Elon Musk มองจีนเก่งที่สุดในโลกด้านการผลิตจำนวนมหาศาล แต่ยังอาจติดโจทย์ยากอย่าง HBM และชิปหน่วยความจำ 3D

Elon Musk ซีอีโอของ Tesla และ SpaceX แสดงความคิดเห็นเกี่ยวกับความก้าวหน้าของอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์จีน โดยมองว่า เมื่อจีนสามารถพัฒนาเทคโนโลยีการผลิตจนลงตัวแล้ว ความสามารถในการขยายกำลังผลิตของจีนอาจเหนือกว่าประเทศอื่น ๆ ในโลกรวมกัน แต่สำหรับชิปหน่วยความจำยุคใหม่อย่าง HBM และสถาปัตยกรรมการซ้อนชิปแบบ 3D นั้น เขาเชื่อว่ายังมีโจทย์ทางเทคนิคที่แก้ไขได้ยากกว่ามาก

ความคิดเห็นดังกล่าวถูกโพสต์ผ่านแพลตฟอร์ม X เมื่อวันที่ 13 ตุลาคม 2026 หลังมีการพูดถึงความก้าวหน้าของ ChangXin Memory Technologies (CXMT) ผู้ผลิตชิปหน่วยความจำรายใหญ่จากจีน ซึ่งกำลังเร่งพัฒนาเทคโนโลยี DRAM รุ่นใหม่เพื่อแข่งขันกับ Samsung, SK hynix และ Micron ในตลาดโลก
 

จีนขึ้นชื่อเรื่องการขยายกำลังผลิต Musk ยกตัวอย่างแบตเตอรี่และโซลาร์เซลล์

Musk มองว่าจุดแข็งสำคัญของจีนไม่ได้มีเพียงการพัฒนาเทคโนโลยี แต่รวมถึงความสามารถในการนำเทคโนโลยีที่พัฒนาจนใช้งานได้จริงไปขยายกำลังผลิตในระดับมหาศาล โดยเขายกตัวอย่างอุตสาหกรรมแบตเตอรี่ลิเธียมและแผงโซลาร์เซลล์ ซึ่งจีนสามารถสร้างห่วงโซ่อุปทานและกำลังการผลิตขนาดใหญ่ได้อย่างมีประสิทธิภาพ

อย่างไรก็ตาม Musk มองว่า SpaceX เป็นหนึ่งในข้อยกเว้นที่น่าสนใจ เพราะบริษัทของเขาสามารถขนส่งน้ำหนักบรรทุกขึ้นสู่วงโคจรได้ในระดับที่จีนยังแข่งขันได้ยาก โดยภารกิจจำนวนมากของ SpaceX เกี่ยวข้องกับการปล่อยดาวเทียม Starlink เพื่อให้บริการอินเทอร์เน็ตทั่วโลก

เมื่อหันมาพิจารณาตลาดชิปหน่วยความจำ Musk ยังไม่ได้มองว่าจีนจะประสบความสำเร็จในการผลิตทุกประเภทได้ง่ายดาย แต่เขาเชื่อว่าหน่วยความจำมาตรฐานอย่าง LPDDR5 และ LPDDR6 อาจเป็นกลุ่มผลิตภัณฑ์ที่จีนไล่ตามได้รวดเร็ว เนื่องจากเทคโนโลยีเหล่านี้พัฒนาบนมาตรฐานที่ผู้ผลิตสามารถนำไปปรับใช้ร่วมกันได้
 

CXMT เร่งพัฒนา DRAM แบบ 4F² หวังบุกตลาดหน่วยความจำเซิร์ฟเวอร์

ความเห็นของ Musk เกิดขึ้นในช่วงที่ CXMT กำลังผลักดันสถาปัตยกรรมหน่วยความจำ DRAM แบบ 4F² ซึ่งออกแบบมาเพื่อลดพื้นที่ที่เซลล์หน่วยความจำแต่ละเซลล์ใช้บนชิป เมื่อเทียบกับโครงสร้าง 6F² ที่ใช้กันอย่างแพร่หลายในอุตสาหกรรม

โดยหลักการแล้ว การลดพื้นที่ของเซลล์หน่วยความจำช่วยให้สามารถบรรจุเซลล์ได้มากขึ้นภายในพื้นที่เท่าเดิม เพิ่มความหนาแน่นในการจัดเก็บข้อมูล และเปิดโอกาสให้ผู้ผลิตพัฒนาชิปที่มีความจุสูงขึ้นได้

เมื่อวันที่ 10 ตุลาคมที่ผ่านมา Cao Kanyu ประธานของ CXMT เปิดเผยความคืบหน้าของเทคโนโลยีดังกล่าว พร้อมระบุว่าบริษัทตั้งเป้าพัฒนาหน่วยความจำ DDR5 RDIMM สำหรับเซิร์ฟเวอร์โดยใช้สถาปัตยกรรม 4F² และมีแผนเปิดตัวภายในสิ้นปี 2026

เทคโนโลยีนี้ยังเกี่ยวข้องกับการผลิตโครงสร้างหน่วยความจำและวงจรส่วนควบคุมแยกจากกัน ก่อนเชื่อมต่อเข้าด้วยกันด้วยเทคนิค Hybrid Bonding ซึ่งช่วยให้สามารถเชื่อมต่อชั้นวงจรผ่านหน้าสัมผัสขนาดเล็กมากได้ อย่างไรก็ตาม การตั้งเป้าเปิดตัวผลิตภัณฑ์ยังไม่ใช่หลักฐานว่าบริษัทพร้อมผลิตในปริมาณมหาศาลด้วยอัตราผลิตชิปที่ดีและเสถียรแล้ว

HBM และการซ้อนชิป 3D คือความท้าทายที่ใหญ่กว่า

แม้จีนจะมีความคืบหน้าในหน่วยความจำมาตรฐาน แต่ Musk มองว่าเทคโนโลยีหน่วยความจำขั้นสูงยังมีอุปสรรคอีกมาก โดยเฉพาะ HBM หรือ High Bandwidth Memory ซึ่งเป็นหน่วยความจำแบนด์วิดท์สูงที่มีบทบาทสำคัญต่อ GPU สำหรับ AI และระบบประมวลผลในดาต้าเซ็นเตอร์

ความยากไม่ได้อยู่เพียงการสร้างชิปที่ทำงานได้ แต่รวมถึงการพัฒนากระบวนการผลิต การเชื่อมต่อชิปหลายชั้น การจัดการพลังงาน และการระบายความร้อน เมื่อส่วนประกอบต่าง ๆ ถูกนำมารวมกันในพื้นที่จำกัดมากขึ้น

Musk ยังกล่าวถึงแนวทางการรวมหน่วยความจำเข้ากับชิปประมวลผลโดยตรง เช่น การจัดวางหน่วยความจำไว้ใต้ส่วนประมวลผลหรือวงจรลอจิก ตลอดจนการซ้อนชิปหน่วยความจำในแนวตั้งเหนือชิปประมวลผล ซึ่งทั้งหมดนี้อาจช่วยลดระยะทางในการส่งข้อมูล เพิ่มแบนด์วิดท์ และลดข้อจำกัดด้านการรับส่งข้อมูลระหว่างหน่วยความจำกับหน่วยประมวลผล แต่ก็ทำให้การจัดการความร้อนและการออกแบบระบบซับซ้อนขึ้นตามไปด้วย

อีกหนึ่งพัฒนาการที่น่าจับตาคือ Naura ผู้ผลิตอุปกรณ์สำหรับอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ของจีน ซึ่งรายงานความก้าวหน้าด้านกระบวนการกัดชั้นวัสดุสำหรับโครงสร้าง 3D DRAM ที่ประกอบด้วยชั้นซิลิคอน (Si) และซิลิคอนเจอร์เมเนียม (SiGe) รวม 64 ชั้น โดยการทดลองในระดับห้องปฏิบัติการแสดงให้เห็นความสามารถในการควบคุมการกัดวัสดุและลดการสูญเสียของชั้นซิลิคอน

อย่างไรก็ตาม ความสำเร็จในระดับการทดลองยังไม่ได้หมายความว่าเทคโนโลยีดังกล่าวพร้อมเข้าสู่สายการผลิตเชิงพาณิชย์ หรือได้รับการนำไปใช้จริงในผลิตภัณฑ์ของ CXMT แล้ว
 

จีนอาจผลิตได้เร็ว แต่จะก้าวขึ้นเป็นผู้นำหน่วยความจำขั้นสูงได้หรือไม่?

ความคิดเห็นของ Musk สะท้อนให้เห็นถึงความแตกต่างระหว่างความสามารถในการผลิตสินค้าในปริมาณมหาศาลกับความสามารถในการพัฒนาเทคโนโลยีเซมิคอนดักเตอร์ที่มีความซับซ้อนสูง

จีนกำลังเร่งลดการพึ่งพาเทคโนโลยีจากต่างประเทศ และ CXMT ก็เริ่มขยับจากตลาดหน่วยความจำสำหรับอุปกรณ์ทั่วไปเข้าสู่ตลาดเซิร์ฟเวอร์ที่มีมูลค่าสูงขึ้น แต่การจะก้าวขึ้นมาแข่งขันในตลาด HBM อย่างจริงจังยังต้องอาศัยความก้าวหน้าทั้งด้านการผลิตชิป การซ้อนชิป การเชื่อมต่อ และการควบคุมคุณภาพในการผลิตจำนวนมาก

ท้ายที่สุด คำถามสำคัญจึงไม่ใช่เพียงว่าจีนจะผลิตชิปหน่วยความจำได้หรือไม่ แต่คือจีนจะสามารถผลิตชิปเหล่านั้นได้ด้วยประสิทธิภาพ อัตราผลิตชิปที่ผ่านมาตรฐาน และต้นทุนที่แข่งขันกับผู้ผลิตชั้นนำของโลกได้มากเพียงใด ซึ่งเป็นสิ่งที่ต้องติดตามจากผลิตภัณฑ์จริงและผลการผลิตในระยะต่อไป

ที่มา: Wccftech