ผู้ผลิตแรมจีนเริ่มใช้ชิป DDR5 ขนาด 24Gb ผลิตในประเทศ เปิดตัวชุดแรม 48GB ทางเลือกใหม่ที่ไม่ต้องพึ่ง Samsung, SK hynix และ Micron
อุตสาหกรรมหน่วยความจำของจีนกำลังก้าวไปอีกขั้น หลังผู้ผลิตแรมหลายรายเริ่มนำชิป DDR5 ขนาด 24Gb ที่ผลิตภายในประเทศมาใช้งานจริงในผลิตภัณฑ์เชิงพาณิชย์ ลดการพึ่งพาผู้ผลิตรายใหญ่ระดับโลกอย่าง Samsung, SK hynix และ Micron
รายงานระบุว่าแบรนด์จีนอย่าง Gloway และ KingBank ได้เปิดตัวชุดแรม DDR5 รุ่นใหม่ที่ใช้ชิปหน่วยความจำ 24Gb ซึ่งพัฒนาและผลิตในประเทศจีน โดยมุ่งเป้าไปยังผู้ใช้ที่ต้องการความจุมากกว่า 32GB แต่ไม่จำเป็นต้องขยับไปถึง 64GB
Gloway เปิดตัวแรม Longwu Yi Special Edition ขนาด 48GB
Gloway เปิดตัวชุดแรม Longwu Yi Special Edition DDR5 ความจุรวม 48GB ในรูปแบบ 2×24GB
สเปกประกอบด้วย
- ความเร็ว 6000 MT/s
- ค่า Timing CL36-38-38-80
- แรงดันไฟ 1.25V
- รองรับและปรับแต่งสำหรับแพลตฟอร์ม AMD โดยเฉพาะ
ตัวฮีตซิงก์ได้รับการออกแบบใหม่ พร้อมแผ่นระบายความร้อน Thermal Pad ประสิทธิภาพ 5W/mK เพื่อช่วยควบคุมอุณหภูมิขณะทำงาน
KingBank ส่ง Star Blade RGB ลงตลาด
อีกหนึ่งแบรนด์อย่าง KingBank ได้เปิดตัวแรม Star Blade RGB DDR5 ขนาด 48GB (2×24GB)
จุดเด่นประกอบด้วย
- ฮีตซิงก์อลูมิเนียมหนา 2 มม.
- วัสดุระบายความร้อนครอบคลุม PMIC
- ไฟ RGB สองด้าน
- LED จำนวน 16 ดวง
ทั้งสองรุ่นใช้การจัดเรียงชิปแบบ 8 Die โดยอาศัยชิป DDR5 ขนาด 24Gb ทำให้สามารถสร้างโมดูลความจุ 24GB ต่อแถวได้อย่างมีประสิทธิภาพ
ทางเลือกใหม่ระหว่าง 32GB และ 64GB
ก่อนหน้านี้แรม DDR5 ส่วนใหญ่ใช้ชิปขนาด 16Gb หรือ 32Gb ทำให้ความจุยอดนิยมอยู่ที่ 16GB หรือ 32GB ต่อโมดูล
การมาถึงของชิป 24Gb เปิดโอกาสให้ผู้ผลิตสามารถผลิตโมดูล 24GB ได้โดยตรง ส่งผลให้ชุดแรม 48GB กลายเป็นตัวเลือกใหม่สำหรับผู้ใช้งานระดับมืออาชีพ นักตัดต่อคอนเทนต์ หรือผู้สร้างงานด้าน AI ที่ต้องการหน่วยความจำมากกว่า 32GB แต่ไม่จำเป็นต้องลงทุนกับชุด 64GB ที่มีราคาสูงกว่า
ลดการพึ่งพาผู้ผลิตหน่วยความจำรายใหญ่
การเริ่มใช้งานชิป DDR5 ที่ผลิตในประเทศถือเป็นอีกก้าวสำคัญของอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์จีน เนื่องจากช่วยลดการพึ่งพาซัพพลายจาก Samsung, SK hynix และ Micron ซึ่งครองตลาดหน่วยความจำโลกมายาวนาน
แม้ผลกระทบต่อราคาตลาด DDR5 ทั่วโลกอาจยังไม่เกิดขึ้นในระยะสั้น แต่หากผู้ผลิตจีนสามารถเพิ่มกำลังการผลิตชิป DDR5 ความหนาแน่นสูงได้ในระดับอุตสาหกรรม ก็อาจช่วยเพิ่มการแข่งขันในตลาด ลดความเสี่ยงด้านซัพพลายเชน และสร้างแรงกดดันต่อราคาหน่วยความจำในอนาคตได้อย่างมีนัยสำคัญ
ที่มา: Wccftech
