Samsung–SK hynix เร่งอัปเกรดโรงงาน NAND ในจีน! เตรียมขยับสู่ 286 ชั้นขึ้นไป ท่ามกลางศึกชิงตลาดหน่วยความจำ AI

ความต้องการหน่วยความจำจากอุตสาหกรรม AI ไม่ได้จำกัดอยู่แค่ DRAM อีกต่อไป แต่ยังเพิ่มแรงกดดันต่อตลาด NAND Flash ด้วย ทำให้ Samsung และ SK hynix สองผู้ผลิตหน่วยความจำรายใหญ่ของโลก เร่งยกระดับเทคโนโลยีในโรงงานที่ประเทศจีน เพื่อเพิ่มความสามารถในการผลิตชิป NAND รุ่นใหม่ ท่ามกลางการแข่งขันที่รุนแรงขึ้นจากผู้ผลิตจีนอย่าง YMTC และข้อจำกัดด้านการส่งออกเทคโนโลยีจากสหรัฐฯ

รายงานจาก Reuters ระบุว่า Samsung มีแผนปรับสายการผลิตที่โรงงานในเมืองซีอาน จากเทคโนโลยี NAND ที่มีจำนวนชั้นประมาณ 200 ชั้น ไปสู่ V9 NAND ซึ่งใช้โครงสร้าง 286 ชั้น ขณะที่ SK hynix กำลังพิจารณายกระดับโรงงานในเมืองต้าเหลียนจากเทคโนโลยีเดิม 192 ชั้น ไปสู่ระดับ 240 ชั้นขึ้นไป และอาจขออนุญาตจากรัฐบาลสหรัฐฯ เพื่อทำวิจัยและพัฒนาเทคโนโลยี NAND ที่มีจำนวนชั้นมากกว่า 300 ชั้น

โรงงานจีนยังมีความสำคัญต่อกำลังผลิต NAND ของทั้งสองบริษัท

แม้ Samsung และ SK hynix จะมีฐานการผลิตหลักในเกาหลีใต้ แต่โรงงานในจีนยังมีบทบาทสำคัญต่อการผลิต NAND Flash ของทั้งสองบริษัท

ข้อมูลประมาณการจาก TrendForce ระบุว่า โรงงานในจีนคิดเป็นสัดส่วนราว 30–35% ของกำลังผลิต NAND ทั้งหมดของ Samsung ส่วน SK hynix มีสัดส่วนสูงกว่า อยู่ที่ประมาณ 40–45% ตัวเลขดังกล่าวสะท้อนว่า การรักษาความสามารถในการแข่งขันของโรงงานในจีนมีความสำคัญต่อภาพรวมธุรกิจหน่วยความจำของทั้งคู่

อย่างไรก็ตาม การอัปเกรดโรงงานไม่ได้มีเป้าหมายเพียงเพิ่มจำนวนชั้นของชิปเท่านั้น แต่ยังเกี่ยวข้องกับการรักษาระดับเทคโนโลยีการผลิตให้ใกล้เคียงกับโรงงานในเกาหลีใต้ เพื่อให้ทั้งสองบริษัทสามารถรองรับความต้องการ NAND รุ่นใหม่ได้อย่างต่อเนื่อง

Samsung เตรียมเปลี่ยนโรงงานซีอานสู่ V9 NAND 286 ชั้น

Reuters รายงานว่า Samsung มีโครงการภายในที่ใช้ชื่อว่า “Monami” ซึ่งเป็นคำภาษาฝรั่งเศสที่มีความหมายว่า “เพื่อนของฉัน” โดยมีแผนปรับโรงงานในซีอานให้รองรับการผลิต V9 NAND ที่ใช้โครงสร้าง 286 ชั้น แทนเทคโนโลยีเดิมที่มีจำนวนชั้นประมาณ 200 ชั้น

Samsung และ SK hynix ยืนยันกับ Reuters ว่ากำลังดำเนินการอัปเกรดโรงงานในจีน โดยประสานงานกับรัฐบาลสหรัฐฯ อย่างใกล้ชิด แต่ทั้งสองบริษัทไม่ได้เปิดเผยรายละเอียดเกี่ยวกับแผนการผลิตและขอบเขตการปรับปรุงอย่างชัดเจน

นอกเหนือจากจีน รายงานของ Seoul Economic Daily ระบุว่า Samsung ได้ปรับกำลังการผลิต V-NAND ประมาณ 60% ไปสู่ V9 NAND ที่มี 286 ชั้น พร้อมเพิ่มการจัดส่งให้ NVIDIA และเริ่มผลิต V10 NAND ในปริมาณมากเพื่อส่งมอบสินค้าแล้ว ขณะเดียวกัน บริษัทกำลังเร่งพัฒนา V11 ซึ่งตั้งเป้าเพิ่มจำนวนชั้นขึ้นไปอยู่ที่ประมาณ 500 ชั้น

ความเคลื่อนไหวนี้แสดงให้เห็นว่า Samsung กำลังเดินหน้าพัฒนา NAND หลายเจเนอเรชันควบคู่กัน ทั้งการยกระดับโรงงานเดิมและการเตรียมเทคโนโลยีรุ่นถัดไป

SK hynix เล็งเพิ่มจำนวนชั้น NAND ท่ามกลางการเปลี่ยนผ่านสู่ 321 ชั้น

ด้าน SK hynix มีโรงงาน NAND ในเมืองต้าเหลียน ซึ่งได้รับอนุญาตให้ผลิตชิปที่มีโครงสร้างสูงสุด 240 ชั้นตามรายงาน ขณะที่บริษัทอาจต้องขออนุมัติเพิ่มเติมจากสหรัฐฯ หากต้องการดำเนินการวิจัยและพัฒนาเทคโนโลยีที่มีจำนวนชั้นมากกว่า 300 ชั้นในจีน

ส่วนแผนการผลิตในเกาหลีใต้ SK hynix กำลังเร่งเปลี่ยนผ่านไปสู่ NAND รุ่น 321 ชั้น โดย Bloter รายงานว่าเทคโนโลยีดังกล่าวกลายเป็นกลุ่มผลิตภัณฑ์ NAND ที่มีสัดส่วนการผลิตมากที่สุดของบริษัทในไตรมาส 2 ปี 2026 และคาดว่าประมาณครึ่งหนึ่งของกำลังการผลิต NAND ภายในประเทศจะเปลี่ยนมาใช้เทคโนโลยี 321 ชั้นภายในสิ้นปี 2026

หากแผนดังกล่าวดำเนินไปตามรายงาน SK hynix จะสามารถเพิ่มสัดส่วนการผลิต NAND รุ่นใหม่ในเกาหลีใต้ได้ ขณะที่โรงงานในจีนยังต้องปรับตัวภายใต้ข้อจำกัดด้านเทคโนโลยีและการส่งออก

YMTC กลายเป็นคู่แข่งที่ต้องจับตา

อีกปัจจัยที่ทำให้ Samsung และ SK hynix ต้องเร่งพัฒนาเทคโนโลยีคือการแข่งขันจาก YMTC ผู้ผลิต NAND Flash ของจีน

Reuters ระบุว่า ผลิตภัณฑ์ NAND ของ YMTC ส่วนใหญ่ยังอยู่ในกลุ่ม 160 ชั้นและ 232 ชั้น แต่บริษัทเริ่มผลิตชิป NAND แบบ 294 ชั้นในปริมาณจำกัดแล้ว และมีแผนพัฒนาเทคโนโลยีที่มีจำนวนชั้นมากกว่า 300 ชั้นในอนาคต

หาก YMTC สามารถเพิ่มกำลังผลิตชิปรุ่นดังกล่าวได้อย่างต่อเนื่อง ก็อาจเพิ่มแรงกดดันต่อผู้ผลิตรายใหญ่ โดยเฉพาะในช่วงที่ความต้องการ NAND สำหรับเซิร์ฟเวอร์ ระบบจัดเก็บข้อมูล และโครงสร้างพื้นฐาน AI เพิ่มสูงขึ้น

ทั้งนี้ จำนวนชั้นที่มากขึ้นไม่ได้หมายความว่าชิปจะมีประสิทธิภาพดีกว่าในทุกด้านโดยอัตโนมัติ เพราะยังต้องพิจารณาความหนาแน่นในการจัดเก็บข้อมูล ต้นทุนการผลิต อัตราผลิตชิปที่ผ่านมาตรฐาน และความเร็วในการทำงานร่วมด้วย

ข้อจำกัดจากสหรัฐฯ เป็นอุปสรรคสำคัญ

แม้ทั้งสองบริษัทต้องการอัปเกรดโรงงานในจีน แต่การดำเนินงานยังอยู่ภายใต้ข้อจำกัดการส่งออกของสหรัฐฯ โดย Reuters ระบุว่า Samsung และ SK hynix ต้องขอใบอนุญาตเป็นรายปีสำหรับการนำอุปกรณ์ที่ผลิตในสหรัฐฯ เข้าไปติดตั้งในโรงงานจีน

นอกจากนี้ วอชิงตันเคยส่งสัญญาณในปี 2025 ว่าจะไม่อนุมัติการยกระดับเทคโนโลยีหรือการขยายกำลังการผลิตในโรงงานจีน ทำให้แผนปรับปรุงสายการผลิตรุ่นใหม่ต้องพิจารณาเงื่อนไขการอนุญาตอย่างรอบคอบ

ประเด็นสำคัญจึงไม่ได้อยู่ที่ Samsung และ SK hynix มีเทคโนโลยี NAND รุ่นใหม่พร้อมใช้งานหรือไม่เท่านั้น แต่รวมถึงทั้งสองบริษัทจะสามารถนำเทคโนโลยีและอุปกรณ์ที่จำเป็นเข้าไปใช้ในโรงงานจีนได้มากน้อยเพียงใด

การแข่งขันในตลาด NAND กำลังเดินหน้าไปพร้อมกันหลายด้าน ตั้งแต่การพัฒนาชิปที่มีจำนวนชั้นเพิ่มขึ้น การเพิ่มกำลังผลิตสำหรับตลาด AI ไปจนถึงการรับมือกับผู้ผลิตจีนที่กำลังไล่ตามเทคโนโลยีของบริษัทระดับโลก สำหรับ Samsung และ SK hynix โรงงานในจีนยังมีความสำคัญต่อกำลังผลิตโดยรวม แต่การรักษาความทันสมัยของโรงงานเหล่านี้ก็ขึ้นอยู่กับทั้งความพร้อมทางเทคโนโลยีและข้อจำกัดทางภูมิรัฐศาสตร์ด้วย

ที่มา: TrendForce