ตามรายงานของ The Bell ระบุว่า ขณะที่ Samsung ผ่านการรับรองมาตรฐานของ NVIDIA สำหรับ HBM3E แบบ 12 เลเยอร์ และกำลังเร่งสปีดไล่ตามคู่แข่งรายใหญ่ในตลาดหน่วยความจำนั้น ทางด้าน SK hynix ได้เริ่มเดินสายการผลิตนำร่องที่โรงงาน M15X เมืองชองจู เพื่อผลิต DRAM รุ่น 1b รองรับความต้องการ HBM ที่เพิ่มสูงขึ้น
บริษัทมีแผนจะติดตั้งเครื่องจักรภายในเดือนพฤศจิกายน และจะจัดพิธีเปิดสายการผลิตในไตรมาส 4 โดยเป้าหมายการผลิตเริ่มต้นอยู่ที่ 10,000 เวเฟอร์ต่อเดือน ตามรายงาน ขณะที่ Aju News ระบุว่า แม้ Samsung จะเดินหน้าไปยัง 1c DRAM สำหรับ HBM4 แต่ทั้ง SK hynix และ Micron ยังยึดกับ 1b DRAM อยู่
การขยายกำลังการผลิตครั้งนี้เกิดขึ้นท่ามกลางความต้องการ HBM ที่พุ่งสูงจากบริษัทยักษ์ใหญ่อย่าง NVIDIA, Google และ Amazon โดย The Bell ชี้ว่า SK hynix กำลังเร่งผลิตเพื่อตอบสนองคำสั่งซื้อจาก Big Tech และมีแผนจะขยายการผลิตเพิ่มเติมหลังได้รับอนุมัติให้ผลิตจำนวนมาก
ทั้งนี้ SK hynix เพิ่งประกาศเมื่อวันที่ 12 กันยายนว่าได้พัฒนา HBM4 รุ่นแรกของโลก เสร็จสิ้นแล้ว และเตรียมเข้าสู่การผลิตจำนวนมาก โดยสายการผลิตนำร่องที่ M15 มีศักยภาพสูงกว่าสายการผลิตทดสอบทั่วไปหลายเท่า (ที่มักผลิตเพียงไม่กี่พันเวเฟอร์ต่อเดือน)
ด้าน Business Post รายงานว่า Micron ยักษ์ใหญ่หน่วยความจำจากสหรัฐฯ กำลังเผชิญอุปสรรค ไม่เพียงแค่ตามไม่ทันสเปกความเร็วสูงของ HBM4 จาก NVIDIA แต่ยังล้มเหลวในส่วนของ SOCAMM จนคาดว่าจะได้คำสั่งซื้อจาก NVIDIA น้อยที่สุดเมื่อเทียบกับคู่แข่งรายอื่น.
ที่มา : TrendForce
