Micron ดึงวิศวกรจาก Samsung และ SK hynix เสริมทีมพัฒนา HBM ที่โรงงานไทจง ไต้หวัน

การแข่งขันในตลาดหน่วยความจำโลกกำลังร้อนแรงขึ้นเรื่อย ๆ และล่าสุดมีรายงานว่า Micron ได้เดินหน้ากลยุทธ์ “ล่าตัวคนเก่ง” เพื่อเสริมทัพในสายการผลิตและวิจัยเทคโนโลยีหน่วยความจำขั้นสูง โดยเน้นดึงตัว วิศวกรที่มีประสบการณ์จาก Samsung Electronics และ SK hynix เข้าร่วมงานในโรงงานที่เมือง ไทจง (Taichung) ประเทศไต้หวัน

ตามรายงานจากสื่อเกาหลี Hankyung ระบุว่า Micron ใช้แพลตฟอร์ม LinkedIn เป็นช่องทางหลักในการสรรหาบุคลากร โดยเฉพาะวิศวกรที่มีความเชี่ยวชาญด้าน HBM (High Bandwidth Memory) และเทคโนโลยีการบรรจุชิป (packaging) ซึ่งเป็นองค์ประกอบสำคัญของอุปกรณ์ AI สมัยใหม่

โรงงานไทจงถือเป็นฐานการผลิต DRAM ที่ใหญ่ที่สุดของ Micron และยังเป็นหนึ่งในศูนย์กลางการผลิต HBM ของบริษัทอีกด้วย ตำแหน่งที่เปิดรับมีตั้งแต่ระดับวิศวกรทั่วไปไปจนถึงระดับอาวุโส โดยบางตำแหน่งเสนอ ค่าตอบแทนรวมสูงสุดถึง 2,000 ล้านวอนต่อปี (ประมาณ 150,000 ดอลลาร์สหรัฐ รวมโบนัส)

Micron ขยายการสรรหาบุคลากรไปถึงเกาหลี

นี่ไม่ใช่ครั้งแรกที่ Micron ดึงคนจากคู่แข่ง แต่ครั้งนี้บริษัทได้ ขยายขอบเขตการสรรหาไปถึงสายออกแบบ (design) ด้วย ตามรายงานของ eNews Today บริษัทได้เปิดรับตำแหน่งใหม่อย่าง HBM Base Die Design Engineer ในเกาหลีใต้

สื่ออธิบายว่า เดิมที HBM base die จะเน้นเฉพาะหน้าที่ รับ–ส่งข้อมูล (I/O) และ ฟังก์ชันหน่วยความจำ DRAM แต่ใน HBM4 รุ่นใหม่ จะผสานฟังก์ชันของ memory controller และระบบเซมิคอนดักเตอร์หลัก เข้าด้วยกัน ทำให้ Micron ต้องการวิศวกรที่มีความเชี่ยวชาญด้าน system-level design เพื่อพัฒนา HBM รุ่นปรับแต่งเฉพาะสำหรับลูกค้าแต่ละราย

นอกจากนี้ Hankyung ยังรายงานเพิ่มเติมว่า Micron ได้ส่งข้อเสนอไปถึงพนักงานของ บริษัทเซมิคอนดักเตอร์และอุปกรณ์จอแสดงผลต่างชาติที่ดำเนินงานในเกาหลีใต้ อีกด้วย

เดินเกมรุก HBM เต็มตัว

ปัจจุบัน Micron ได้เริ่มจัดส่ง HBM3E (รุ่นที่ 5) ให้กับ NVIDIA แล้ว แต่ยังคงตามหลังคู่แข่งอย่าง Samsung และ SK hynix ในด้านกำลังการผลิตและความเชี่ยวชาญเชิงออกแบบ เพื่อปิดช่องว่างนี้ บริษัทจึงเร่งขยายฐานการผลิต DRAM และ HBM ใน ไต้หวัน สหรัฐ ญี่ปุ่น และสิงคโปร์ พร้อมเดินหน้ากลยุทธ์ “ดึงคนเก่งทั่วโลก” อย่างจริงจัง

ในรายงานผลประกอบการล่าสุด Sanjay Mehrotra ซีอีโอของ Micron ระบุว่า ตลาด HBM มีแนวโน้มเติบโตแตะ 100,000 ล้านดอลลาร์สหรัฐภายในปี 2030 และชี้ว่าปัจจุบัน อัตราการเติบโตของ HBM แซงหน้า DRAM ทั่วไปแล้ว และจะยังคงเติบโตอย่างต่อเนื่องในปีหน้า

กล่าวโดยสรุป — Micron กำลังเร่งเกมเพื่อไม่ให้ตกขบวน AI
การดึงตัวบุคลากรระดับสูงจาก Samsung และ SK hynix ครั้งนี้สะท้อนให้เห็นชัดเจนว่า สงคราม HBM ได้เริ่มต้นขึ้นอย่างเต็มตัวแล้วในสนามเซมิคอนดักเตอร์โลก.

ที่มา: TrendForce