Intel และ SoftBank ผ่านบริษัทร่วมทุน Saimemory กำลังพัฒนาเทคโนโลยีหน่วยความจำรูปแบบใหม่ เพื่อเป็นทางเลือกแทน HBM (High-Bandwidth Memory) ที่ใช้งานร่วมกับชิป AI ประสิทธิภาพสูงในปัจจุบัน

ภายในงาน VLSI 2026 เดือนมิถุนายนนี้ Saimemory เตรียมนำเสนอผลงานวิจัยเกี่ยวกับหน่วยความจำใหม่ชื่อ HB3DM ซึ่งพัฒนาบนเทคโนโลยี Z-Angle Memory (ZAM)

แนวคิดหลักของ ZAM คือการจัดเรียงชิปแบบซ้อนแนวตั้งตามแกน Z คล้าย HBM ทั่วไป แต่ใช้เทคโนโลยีการผลิตและการเชื่อมต่อขั้นสูงกว่า

HB3DM รุ่นแรกจะใช้โครงสร้างแบบ 9 ชั้น ประกอบด้วย

• ชั้นล่างสุดเป็น logic layer สำหรับจัดการการเคลื่อนย้ายข้อมูล
• ด้านบนเป็น DRAM อีก 8 ชั้น สำหรับเก็บข้อมูล

ทั้งหมดเชื่อมต่อกันด้วยเทคนิค hybrid bonding สำหรับการประกอบชิปแบบ 3D โดยแต่ละชั้นมี TSVs ประมาณ 13,700 จุด

ด้านความจุ

• หน่วยความจำแต่ละชั้นมีความจุประมาณ 1.125 GB
• รวมทั้งโมดูลได้ประมาณ 10 GB

แม้ความจุยังไม่สูงมาก แต่จุดเด่นหลักคือแบนด์วิดท์ที่สูงมาก

Intel ระบุว่า HB3DM สามารถให้แบนด์วิดท์ได้ประมาณ 0.25 Tb/s ต่อ mm² และสำหรับโมดูลขนาด 10 GB ที่ใช้ die area 171 mm² จะให้แบนด์วิดท์รวมราว 5.3 TB/s ต่อโมดูล

ตัวเลขนี้สูงกว่า HBM4 อย่างชัดเจน เพราะ HBM4 ในปัจจุบันมีแบนด์วิดท์ราว 2 TB/s ต่อ stack เท่านั้น หรือไม่ถึงครึ่งของ HB3DM

อย่างไรก็ตาม ข้อจำกัดของ HB3DM ตอนนี้คือความจุที่ยังต่ำ โดยรองรับเพียง 10 GB ต่อโมดูล ขณะที่ HBM4 สามารถขยายได้สูงสุดถึง 48 GB ต่อ stack

ในอนาคต Intel อาจเพิ่มจำนวนเลเยอร์เพื่อขยายความจุ แต่ในระยะนี้ HB3DM ถูกวางตำแหน่งเป็นผู้นำด้านแบนด์วิดท์มากกว่าความจุ

ขณะนี้ยังไม่มีข้อมูลว่า Saimemory จะเริ่มผลิตเชิงพาณิชย์เมื่อใด หรือ DRAM จะถูกผลิตโดยใคร

แต่จากการที่ Intel มีส่วนร่วมโดยตรง ก็มีความเป็นไปได้ว่า Intel อาจกลับเข้าสู่ธุรกิจผลิต DRAM อีกครั้งผ่านโรงงานของตนเอง แม้ยังไม่เปิดเผยว่าจะใช้โหนดใดก็ตาม

คาดว่าเมื่อเข้าใกล้งาน VLSI 2026 เราจะได้เห็นรายละเอียดเพิ่มเติมเกี่ยวกับ HB3DM และแผนธุรกิจของ Saimemory จากทั้ง Intel และ SoftBank มากขึ้น