คาดว่าการเติบโตของกำลังการผลิต DRAM ทั่วโลกจะยังจำกัดไปจนถึงปี 2026 เนื่องจากผู้ผลิตหน่วยความจำรายใหญ่ในเกาหลีและสหรัฐฯ ต่างหันไปให้ความสำคัญกับการพัฒนา HBM (High Bandwidth Memory) และเทคโนโลยีการผลิตระดับขั้นสูง รายงานจาก Commercial Times ระบุว่า การเปลี่ยนทิศทางนี้ทำให้ อุปทานของหน่วยความจำ DDR4 และ DRAM กระแสหลักตึงตัวขึ้น ส่งผลให้บริษัทจากไต้หวันอย่าง Nanya Technology และ Winbond กลายเป็นผู้มีบทบาทสำคัญในการรักษาเสถียรภาพของตลาด

สามยักษ์ใหญ่ขยับขยายอย่างระมัดระวัง มุ่งเน้นไปที่ HBM

รายงานอ้างคำกล่าวของนักวิเคราะห์ว่า ผู้ผลิต DRAM ชั้นนำกำลังขยายกำลังการผลิตอย่างระมัดระวัง โดย

• Samsung Electronics เดินหน้าอัปเกรดโรงงานผลิตที่เมืองพยองแท็ก (Pyeongtaek) อย่างต่อเนื่อง

  • โรงงาน P3 จะมีกำลังการผลิตสูงถึง 115,000 แผ่นเวเฟอร์ต่อเดือนภายในสิ้นปี 2026

  • โรงงาน P4 จะเริ่มผลิตระยะที่สองในไตรมาส 2 ปี 2026 ที่ 60,000 แผ่นต่อเดือน

  • ส่วนโรงงาน P5 จะกลับมาก่อสร้างต่อในเดือนตุลาคม 2025 และเริ่มผลิตเชิงพาณิชย์ช่วงปลายปี 2027

  • อย่างไรก็ตาม Samsung ยังคงดำเนินกลยุทธ์อย่างระมัดระวัง โดยมุ่งไปที่เทคโนโลยีระดับ 1c-nanometer และผลิตภัณฑ์ HBM4 รุ่นใหม่

• SK hynix ก็มีแนวทางคล้ายกัน โดยมุ่งเน้นขยายกำลังการผลิตด้าน HBM, เทคโนโลยีแพ็กเกจขั้นสูง, และ การซ้อนชิปในแนวตั้ง (Vertical Stacking) เพื่อเสริมความแข็งแกร่งในห่วงโซ่อุปทานของตลาด AI Server
  โรงงานใหม่ M15X ของบริษัทคาดว่าจะสร้างเสร็จในช่วงต้นไตรมาส 4 ปีนี้ โดยมุ่งผลิต HBM3e และ HBM4 เป็นหลัก

• ด้าน Micron Technology ยังคงชะลอการขยายกำลังการผลิตใหม่ส่วนใหญ่ โดยเน้นพัฒนา HBM และเทคโนโลยีแพ็กเกจรวม (Packaging Integration) ก่อนปี 2026
  รายงานระบุว่า โรงงาน A3 (P2) ในไต้หวันของ Micron กำลังถูกปรับให้กลายเป็นสายการผลิตแพ็กเกจขั้นสูง
  ส่วนโรงงาน Boise ในสหรัฐฯ ระยะที่หนึ่งสร้างเสร็จแล้ว และจะเริ่มผลิตเชิงพาณิชย์ในปี 2027
  ขณะที่โรงงาน Hiroshima ในญี่ปุ่นจะเพิ่มกำลังผลิตอีก 25,000 แผ่นเวเฟอร์ต่อเดือน และจะเริ่มเดินเครื่องในช่วงปลายปี 2027 เช่นกัน

ผู้ผลิตไต้หวันเร่งผลิต DDR4 รับอานิสงส์ตลาดโลกขาดแคลน

ในทางกลับกัน ผู้ผลิต DRAM จากไต้หวัน กำลังเร่งขยายการผลิตในกลุ่ม DRAM กระแสหลักเพื่อรับมือกับภาวะตึงตัวของตลาด

• Nanya Technology
  โรงงาน Fab 5A ของบริษัทมีกำลังการผลิตประมาณ 60,000 แผ่นเวเฟอร์ต่อเดือน และได้อัปเกรดเข้าสู่กระบวนการผลิตระดับ 1B/1C นาโนเมตร แล้ว เพื่อให้สามารถผลิต DDR4 และ DRAM เฉพาะทาง (Specialty DRAM) ได้อย่างเสถียร
  รายงานจาก MoneyDJ ระบุว่า Nanya ได้เริ่มส่งมอบชิป DDR5-5600 ขนาด 16Gb ที่ใช้กระบวนการผลิตระดับ 10nm รุ่นที่สอง (1B) แล้วคิดเป็นสัดส่วนราว 10% ของยอดส่งออกทั้งหมด
  ส่วนชิป DDR5-6400 กำลังผ่านขั้นตอนการออกแบบตามเป้าหมาย และกระบวนการผลิตรุ่นที่สามและสี่ (1C/1D) กำลังอยู่ในช่วงทดสอบการผลิตตามแผน
  บริษัทระบุว่าจะยังคงเพิ่มสัดส่วนยอดขายของ DDR4 และ LPDDR4 ต่อไปเพื่อรองรับความต้องการของตลาด

• Winbond Electronics
  รายงานจาก Commercial Times เสริมว่า โรงงาน KH (Kaohsiung) ของ Winbond กำลังปรับเทคโนโลยีการผลิตจาก 25nm สู่ 20nm โดยเริ่มต้นกำลังการผลิตที่ 15,000 แผ่นเวเฟอร์ต่อเดือน เพื่อขยายอุปทานของ DDR4 และ DRAM สำหรับงานเฉพาะทาง

โดยสรุปแล้ว แนวโน้มของตลาดหน่วยความจำโลกในช่วงสองปีข้างหน้าอาจเห็นการเติบโตชะลอตัวในฝั่ง DRAM ทั่วไป เนื่องจากสามยักษ์ใหญ่ทุ่มเททรัพยากรให้กับ HBM และเทคโนโลยีใหม่สำหรับ AI
ขณะที่ ไต้หวัน กลับกลายเป็น “เสาหลัก” ที่ช่วยรักษาเสถียรภาพของอุปทาน DDR4 และ DRAM กระแสหลัก ทั่วโลกในช่วงรอยต่อของยุคหน่วยความจำใหม่นี้

ที่มา: TrendForce