หลุดข้อมูล Samsung 990 SSD รุ่นใหม่ คาดใช้ QLC NAND ความเร็วอ่านสูงสุด 7,250 MB/s

มีข้อมูลของ Samsung 990 SSD รุ่นใหม่หลุดออกมาบนเว็บไซต์ Samsung ประเทศแคนาดา ก่อนที่บริษัทจะลบข้อมูลดังกล่าวออกในเวลาต่อมา โดยคาดว่า SSD รุ่นนี้จะเข้ามาทำตลาดระดับคุ้มค่า (Value Segment) ในกลุ่มไดรฟ์ M.2 NVMe PCIe Gen4 ของ Samsung

แม้ชื่อจะคล้ายกับ Samsung 990 EVO Plus แต่ SSD รุ่นใหม่นี้เป็นผลิตภัณฑ์คนละรุ่น โดยมีความแตกต่างทั้งด้านคอนโทรลเลอร์และประเภทของหน่วยความจำ NAND Flash

จากข้อมูลที่ปรากฏ Samsung 990 จะใช้การเชื่อมต่อ PCIe 4.0 x4 แบบเต็ม ต่างจาก 990 EVO Plus ที่รองรับทั้ง PCIe 4.0 x4 และ PCIe 5.0 x2 ขณะที่ตัวไดรฟ์ยังคงเป็นแบบ DRAM-less และใช้คอนโทรลเลอร์ที่ Samsung พัฒนาขึ้นเอง

อีกจุดที่น่าสนใจคือค่า TBW (Terabytes Written) ที่ต่ำกว่า 990 EVO Plus ซึ่งใช้หน่วยความจำ TLC NAND ทำให้มีความเป็นไปได้สูงว่า Samsung 990 จะเปลี่ยนมาใช้ QLC NAND Flash เพื่อลดต้นทุนและเจาะตลาดผู้ใช้งานทั่วไป

สำหรับความทนทานในการเขียนข้อมูล รุ่นความจุ 1TB มีค่า 400 TBW ส่วนรุ่น 2TB อยู่ที่ 800 TBW

แม้จะเป็น SSD ระดับคุ้มค่า แต่ด้านประสิทธิภาพยังอยู่ในระดับสูงของมาตรฐาน PCIe Gen4 โดยรุ่น 2TB มีความเร็วอ่านแบบ Sequential สูงสุด 7,250 MB/s ส่วนรุ่น 1TB อยู่ที่ 7,150 MB/s ขณะที่ทั้งสองรุ่นรองรับความเร็วเขียนแบบ Sequential สูงสุด 6,450 MB/s

จนถึงขณะนี้ Samsung ยังไม่ได้ประกาศเปิดตัว Samsung 990 อย่างเป็นทางการ แต่การที่ข้อมูลปรากฏบนเว็บไซต์ของบริษัท บ่งชี้ว่าการเปิดตัวอาจเกิดขึ้นในเร็ว ๆ นี้ เพื่อเสริมทัพผลิตภัณฑ์ SSD ระดับเริ่มต้นและระดับกลางของบริษัท

ที่มา: VideoCardz