ตลาดหน่วยความจำ DRAM ทั่วโลกกำลังเผชิญกับความต้องการที่พุ่งสูงขึ้น อันเป็นผลมาจากการก่อสร้างโครงสร้างพื้นฐานด้าน AI ซึ่งกระแสนี้เห็นได้ชัดเจนเป็นพิเศษในส่วนของหน่วยความจำแบบ HBM (High Bandwidth Memory) ขณะเดียวกัน ความต้องการหน่วยความจำ DRAM ทั่วไป (general-purpose DRAM) ก็เพิ่มขึ้นอย่างต่อเนื่องเช่นกัน เมื่อรวมกับการขยายกำลังการผลิต HBM ที่เบียดพื้นที่การผลิตเวเฟอร์ของ DRAM ทั่วไป ทำให้แนวโน้ม “อุปทานไม่เพียงพอต่อความต้องการ” ชัดเจนมากขึ้น และส่งผลให้ราคาหน่วยความจำสำหรับผู้บริโภคทั่วไปเริ่มได้รับผลกระทบด้วย

สำนักข่าว Chosun Ilbo ของเกาหลีใต้รายงานว่า เนื่องจากมีความเป็นไปได้สูงที่ภาวะขาดแคลน DRAM ทั่วไปจะยืดเยื้อ บริษัทปลายน้ำในจีนและสหรัฐฯ บางรายจึงเริ่มทำ สัญญาซื้อขายระยะกลางถึงระยะยาว (2–3 ปี) กับสองยักษ์ใหญ่ของวงการอย่าง Samsung Electronics และ SK Hynix ซึ่งครองส่วนแบ่งตลาด DRAM โลกกว่า 70% โดยก่อนหน้านี้ สัญญาจัดหาส่วนใหญ่จะทำกันในรอบ รายไตรมาสหรือรายปีเท่านั้น การเปลี่ยนแปลงนี้สะท้อนให้เห็นว่าบริษัทผู้ใช้ปลายน้ำให้ความสำคัญกับ “การรักษาเสถียรภาพของซัพพลายระยะยาว” มากกว่าความยืดหยุ่นของสต็อกสินค้า

ด้วยความแตกต่างของอัตรากำไรและแนวโน้มอุปสงค์-อุปทาน ผู้ผลิต DRAM รายใหญ่จึงมุ่งขยายกำลังการผลิตไปที่ HBM มากกว่า DRAM ทั่วไป บางส่วนถึงขั้นปรับสายการผลิตจาก DRAM ทั่วไปไปผลิต HBM แทน ซึ่งหมายความว่า ตลาด DRAM ทั่วไปกำลังเผชิญกับภาวะที่ “ความต้องการเพิ่มขึ้น แต่กำลังการผลิตกลับลดลง” นั่นเอง

ที่มา: IT Home