หน่วยความจำ DDR5 จากชิป DRAM จีนสร้างสถิติใหม่! โอเวอร์คล็อกแตะ 8800MT/s บนเมนบอร์ด ASUS แบบ 4 DIMM

ผู้ผลิตหน่วยความจำจากจีนประกาศความสำเร็จในการโอเวอร์คล็อกโมดูล Valkyrie II RGB / Heimdall Special Edition DDR5-6000 (24GB x2) ซึ่งใช้ ชิป DRAM รุ่น 3G8 ที่ผลิตภายในประเทศจีน โดยสามารถเพิ่มความเร็วได้สูงถึง 8800MT/s บนแพลตฟอร์ม Intel ถือเป็นอีกก้าวสำคัญของอุตสาหกรรมหน่วยความจำภายในประเทศจีน

การทดสอบดำเนินการบนเมนบอร์ด ASUS Z890 AYW GAMING WIFI W ซึ่งสามารถโอเวอร์คล็อกหน่วยความจำได้ที่ความเร็ว 8800MT/s พร้อมค่า Timing CL46-56-56-132

สิ่งที่น่าสนใจคือ เมนบอร์ดรุ่นดังกล่าวเป็นดีไซน์แบบ 4 DIMM (2DPC / 2SPC) ซึ่งโดยปกติแล้วมีข้อจำกัดด้านการโอเวอร์คล็อกหน่วยความจำมากกว่าเมนบอร์ดแบบ 2 DIMM (1DPC / 1SPC) เนื่องจากการเดินลายวงจรและภาระของสัญญาณหน่วยความจำมีความซับซ้อนมากกว่า

ด้วยเหตุนี้ การที่ชิป DRAM 3G8 สามารถทำความเร็วได้ถึง 8800MT/s บนเมนบอร์ดแบบ 4 DIMM จึงสะท้อนให้เห็นถึงศักยภาพของชิปหน่วยความจำรุ่นดังกล่าว และยังบ่งชี้ว่าหากนำไปใช้งานร่วมกับเมนบอร์ดแบบ 2 DIMM ที่เน้นการโอเวอร์คล็อกโดยเฉพาะ ก็มีโอกาสที่จะผลักดันความเร็วได้สูงกว่านี้อีก

ปัจจุบันชิป 3G8 DRAM ถือเป็นหนึ่งในความพยายามของอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์จีนในการพัฒนาเทคโนโลยีหน่วยความจำด้วยตนเอง เพื่อลดการพึ่งพาผู้ผลิตรายใหญ่ของโลกอย่าง Samsung, SK hynix และ Micron

แม้ว่าจะยังไม่มีการเปิดเผยรายละเอียดเกี่ยวกับแรงดันไฟหรือเงื่อนไขการทดสอบเพิ่มเติม แต่ผลการโอเวอร์คล็อกครั้งนี้แสดงให้เห็นว่าชิป DRAM ที่ผลิตในประเทศจีนเริ่มมีศักยภาพในการแข่งขันกับหน่วยความจำระดับสูงของผู้ผลิตชั้นนำ และอาจเป็นอีกหนึ่งตัวเลือกที่น่าจับตามองสำหรับตลาด DDR5 ในอนาคต โดยเฉพาะบนแพลตฟอร์ม Intel ที่ยังมีช่องว่างให้ผลักดันความเร็วได้มากขึ้นเมื่อใช้งานกับเมนบอร์ดสำหรับการโอเวอร์คล็อกโดยเฉพาะ

ที่มา: IT Home