โรดแมปของ SK hynix เผยแผนพัฒนาเทคโนโลยีใหม่ ได้แก่ GDDR7-Next, HBM5 และ SSD มาตรฐาน PCIe Gen7 เตรียมเปิดตัวระหว่างปี 2029

SK hynix เผยโรดแมปหน่วยความจำระยะยาว ในงาน SK AI Summit 2025
โดยยืนยันว่าเทคโนโลยีรุ่นถัดไปอย่าง GDDR7-Next, HBM5, และ SSD มาตรฐาน PCIe Gen7 จะยังไม่เปิดตัวก่อนช่วงปี 2029–2031 ซึ่งถือเป็นเฟสต่อไปหลังยุคของ GDDR7, HBM4 และ PCIe Gen6 ที่กำลังจะมาถึงในช่วงปี 2026–2028

ช่วงปี 2026–2028: HBM4, LPDDR6 และ PCIe Gen6

ในเฟสแรก (2026–2028) SK hynix เตรียมเปิดตัวหน่วยความจำความเร็วสูงตระกูล HBM4 แบบ 16-Hi Stack และรุ่น HBM4E ในแบบ 8, 12 และ 16-Hi รวมถึงดีไซน์ HBM4E แบบปรับแต่งเฉพาะ (Custom HBM4E)

สำหรับ DRAM ทั่วไป (Conventional DRAM) จะนำโดย LPDDR6
ส่วนสาย AI-D ที่เน้นงานประมวลผล AI จะรวมเทคโนโลยีอย่าง

LPDDR5X SoC-AMM2
MRDIMM Gen2
LPDDR5R
และ CXL LPDDR6-PIM รุ่นที่ 2

ในด้าน NAND บริษัทวางแผนเปิดตัว

PCIe Gen5 eSSD ความจุสูงกว่า 245TB+ (ใช้ QLC NAND)
PCIe Gen6 eSSD (สำหรับองค์กร) และ cSSD (สำหรับผู้ใช้ทั่วไป)
รวมถึง UFS 5.0 และผลิตภัณฑ์ตระกูล AI-N รุ่นแรก

ช่วงปี 2029–2031: HBM5/E, GDDR7-Next และ PCIe Gen7

ในช่วงปี 2029–2031 จะเป็นช่วงที่เทคโนโลยีใหม่อย่าง GDDR7-Next เริ่มปรากฏขึ้น
โดย GDDR7-Next จะอยู่เหนือ GDDR7 รุ่นปัจจุบันที่มีความเร็ว 30–32Gbps และมีเพดานที่ 48Gbps
จังหวะเวลานี้บ่งชี้ว่า ผู้ผลิต GPU น่าจะยังใช้ GDDR7 ต่อไปอีกหลายปี ก่อนจะเปลี่ยนผ่านไปสู่รุ่นต่อไป

นอกจากนี้ SK hynix ยังวางแผนเปิดตัว DDR6 และ 3D DRAM ในช่วงเวลาเดียวกัน
ซึ่งคาดว่าจะเป็นจุดเริ่มต้นที่พีซีและเซิร์ฟเวอร์จะเริ่มเปลี่ยนผ่านจาก DDR5 ไปสู่ยุคถัดไป

HBM ยังคงพัฒนาอย่างต่อเนื่อง

หลังจาก HBM4E และรุ่น Custom เสร็จสิ้น SK hynix จะเปิดตัว

HBM5 และ HBM5E (รวมถึงรุ่น Custom ทั้งคู่) ในช่วงปี 2029–2031

โดยดีไซน์ Custom จะย้ายวงจรควบคุม (Controller) และโปรโตคอล (Protocol IP) ลงไปไว้ใน base die เพื่อลดพื้นที่บน GPU/ASIC และลดการใช้พลังงานของอินเทอร์เฟซ — ซึ่งในส่วนนี้ TSMC จะเป็นพันธมิตรด้านการผลิต base die ให้