บริษัท Zhejiang Jingsheng Mechanical & Electrical ได้ยืนยันระหว่างงานพบปะนักลงทุนเมื่อเร็ว ๆ นี้ว่า สายการผลิตทดลองเวเฟอร์ ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) ขนาด 12 นิ้วแห่งแรกของบริษัทได้เริ่มเดินเครื่องอย่างเป็นทางการเมื่อวันที่ 26 กันยายน 2025 ที่บริษัทย่อย SuperSiC ซึ่งจุดเด่นสำคัญของสายการผลิตนี้คือการ พัฒนาเทคโนโลยีและเครื่องจักรทุกขั้นตอนภายในประเทศเอง 100%

ยุคใหม่ของเทคโนโลยีซิลิคอนคาร์ไบด์ขนาด 12 นิ้ว

รายงานระบุว่า การเพิ่มขนาดเวเฟอร์เป็นแนวทางสำคัญในการลดต้นทุนการผลิต โดยทาง Zhejiang Jingsheng อธิบายว่า เมื่อเทียบกับเวเฟอร์ SiC ขนาด 8 นิ้วที่เป็นกระแสหลักในปัจจุบันแล้ว เวเฟอร์ขนาด 12 นิ้วจะให้ผลผลิตชิปมากกว่าเดิมราว 2.5 เท่าต่อแผ่น ซึ่งช่วยลดต้นทุนต่อหน่วยลงอย่างมีนัยสำคัญในระดับการผลิตจำนวนมาก

โดยอ้างอิงข้อมูลจากวงการอุตสาหกรรม รายงานระบุว่า เมื่อเวเฟอร์ขนาด 12 นิ้วเข้าสู่การผลิตเชิงพาณิชย์ ต้นทุนต่อเวเฟอร์อาจลดลงได้ประมาณ 40% และราคาชิปพลังงานเกรดยานยนต์อาจลดจาก 150 ดอลลาร์ เหลือราว 90 ดอลลาร์ ซึ่งจะมีบทบาทสำคัญต่อการลดต้นทุนในอุตสาหกรรมปลายน้ำ เช่น รถยนต์พลังงานใหม่ (EV), พลังงานแสงอาทิตย์ และการสื่อสาร 5G

นอกจาก Jingsheng แล้ว ยังมีหลายบริษัทในจีนที่เร่งพัฒนาเทคโนโลยี SiC ขนาด 12 นิ้วเช่นกัน รายงานชี้ว่า SICC ของจีนสามารถทำอัตราผลผลิต (Yield) ได้ถึง 65% แล้ว และตั้งเป้าการผลิตจำนวนมากในปลายปี 2025 ส่วน Infineon และ TanKeBlue ก็กำลังร่วมพัฒนา SiC MOSFET แบบ Trench-gate ขนาด 12 นิ้ว เพื่อออกสู่ตลาดในปี 2026 ซึ่งทั้งหมดนี้สะท้อนว่า “ยุคของซิลิคอนคาร์ไบด์ขนาดใหญ่” กำลังมาถึงอย่างรวดเร็ว

จีนเร่งความเป็นอิสระด้าน SiC พร้อมรุกตลาดโลก

รายงานยังระบุว่า ในขณะที่จีนเดินหน้าผลักดันความพึ่งพาตนเองด้านเทคโนโลยี SiC บริษัทภายในประเทศก็เริ่มขยายอิทธิพลในตลาดโลกอย่างรวดเร็ว โดยส่วนแบ่งตลาด SiC substrate ของจีนคาดว่าจะเพิ่มจาก 35% ในปี 2024 เป็น 60% ในปี 2025 และการใช้เครื่องจักรภายในประเทศจะเกิน 80%

ในปี 2024 บริษัท Wolfspeed ยังครองอันดับหนึ่งของตลาดโลกด้วยส่วนแบ่ง 34% แต่บริษัทจีนอย่าง TanKeBlue และ SICC ก็กำลังไล่ตามมาติด โดยแต่ละรายถือส่วนแบ่งตลาดราว 17% ตามข้อมูลจาก TrendForce

การขยายการใช้งานของซิลิคอนคาร์ไบด์

รายงานระบุว่า รถยนต์พลังงานใหม่ (NEV) ยังคงเป็นตลาดหลักของอุปกรณ์กำลัง SiC โดยมีสัดส่วนถึง 73.1% ของตลาดโลกในปี 2024 ขณะเดียวกัน ศูนย์ข้อมูล AI Data Center ก็กำลังกลายเป็นแรงผลักดันใหม่ เนื่องจากการใช้พลังงานและความร้อนที่เพิ่มขึ้นทำให้ต้องอัปเกรดระบบจ่ายไฟและระบายความร้อน — ซึ่ง SiC ถูกคาดหวังว่าจะช่วยแก้ปัญหาการกระจายความร้อนของชิป AI ประสิทธิภาพสูง ได้อย่างมีประสิทธิผล

ที่น่าสนใจคือ รายงานจาก Wealth Magazine ระบุว่า NVIDIA กำลังวางแผน เปลี่ยนจากการใช้ซิลิคอนแบบเดิมไปใช้ซิลิคอนคาร์ไบด์เป็น interposer ในสถาปัตยกรรม Rubin รุ่นถัดไป เพื่อยกระดับประสิทธิภาพการประมวลผล ซึ่งอาจเปิดประตูสู่โอกาสใหม่ในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ระดับสูงในอนาคต