SK hynix เริ่มส่งตัวอย่าง HBM4E แล้ว เร็วสูงสุด 16 Gbps ความจุ 48GB เตรียมขับเคลื่อน AI รุ่นถัดไปของ NVIDIA และ AMD
SK hynix ประกาศเริ่มจัดส่งตัวอย่างหน่วยความจำ HBM4E รุ่นใหม่ให้กับลูกค้ารายใหญ่แล้ว ถือเป็นอีกก้าวสำคัญในการแข่งขันกับ Samsung ในตลาดหน่วยความจำประสิทธิภาพสูงสำหรับ AI และศูนย์ข้อมูลยุคใหม่
HBM4E ถูกพัฒนาขึ้นเพื่อตอบโจทย์ชิป AI รุ่นถัดไป โดยเฉพาะแพลตฟอร์มอย่าง NVIDIA Rubin Ultra และ AMD Instinct MI500 ที่คาดว่าจะเป็นกำลังหลักของตลาด AI ในอนาคต และสร้างความต้องการหน่วยความจำแบนด์วิดท์สูงในระดับมหาศาล
ก่อนหน้านี้ในงาน Computex 2026 ทาง SK hynix ได้เผยโฉม HBM4E ที่มาพร้อมความจุสูงสุด 48GB และความเร็วสูงสุด 16 Gbps ต่อพิน ขณะที่ Samsung ก็ได้นำเทคโนโลยี HBM4E และ HBM5 ของตนมาแสดงเช่นกัน
HBM4E รุ่นใหม่ของ SK hynix ใช้การจัดเรียงชิปแบบ 12 ชั้น (12-Hi Stack) โดยมีจุดเด่นสำคัญดังนี้
- ความเร็วรับส่งข้อมูลสูงสุด 16 Gbps ต่อพิน
- ประสิทธิภาพการใช้พลังงานดีขึ้นมากกว่า 20% เมื่อเทียบกับรุ่นก่อนหน้า
- ลดค่าหน่วงเวลา (Latency) ในการรับส่งข้อมูล
- รองรับงาน AI Training และ AI Inference ที่มีปริมาณข้อมูลมหาศาล
- ความจุสูงสุด 48GB ต่อแพ็กเกจ
SK hynix ระบุว่าบริษัทใช้เทคโนโลยี Advanced MR-MUF เพื่อเพิ่มความหนาแน่นของชิปและรักษาเสถียรภาพของโครงสร้างในรูปแบบ 12 ชั้น พร้อมปรับปรุงความสามารถในการระบายความร้อนให้ดีขึ้นถึง 17% เมื่อเทียบกับ HBM4 รุ่นมาตรฐาน ทำให้เหมาะสำหรับระบบประมวลผลสมรรถนะสูงและศูนย์ข้อมูล AI ขนาดใหญ่
บริษัทเผยว่าสามารถส่งมอบตัวอย่าง HBM4E ได้ตามกำหนดเวลา เนื่องจากประสบการณ์ที่สั่งสมมาจากการผลิต HBM3, HBM3E และ HBM4 ในปริมาณมาก พร้อมเดินหน้าทำงานร่วมกับลูกค้าเพื่อเตรียมการผลิตเชิงพาณิชย์ในอนาคต
การแข่งขันในตลาด HBM กำลังร้อนแรงขึ้นเรื่อย ๆ เมื่อผู้ผลิตหน่วยความจำรายใหญ่ต่างเร่งพัฒนาเทคโนโลยีรองรับยุค AI ซึ่ง HBM4E จะกลายเป็นหัวใจสำคัญในการลดคอขวดด้านหน่วยความจำของระบบ AI รุ่นใหม่ในอีกไม่กี่ปีข้างหน้า
ที่มา: Wccftech
