AMD เปิดตัว EXPO-ULL มาตรฐานโอเวอร์คล็อกแรมใหม่ เน้นค่า Latency ต่ำ เพิ่มเฟรมเรตเกมสูงสุด 13%
ภายในงาน Computex 2026 ทาง AMD ได้ประกาศเปิดตัวมาตรฐานใหม่สำหรับหน่วยความจำ DDR5 ในชื่อ EXPO Ultra Low Latency หรือ EXPO-ULL ซึ่งเป็นส่วนขยายของโปรไฟล์ SPD คล้ายกับ AMD EXPO และ Intel XMP ที่ใช้งานอยู่ในปัจจุบัน
จุดเด่นของ EXPO-ULL คือการกำหนดค่า Timing ของหน่วยความจำให้ต่ำกว่าปกติอย่างมาก โดยมุ่งเป้าไปที่แรม DDR5 ความเร็วระดับยอดนิยมบนแพลตฟอร์ม AMD อย่าง DDR5-6000 และ DDR5-6400
AMD อธิบายว่า แม้ซีพียู Ryzen 7000 Series และ Ryzen 9000 Series จะไม่สามารถดันความเร็วหน่วยความจำได้สูงเท่าแพลตฟอร์ม Intel บางรุ่น แต่ยังมีพื้นที่ในการเพิ่มประสิทธิภาพผ่านการลดค่า Latency หรือการปรับ Timing ของแรมให้แน่นขึ้นได้อีกมาก
ที่ผ่านมา ผู้ผลิตแรมจำนวนมากมักวางจำหน่ายแรม DDR5-6000 และ DDR5-6400 พร้อมโปรไฟล์ AMD EXPO โดยใช้ค่า Timing ตามมาตรฐานทั่วไปของความเร็วระดับดังกล่าว แต่ EXPO-ULL จะกำหนดมาตรฐานใหม่ให้ผู้ผลิตต้องใช้ค่า Timing ที่ต่ำลงอย่างมีนัยสำคัญ เพื่อรีดประสิทธิภาพจากแพลตฟอร์ม AMD ให้สูงขึ้น
AMD ระบุว่าผู้ผลิตหน่วยความจำที่เข้าร่วมโครงการ EXPO-ULL ในช่วงแรกประกอบด้วย
- G.SKILL
- Kingston
- Klevv
- Lexar
- Team Group
- V-Color
- ADATA XPG
จากผลการทดสอบภายในของ AMD แรมที่รองรับ EXPO-ULL สามารถเพิ่มประสิทธิภาพการเล่นเกมได้สูงสุดถึง 13% เมื่อเทียบกับแรมมาตรฐาน JEDEC DDR5 และมีค่าเฉลี่ยการเพิ่มเฟรมเรตอยู่ที่ประมาณ 4%
แม้ AMD จะยังไม่ได้ประกาศวันวางจำหน่ายอย่างเป็นทางการ แต่คาดว่าผู้ผลิตหน่วยความจำที่เข้าร่วมโครงการจะทยอยเปิดตัวชุดแรม EXPO-ULL ออกสู่ตลาดตลอดช่วงปี 2026
การเปิดตัว EXPO-ULL ถือเป็นอีกหนึ่งความพยายามของ AMD ในการเพิ่มประสิทธิภาพให้แพลตฟอร์ม Ryzen โดยไม่จำเป็นต้องเพิ่มความเร็วสัญญาณนาฬิกาของแรม แต่ใช้การลดค่า Latency เพื่อดึงศักยภาพของระบบออกมาให้มากที่สุด โดยเฉพาะในงานเกมมิ่งที่ตอบสนองต่อค่า Timing ของหน่วยความจำได้อย่างชัดเจน
ที่มา: TechPowerUp



