มีรายงานว่า Intel Foundry ได้รับคำสั่งผลิตชิป กระบวนการ 18A จาก Microsoft สำหรับใช้ใน ตัวเร่งประมวลผลรุ่นใหม่ Maia 3 Accelerator

Intel ได้รับออเดอร์สำคัญจาก Microsoft ซึ่งถือเป็นอีกก้าวที่สะท้อนถึงความเชื่อมั่นจากลูกค้านอกกลุ่มต่อ Intel Foundry
ตามรายงานของ Charlie Demerjian จาก SemiAccurate (เผยแพร่โดยผู้ใช้ X @Jukanlosreve) ระบุว่า Microsoft จะให้ Intel ผลิตชิปรุ่นใหม่ “Maia 3” รหัสพัฒนา “Griffin” ด้วยกระบวนการผลิต 18A หรือ 18A-P ของ Intel

เทคโนโลยี 18A-P ถือเป็นเวอร์ชันที่พัฒนาต่อยอดจาก 18A โดยผสานเทคโนโลยี RibbonFET และ PowerVia เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพด้าน สมรรถนะและการใช้พลังงาน เมื่อเทียบกับ 18A รุ่นปกติ จะมีการปรับปรุงในหลายจุด เช่น

เพิ่มส่วนประกอบแบบ low-threshold voltage เพื่อให้ชิปตอบสนองได้ไวขึ้น
ปรับแต่งโครงสร้างเพื่อลดการรั่วไหลของกระแสไฟ
ปรับขนาด ribbon width ให้เหมาะสมยิ่งขึ้น
ซึ่งทั้งหมดนี้ช่วยให้ได้อัตราประสิทธิภาพต่อวัตต์ (performance-per-watt) ที่ดีกว่า เหมาะกับ ชิปเร่งการประมวลผล AI สำหรับศูนย์ข้อมูล (Data Center) ที่ต้องการพลังงานสูงและการประมวลผลต่อเนื่องจำนวนมาก

มีความเป็นไปได้ว่าในอนาคต Microsoft อาจย้ายการผลิตชิปรุ่นต่อ ๆ ไปของตระกูล Maia มาผลิตที่ Intel Foundry ทั้งหมด หากโครงการ Maia 3 ประสบความสำเร็จ โดย Microsoft วางแผนใช้กระบวนการผลิตขั้นสูงรุ่นถัดไปของ Intel ต่อเนื่อง

เพื่อเปรียบเทียบ — ชิป Maia 100 รุ่นแรก ของ Microsoft ผลิตโดย TSMC ด้วยกระบวนการ N5 + CoWoS-S interposer มีขนาดได (die) 820 mm² กินไฟสูงสุดถึง 700W (TDP 500W) ใช้หน่วยความจำ HBM2E ขนาด 64GB แบนด์วิดท์รวม 1.8 TB/s และมีแคชรวม 500MB (L1/L2) ด้านสมรรถนะสูงสุดอยู่ที่

3 PetaOPS (6-bit)
1.5 PetaOPS (9-bit)
0.8 PetaFLOPS (BF16)
พร้อมการเชื่อมต่อเครือข่ายหลังบ้าน 600 GB/s ผ่านพอร์ต 400GbE จำนวน 12 ช่อง และแบนด์วิดท์การเชื่อมต่อโฮสต์ 32 GB/s ผ่าน PCIe Gen 5 x8

Charlie Demerjian ยืนยันว่า ชิปรุ่นใหม่นี้คือ Maia รุ่นที่ 3 ใช้โค้ดเนมว่า “Griffin”

หากโครงการ Maia 3 ประสบความสำเร็จด้าน อัตราผลผลิต (yield) และ ระยะเวลาผลิต (turnaround) Microsoft อาจเลือกใช้กระบวนการขั้นสูงยิ่งขึ้น เช่น 18A-PT และ 14A ในอนาคต โดยเฉพาะ 18A-PT ที่ออกแบบมาสำหรับ งาน AI และ HPC ที่ต้องใช้สถาปัตยกรรมแบบหลายชิป (multi-die)

เทคโนโลยีนี้เพิ่มประสิทธิภาพของ 18A-P ด้วยการปรับปรุงแพ็กเกจขั้นสูง เช่น

ชั้นโลหะหลังการผลิต (back-end metallization) ที่ออกแบบใหม่
through-silicon via (TSV) สำหรับการเชื่อมต่อแนวตั้งระหว่างชิป
hybrid bonding interface ที่มีขนาดละเอียดระดับนาโน

คุณสมบัติเหล่านี้ทำให้สามารถรวมชิปแบบ chiplet ได้อย่างยืดหยุ่นและมีประสิทธิภาพยิ่งขึ้น ซึ่งอาจเป็นแนวทางที่ Microsoft ใช้ในการพัฒนาชิป AI รุ่นถัดไปในอนาคต.