SK Hynix ทุ่ม 100 ล้านล้านวอนในเกาหลีใต้ สร้างโรงงาน NAND ใหม่และโรงงานแพ็กเกจ HBM รองรับยุค AI

SK Hynix ประกาศแผนลงทุนครั้งใหญ่ในภูมิภาคชุงชอง (Chungcheong) ของเกาหลีใต้ มูลค่ารวม 100 ล้านล้านวอน เพื่อขยายกำลังการผลิตหน่วยความจำและเสริมความแข็งแกร่งให้กับธุรกิจ AI โดยแบ่งงบลงทุนไปยังโรงงานผลิต NAND Flash แห่งใหม่ โรงงานแพ็กเกจจิ้ง HBM และโครงสร้างพื้นฐานด้าน AI

การประกาศดังกล่าวมีขึ้นโดย Kwak No-jung ประธานเจ้าหน้าที่บริหาร (CEO) ของ SK Hynix ระหว่างงานในเมืองอาซัน จังหวัดชุงชองใต้

ลงทุน 80 ล้านล้านวอน สร้างโรงงาน NAND แห่งใหม่

ส่วนที่ใหญ่ที่สุดของแผนลงทุนคือการใช้งบประมาณ 80 ล้านล้านวอน เพื่อก่อสร้างโรงงานผลิตเวเฟอร์ NAND Flash แห่งใหม่ ภายในวิทยาเขตของ SK Hynix ที่เมืองชองจู (Cheongju)

โรงงานแห่งนี้ใช้รหัสโครงการ M17 และถือเป็นการลงทุนครั้งสำคัญของบริษัทในธุรกิจ NAND Flash หลังจากเว้นช่วงการขยายกำลังการผลิตขนาดใหญ่มาหลายปี

ตามแผนงาน

• เริ่มก่อสร้างในปี 2027
• เริ่มเดินสายการผลิตในช่วง ครึ่งแรกของปี 2029

M17 จะเป็นโรงงานผลิตชิปส่วนหน้า (Front-end Wafer Fab) สำหรับการผลิตเวเฟอร์ NAND Flash รองรับความต้องการหน่วยความจำในอนาคต

สร้างโรงงานแพ็กเกจ HBM มูลค่า 20 ล้านล้านวอน

อีก 20 ล้านล้านวอน จะถูกนำไปใช้ก่อสร้างโรงงาน P&T7 ซึ่งเป็นศูนย์ผลิตและแพ็กเกจจิ้งชิปขั้นสูง (Advanced Packaging)

โรงงานแห่งนี้มีพื้นที่ประมาณ 230,000 ตารางเมตร และจะมุ่งผลิตหน่วยความจำสำหรับ AI โดยเฉพาะ เช่น HBM (High Bandwidth Memory) ซึ่งกำลังเป็นหัวใจสำคัญของจีพียู AI และศูนย์ข้อมูลยุคใหม่

SK Hynix คาดว่าโรงงาน P&T7 จะแล้วเสร็จภายใน ปลายปี 2027

เดินหน้าสร้าง AI Data Center ขนาด 1GW

นอกจากการลงทุนด้านโรงงานผลิตชิปแล้ว SK Group ยังมีแผนสร้าง AI Data Center กำลังไฟฟ้ารวม 1 กิกะวัตต์ (1GW) ในภูมิภาคชุงชอง

โครงการดังกล่าวมีเป้าหมายสร้างระบบนิเวศด้าน AI แบบครบวงจร ตั้งแต่การผลิตเซมิคอนดักเตอร์ การแพ็กเกจชิป ไปจนถึงโครงสร้างพื้นฐานสำหรับการประมวลผล AI

รองรับความต้องการชิป AI ที่เติบโตต่อเนื่อง

การลงทุนครั้งนี้สะท้อนถึงความเชื่อมั่นของ SK Hynix ต่อการเติบโตของตลาด AI และหน่วยความจำประสิทธิภาพสูง โดยเฉพาะ HBM ซึ่งปัจจุบันมีความต้องการเพิ่มขึ้นอย่างต่อเนื่องจากผู้พัฒนาชิป AI รายใหญ่ทั่วโลก

การสร้างโรงงาน M17 และศูนย์แพ็กเกจ P&T7 จะช่วยเพิ่มศักยภาพการผลิตของบริษัททั้งในฝั่ง NAND Flash และ HBM พร้อมรองรับความต้องการของตลาดในช่วงหลายปีข้างหน้า และเสริมความสามารถในการแข่งขันกับผู้ผลิตหน่วยความจำรายอื่นในอุตสาหกรรม

ที่มา: IT Home