ในขณะที่จีนเร่งเดินหน้าเป้าหมาย “พึ่งพาตนเองด้านเซมิคอนดักเตอร์” สายตาทั่วโลกต่างจับจ้องว่าบริษัทเทคโนโลยีชั้นนำจะพัฒนาเทคโนโลยีล้ำสมัยอย่างไรภายใต้การคว่ำบาตรของสหรัฐฯ — และ Huawei คือผู้เล่นที่โดดเด่นที่สุดรายหนึ่ง ตามรายงานของ Nikkei ยักษ์ใหญ่ด้านชิปของจีนได้เร่งยื่นสิทธิบัตรด้าน GPU อย่างรวดเร็วในช่วงไม่กี่ปีที่ผ่านมา พร้อมทั้งขยายไปสู่เทคโนโลยีต่ำกว่า 2 นาโนเมตร เช่น EUV และลิโทกราฟีขั้นสูง อ้างอิงจากฐานข้อมูลของเครื่องมือวิจัยสิทธิบัตรญี่ปุ่น Patentfield (Kyoto)
สิทธิบัตร GPU เพิ่มพุ่ง – สงครามชิป AI เดือดหนัก
รายงานอ้างข้อมูลจาก Patentfield ระบุว่า ในช่วง 5 ปีจนถึงปี 2023 ปริมาณสิทธิบัตรเกี่ยวกับ GPU ของ Huawei เพิ่มขึ้นถึง 10 เท่า แซงหน้า NVIDIA และ Intel อย่างชัดเจน เฉพาะในปี 2023 Huawei ยื่นสิทธิบัตรถึง 3,091 รายการ — มากกว่าปี 2018 ถึง 10 เท่า, มากกว่า Intel ราว 3 เท่า และมากกว่า NVIDIA ถึง 5 เท่า สะท้อนความก้าวหน้าแบบก้าวกระโดดของ Huawei ในด้าน GPU ตามรายงานของ Nikkei
เมื่อเดือนกันยายนที่ผ่านมา Huawei ยังเปิดเผยโรดแมปหลายปีของชิป Ascend AI โดยมีแผนออกผลิตภัณฑ์ต่อเนื่องไปจนถึงปี 2028 ตามรายงานของ Mydrivers ไทม์ไลน์เริ่มจาก Ascend 950PR ช่วงไตรมาส 1 ปี 2026 และ 950DT ในไตรมาส 4 ปีเดียวกัน ต่อด้วย Ascend 960 ในไตรมาส 4 ปี 2027 และ Ascend 970 ในไตรมาส 4 ปี 2028 โดยหนึ่งในจุดเด่นของชิปรุ่น 950 คือ HBM ที่พัฒนาเองโดย Huawei
Nikkei ยังระบุว่า Samsung Electronics เร่งยื่นสิทธิบัตรด้าน GPU ในช่วงไม่กี่ปีที่ผ่านมาเช่นกัน ซึ่งคาดว่าได้รับแรงกระตุ้นจากการพัฒนา HBM สำหรับงาน AI ดาต้าเซ็นเตอร์ การค้นหาด้วยคำหลัก “GPU + HBM” พบว่าการยื่นสิทธิบัตรของ Samsung เริ่มพุ่งขึ้นเมื่อราว 5 ปีก่อน และตามข้อมูลของ Patentfield สิทธิบัตร GPU+HBM ของ Samsung อยู่ที่มากกว่า 400 รายการในปี 2023 และ 2024 เทียบกับราว 300 รายการของ NVIDIA
ลุยสู่ยุคชิปต่ำกว่า 2 นาโนเมตร
ที่น่าสนใจอย่างยิ่ง — Nikkei ระบุว่าสิทธิบัตรของ Huawei ยังเผยให้เห็นการขยายไปสู่เทคโนโลยีหลังยุค 2 นาโนเมตรอีกด้วย เมื่อตรวจหาสิทธิบัตรที่มีคำสำคัญ “Gate-all-around” ซึ่งใช้ในโหนดต่ำกว่า 2 นาโนเมตร จะพบว่า Huawei ส่งสิทธิบัตร 20 รายการในปี 2023
รายงานยังเสริมว่า Huawei ยื่นสิทธิบัตรที่เกี่ยวข้องกับ CFET (Complementary FET) และทรานซิสเตอร์ โดย CFET เป็นเทคโนโลยีที่รองรับโหนดระดับ 1 นาโนเมตรและต่ำกว่า ด้วยการซ้อนทรานซิสเตอร์ในแนวตั้งแทนการย่อขนาดตามปกติ นอกจากนี้ยังพบคำสำคัญอย่าง “EUV” และ “Lithography” ในสิทธิบัตร สะท้อนความพยายามของ Huawei ในการพัฒนาเทคโนโลยีล้ำสมัย แม้จะถูกสหรัฐฯ ปิดกั้นไม่ให้นำเข้าอุปกรณ์สำคัญต่าง ๆ
ในจำนวนสิทธิบัตรเหล่านี้ South China Morning Post ชี้ไปยังเอกสารหนึ่งที่น่าสนใจ ได้แก่ สิทธิบัตรของ Huawei จากกันยายน 2021 — เผยแพร่เมื่อปีที่แล้ว — ซึ่งอธิบายการใช้เทคนิค SAQP (Self-Aligned Quadruple Patterning) เพื่อ “เพิ่มความยืดหยุ่นในการออกแบบลวดลายวงจร”
อีกด้านหนึ่ง รายงานยังระบุถึงสิทธิบัตรของ Huawei ที่มีอายุสามปี เกี่ยวข้องกับเทคนิค patterning ขั้นสูงที่อ้างว่าสามารถทำให้ถึงระดับ 2nm-class โดยไม่ต้องใช้เครื่อง EUV ท่ามกลางมาตรการคว่ำบาตรของสหรัฐฯ Huawei กำลังพัฒนาวิธีรวมโลหะ (metal-integration) ที่ช่วยให้สร้างโครงสร้างโลหะที่แคบมากด้วยเครื่อง DUV แม้ใน pitch ต่ำกว่า 21nm — ซึ่งถือเป็นเกณฑ์สำคัญสำหรับชิประดับ 2nm-class ตามรายงานระบุ
ที่มา: TrendForce
