้สำหรับการผลิต HBM ส่งผลให้กำลังการผลิต DRAM ทั่วไปเพิ่มขึ้นเพียงเล็กน้อย
ผลที่ตามมาคือ
- อัตราการเติบโตของปริมาณ DRAM ที่ไม่ใช่ HBM จะอยู่ที่ประมาณ 15% ต่อปี
- ขณะที่ความต้องการของตลาดคาดว่าจะเพิ่มขึ้นถึง 22% ต่อปี
ความแตกต่างระหว่างอุปสงค์และอุปทานดังกล่าวอาจทำให้ปัญหาการขาดแคลนหน่วยความจำยังคงดำเนินต่อไป
HBM กลายเป็นผู้ใช้กำลังผลิตหลัก
ความต้องการ HBM ที่เพิ่มขึ้นอย่างรวดเร็วทำให้ผู้ผลิตรายใหญ่ต้องจัดสรรกำลังการผลิตจำนวนมากให้กับหน่วยความจำสำหรับ AI
คาดการณ์ว่าปริมาณการจัดส่ง HBM จะเพิ่มขึ้นดังนี้
Samsung
- ปี 2026 : ประมาณ 12,000 ล้านกิกะบิต (Gb)
- ปี 2027 : เพิ่มเป็น 20,000 ล้านกิกะบิต
SK hynix
- ปี 2026 : ประมาณ 18,000 ล้านกิกะบิต
- ปี 2027 : เพิ่มเป็น 24,000 ล้านกิกะบิต
การขยายการผลิต HBM จึงส่งผลโดยตรงต่อกำลังการผลิต DRAM สำหรับพีซี สมาร์ตโฟน และอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ทั่วไป
โรงงานใหม่ยังใช้เวลาอีกหลายปี
แม้ผู้ผลิตรายใหญ่จะเดินหน้าลงทุนสร้างโรงงานแห่งใหม่ แต่กำลังการผลิตส่วนใหญ่จะทยอยเข้ามาในช่วงหลายปีข้างหน้า
Samsung
- โรงงาน P5 Fab 1 คาดเริ่มผลิตในเดือนกรกฎาคม 2027
- P5 Fab 2 และโรงงานแห่งใหม่ที่เมือง Yongin จะเริ่มผลิตในปี 2029
SK hynix
- โรงงาน Yongin Y1 คาดเริ่มเดินสายการผลิตในเดือนกุมภาพันธ์ 2027
- โรงงาน Y2 จะเริ่มผลิตในช่วงครึ่งหลังของปี 2028
หมายความว่า แม้จะมีการลงทุนขนาดใหญ่ แต่กำลังการผลิตใหม่ก็ยังไม่สามารถแก้ปัญหาการขาดแคลนได้ในระยะสั้น
DDR6 จากจีนอาจช่วยได้ แต่ยังไม่แน่นอน
รายงานยังระบุว่า ChangXin Memory Technologies (CXMT) ผู้ผลิตหน่วยความจำจากจีน กำลังเร่งพัฒนา DDR6 ซึ่งอาจช่วยเพิ่มอุปทานในอนาคต
อย่างไรก็ตาม ยังมีความไม่แน่นอนหลายด้าน ทั้ง
- กำหนดการผลิตเชิงพาณิชย์
- ปริมาณการผลิต
- ความสามารถในการส่งออกนอกประเทศจีน
จึงยังไม่สามารถคาดหวังว่าจะช่วยแก้ปัญหาการขาดแคลนหน่วยความจำทั่วโลกได้ในระยะใกล้
สรุป
คำเตือนจาก CEO ของ SK hynix สะท้อนให้เห็นว่า อุตสาหกรรมหน่วยความจำยังต้องเผชิญกับแรงกดดันด้านอุปทานอีกหลายปี โดยเฉพาะเมื่อกำลังการผลิตใหม่จำนวนมากถูกนำไปใช้ผลิต HBM เพื่อรองรับตลาด AI ส่งผลให้ DRAM สำหรับตลาดพีซีและสมาร์ตโฟนยังคงตึงตัว
หากแนวโน้มดังกล่าวเป็นไปตามคาด ปี 2027 อาจกลายเป็นช่วงเวลาที่อุตสาหกรรมหน่วยความจำเผชิญวิกฤตด้านอุปทานรุนแรงที่สุด พร้อมทั้งทำให้ราคาหน่วยความจำมีโอกาสทรงตัวในระดับสูงต่อเนื่องจนกว่าจะมีโรงงานผลิตแห่งใหม่ทยอยเปิดดำเนินงานในช่วงปลายทศวรรษนี้
ที่มา: Wccftech
