SK hynix เตือนวิกฤตขาดแคลนหน่วยความจำอาจลากยาวถึงปี 2030! AI ดันความต้องการ DRAM และ HBM จนตลาดอาจไม่กลับสู่ภาวะปกติในเร็ววัน

SK hynix ประเมินว่าสถานการณ์หน่วยความจำขาดแคลนที่กำลังเกิดขึ้นในตลาดอาจลากยาวต่อเนื่องไปจนถึงช่วงสิ้นปี 2030 และในขณะนี้ยังไม่มีสัญญาณชัดเจนว่าความต้องการจะชะลอตัวลงในเร็ว ๆ นี้

Kwak Noh-Jung ซีอีโอของ SK hynix เปิดเผยเรื่องดังกล่าวหลังเข้าร่วมพิธีวางศิลาฤกษ์โรงงานแห่งใหม่ในรัฐอินเดียนา สหรัฐฯ โดยระบุว่า หากในอนาคตตลาดหน่วยความจำเริ่มเข้าสู่ภาวะผ่อนคลาย การเปลี่ยนแปลงน่าจะเกิดขึ้นอย่างค่อยเป็นค่อยไป มากกว่าจะเกิดการปรับตัวลงอย่างรุนแรงเหมือนที่ตลาดหน่วยความจำเคยประสบในอดีต

ก่อนหน้านี้ SK hynix เคยคาดการณ์ว่าตลาด Commodity DRAM จะเผชิญภาวะอุปทานตึงตัวต่อเนื่องไปจนถึงปี 2028 แต่คำกล่าวล่าสุดของซีอีโอสะท้อนว่าปัญหาอาจยืดเยื้อออกไปอีกอย่างน้อย 2 ปี และอาจต่อเนื่องไปถึง ปลายทศวรรษนี้

AI เปลี่ยนตลาดหน่วยความจำ จากสินค้าโภคภัณฑ์สู่ชิ้นส่วนเฉพาะทาง

เหตุผลสำคัญที่ SK hynix มองว่าภาวะขาดแคลนครั้งนี้แตกต่างจากวัฏจักรที่ผ่านมา คือโครงสร้างตลาดหน่วยความจำกำลังเปลี่ยนไปจากเดิม

การเติบโตของ AI และศูนย์ข้อมูล ทำให้ลูกค้าจำนวนมากต้องการหน่วยความจำที่มีคุณสมบัติเฉพาะมากขึ้น ไม่ว่าจะเป็น Customized DRAM หรือหน่วยความจำแบนด์วิดท์สูงอย่าง HBM (High Bandwidth Memory) ซึ่งถูกใช้อย่างหนักในระบบ AI Accelerator และ GPU สำหรับงานประมวลผล AI

เมื่อความต้องการเปลี่ยนจากชิปหน่วยความจำแบบมาตรฐานไปเป็นผลิตภัณฑ์ที่ออกแบบให้ตรงกับความต้องการของลูกค้า ผู้ผลิตจึงสามารถคาดการณ์อุปสงค์ล่วงหน้าได้ง่ายขึ้น และมีโอกาสเกิดภาวะผลิตล้นตลาดแบบฉับพลันน้อยลง

ในอดีต ตลาด DRAM เคยผ่านวัฏจักรราคาขึ้นลงอย่างรุนแรง โดยเฉพาะช่วงที่ผู้ผลิตเพิ่มกำลังการผลิตมากเกินไปจนเกิด Oversupply ส่งผลให้ราคาหน่วยความจำร่วงลงอย่างรวดเร็วและกระทบต่อผลประกอบการของผู้ผลิต

แต่ SK hynix มองว่าตลาดยุค AI อาจแตกต่างออกไป เพราะความต้องการ HBM และหน่วยความจำแบบเฉพาะทางมีแนวโน้มถูกผูกเข้ากับแผนการผลิตของลูกค้าโดยตรง ทำให้ความผันผวนของตลาดลดลง

โรงงาน Indiana ไม่ได้เพิ่มกำลังผลิตเวเฟอร์

สำหรับโรงงานแห่งใหม่ของ SK hynix ในรัฐ Indiana สหรัฐฯ แม้จะเป็นโครงการขนาดใหญ่ แต่ไม่ได้หมายความว่าบริษัทจะเพิ่มกำลังการผลิตเวเฟอร์โดยตรง

โรงงานแห่งนี้เป็นศูนย์สำหรับ การแพ็กเกจและทดสอบหน่วยความจำ (Packaging & Testing) โดยเวเฟอร์จะยังคงผลิตในประเทศเกาหลีใต้ ก่อนจัดส่งมายังสหรัฐฯ เพื่อเข้าสู่กระบวนการแพ็กเกจสำหรับผลิตภัณฑ์อย่าง HBM4E

SK hynix ระบุว่าโรงงานดังกล่าวมีแผนเริ่มดำเนินงานในส่วนของ Cleanroom ช่วงครึ่งหลังของปี 2028 และตั้งเป้าเริ่ม การผลิตในปริมาณมาก (Volume Production) ในไตรมาสที่ 3 ปี 2029

ดังนั้น โรงงานแห่งนี้จะช่วยขยายขีดความสามารถด้านการประกอบและแพ็กเกจ HBM ในสหรัฐฯ รวมถึงสนับสนุนห่วงโซ่อุปทานของตลาด AI ในประเทศ แต่ไม่ได้เพิ่มจำนวนเวเฟอร์ DRAM ที่ผลิตได้โดยตรง

ผู้ใช้ทั่วไปอาจต้องเจอราคาหน่วยความจำสูงไปอีกหลายปี

สำหรับตลาดผู้บริโภค คำเตือนของ SK hynix ถือเป็นสัญญาณที่น่าจับตามองอย่างมาก เพราะหากภาวะอุปทานตึงตัวลากยาวจริง ผลกระทบจะไม่ได้จำกัดอยู่แค่เซิร์ฟเวอร์หรือชิป AI เท่านั้น

ทั้ง DRAM สำหรับ PC, NAND Flash, หน่วยความจำกราฟิกบน GPU รวมถึงหน่วยความจำในเครื่องเกมคอนโซล ล้วนมีโอกาสได้รับผลกระทบจากต้นทุนและข้อจำกัดด้านกำลังการผลิต

นั่นหมายความว่าในช่วงหลายปีข้างหน้า ผู้บริโภคอาจไม่ได้เห็นการลดลงของราคาหน่วยความจำอย่างรวดเร็วเหมือนในวัฏจักรที่ผ่านมา และแม้ตลาดจะเริ่มผ่อนคลาย ราคาก็อาจลดลงอย่างช้า ๆ มากกว่าจะเกิดการดิ่งลงครั้งใหญ่

กล่าวง่าย ๆ คือ วิกฤต DRAM ที่กำลังเกิดขึ้นอาจไม่ใช่ปัญหาระยะสั้นอีกต่อไป แต่กำลังกลายเป็นการเปลี่ยนแปลงเชิงโครงสร้างของตลาดหน่วยความจำที่อาจส่งผลต่อเนื่องไปจนถึงปี 2030

โดยเฉพาะการเติบโตอย่างต่อเนื่องของ AI ที่กำลังดูดซับกำลังการผลิตหน่วยความจำระดับสูงจำนวนมหาศาล ทำให้ผู้ผลิตให้ความสำคัญกับ HBM และผลิตภัณฑ์เฉพาะทางมากขึ้น ซึ่งอาจทำให้ตลาดหน่วยความจำสำหรับผู้บริโภคต้องเผชิญกับอุปทานที่ตึงตัวและต้นทุนที่สูงต่อไปอีกหลายปี

ที่มา: TechPowerUp