แรม DRAM ไตรมาส 4 จ่อขึ้นอีก 20%! CXMT เร่งพัฒนา 4F² แต่ยังผลิตยาก ขณะที่ NVIDIA อาจลด HBM ต่อ GPU เพื่อเร่งส่งมอบชิป AI

วิกฤตราคา RAM ทั่วโลกยังไม่มีสัญญาณคลี่คลาย แม้ตลาดเริ่มกังวลว่าการพัฒนาเทคโนโลยีหน่วยความจำของจีนอาจเข้ามาเพิ่มการแข่งขันในอนาคต ขณะที่ผู้ผลิตชิป AI ก็กำลังพิจารณาปรับลดความจุหน่วยความจำ HBM ต่อ GPU เพื่อเพิ่มจำนวนชิปที่สามารถผลิตได้ภายใต้ข้อจำกัดด้านอุปทาน

รายงานจาก Commercial Times ที่อ้างอิงข้อมูลนักลงทุนสถาบันระบุว่า ราคาสัญญาซื้อขาย DRAM ทั่วไปในไตรมาส 4 ปี 2026 มีแนวโน้มเพิ่มขึ้นประมาณ 20% เมื่อเทียบกับไตรมาสก่อน แม้จะชะลอลงจากการปรับขึ้นประมาณ 80% ในไตรมาส 2 และ 40% ในไตรมาส 3 ก็ตาม

ปัจจัยสำคัญมาจากฐานราคาที่สูงขึ้น กำลังซื้อของผู้ผลิตคอมพิวเตอร์และสมาร์ตโฟนที่เริ่มมีข้อจำกัด รวมถึงเงื่อนไขเพดานราคาบางส่วนในสัญญาจัดซื้อระยะยาว (Long-Term Agreements: LTAs) ที่เริ่มมีผลมากขึ้น

อย่างไรก็ตาม ความต้องการหน่วยความจำสำหรับ AI Inference ยังคงขยายตัวต่อเนื่อง โดยเฉพาะงานที่ต้องประมวลผลข้อมูลจำนวนมากและเก็บบริบทของ AI ไว้ในหน่วยความจำ ทำให้ผู้ผลิตหน่วยความจำรายใหญ่ยังมีแรงจูงใจที่จะให้ความสำคัญกับผลิตภัณฑ์ระดับสูงที่มีมูลค่าต่อหน่วยมากกว่า

CXMT เปิดความคืบหน้า DRAM สถาปัตยกรรม 4F² แต่ยังไม่พร้อมผลิตจำนวนมาก

หนึ่งในประเด็นที่ตลาดจับตาคือ CXMT ผู้ผลิต DRAM รายใหญ่ของจีน ซึ่งเปิดเผยความคืบหน้าในการพัฒนาเซลล์หน่วยความจำ DRAM สถาปัตยกรรม 4F² ที่อาจช่วยเพิ่มความหนาแน่นของการจัดเก็บข้อมูลเมื่อเทียบกับโครงสร้าง 6F² ที่ใช้งานกันอย่างแพร่หลายในปัจจุบัน

ตามการประเมินที่ Commercial Times รายงาน หากพิจารณาเฉพาะพื้นที่เซลล์หน่วยความจำ สถาปัตยกรรม 4F² อาจลดพื้นที่ของเซลล์ลงได้ประมาณ 33% เมื่อเทียบกับ 6F²

ในทางทฤษฎี เซลล์ที่มีขนาดเล็กลงอาจทำให้ผู้ผลิตสามารถจัดวางเซลล์หน่วยความจำได้หนาแน่นขึ้นบนพื้นที่เวเฟอร์เท่าเดิม แต่ไม่ได้หมายความว่าปริมาณบิตที่ผลิตได้จริงจะเพิ่มขึ้นในสัดส่วนเดียวกัน เพราะยังมีข้อจำกัดด้านวงจรประกอบ โครงสร้างทรานซิสเตอร์ กระบวนการผลิต และอัตราผลผลิตที่ผ่านเกณฑ์

รายงานจาก MoneyToday ระบุว่า ความคืบหน้าของ CXMT ยังไม่ได้ทำให้ราคาหน่วยความจำ DRAM ในตลาดสปอตลดลงอย่างมีนัยสำคัญ โดยราคายังคงปรับตัวสูงขึ้น ขณะที่แหล่งข่าวในอุตสาหกรรมมองว่าการผลิตจำนวนมากด้วยเทคโนโลยี 4F² ยังต้องแก้ปัญหาหลายด้าน ทั้งอัตราผลผลิต กระแสไฟรั่ว และความสามารถในการเก็บรักษาข้อมูล

อีกประเด็นที่ยังไม่ชัดเจนคือเทคโนโลยี 4F² ที่ CXMT เปิดเผยนั้นครอบคลุมโครงสร้างเซลล์ DRAM ทั้งหมดหรือใช้กับบางส่วนของการออกแบบเท่านั้น ข้อมูลปัจจุบันจึงยังไม่เพียงพอที่จะสรุปว่าจะช่วยลดต้นทุน DRAM ได้มากเพียงใดเมื่อผลิตในเชิงพาณิชย์

การนำเทคโนโลยีนี้ไปผลิตในปริมาณมากยังต้องใช้เวลา และมีการประเมินว่าการใช้งานเชิงพาณิชย์อย่างเต็มรูปแบบอาจต้องรอหลังปี 2028 <Cite refs={["turn202641search2","turn202641search5"]}/>

Apple และ Tesla อาจหันมามองผู้ผลิตหน่วยความจำจีน แต่ยังลดราคาได้ยาก

เมื่อราคา DRAM และ NAND Flash สูงขึ้น บริษัทเทคโนโลยีรายใหญ่ก็เริ่มพิจารณาทางเลือกในการจัดหาชิ้นส่วนเพิ่มขึ้น โดยรายงานจาก Chosun Biz ระบุว่า บริษัทอย่าง Apple และ Tesla มีการพิจารณาความเป็นไปได้ในการจัดซื้อหน่วยความจำจากผู้ผลิตจีน เช่น CXMT และ YMTC

หากผู้ผลิตจีนสามารถเพิ่มปริมาณสินค้าและผ่านข้อกำหนดด้านคุณภาพของลูกค้ารายใหญ่ได้ ก็อาจเป็นอีกทางเลือกสำหรับบริษัทที่ต้องการกระจายความเสี่ยงจากการพึ่งพาผู้ผลิตหน่วยความจำเพียงไม่กี่ราย

แต่ในระยะสั้น ยังไม่มีหลักฐานเพียงพอว่าการเข้ามาของผู้ผลิตจีนจะกดดันราคาหน่วยความจำทั่วโลกได้มากนัก เพราะยังมีข้อจำกัดด้านปริมาณการผลิต ความสามารถในการแข่งขันด้านราคา และตลาดที่สามารถจำหน่ายสินค้าได้

นอกจากนี้ การนำชิปหน่วยความจำเข้าสู่ห่วงโซ่อุปทานของผู้ผลิตระดับโลกต้องผ่านกระบวนการตรวจสอบและรับรองผลิตภัณฑ์ ซึ่งไม่ได้เกิดขึ้นได้ทันทีแม้ผู้ผลิตจะมีเทคโนโลยีใหม่แล้วก็ตาม

ดังนั้น ความคืบหน้าของ CXMT จึงเป็นสัญญาณของการแข่งขันในระยะยาว มากกว่าจะเป็นปัจจัยที่ทำให้ราคา RAM ลดลงทันทีในช่วงปลายปี 2026

NVIDIA อาจเปลี่ยน HBM จาก 12-Hi เป็น 8-Hi เพื่อผลิต GPU ได้มากขึ้น

อีกประเด็นสำคัญของวิกฤตหน่วยความจำคือการที่ผู้ผลิตชิป AI อาจต้องปรับสเปกผลิตภัณฑ์เพื่อให้สอดคล้องกับปริมาณ HBM ที่มีอยู่

รายงานจาก Commercial Times ระบุว่า มีการพิจารณาความเป็นไปได้ในการเปลี่ยน NVIDIA Rubin Ultra จาก HBM แบบซ้อน 12 ชั้น หรือ 12-Hi เป็นแบบ 8 ชั้น หรือ 8-Hi โดยสมมติว่าจำนวนชุด HBM ต่อ GPU และความจุของ DRAM แต่ละชั้นยังคงเดิม

การเปลี่ยนแปลงนี้จะทำให้ความจุ HBM ต่อ GPU ลดลงประมาณ 33% แต่ในทางทฤษฎี หากใช้ DRAM Die ชุดเดียวกัน ก็จะสามารถรองรับการผลิต GPU ได้มากขึ้นประมาณ 50%

ตัวอย่างเช่น หากปริมาณ DRAM ที่มีอยู่เพียงพอสำหรับผลิต GPU จำนวน 100 ตัวในรูปแบบ 12-Hi การเปลี่ยนเป็น 8-Hi อาจช่วยให้รองรับ GPU ได้มากถึง 150 ตัว โดยแลกกับความจุ HBM ต่อ GPU ที่ลดลง

อย่างไรก็ตาม นี่เป็นการคำนวณภายใต้สมมติฐานด้านจำนวนชั้นและปริมาณชิปที่ใช้ ไม่ใช่การยืนยันว่า NVIDIA ได้ตัดสินใจเปลี่ยนสเปก Rubin Ultra แล้ว และการเพิ่มจำนวน GPU ก็ยังขึ้นอยู่กับความพร้อมของส่วนประกอบอื่นในแพ็กเกจด้วย

สำหรับระบบ AI ขนาดใหญ่ การลดความจุ HBM อาจมีผลต่อการกำหนดค่าระบบและงานที่ต้องใช้หน่วยความจำจำนวนมาก โดยเฉพาะโมเดลที่มีพารามิเตอร์สูงและต้องเก็บข้อมูลบริบทขนาดใหญ่ไว้ระหว่างการประมวลผล

HBM 8-Hi อาจมีต้นทุนต่อ GB แพงกว่า 12-Hi ถึง 10–20%

แม้ HBM แบบ 8-Hi จะใช้ DRAM Die น้อยกว่าและอาจช่วยลดต้นทุนรวมต่อ GPU แต่ไม่ได้หมายความว่าต้นทุนต่อหน่วยความจุจะถูกลงตามไปด้วย

TrendForce ระบุว่า HBM ทั้งแบบ 8-Hi และ 12-Hi ยังคงต้องใช้ Base Die หนึ่งชิ้นต่อหนึ่ง Stack เมื่อ 8-Hi มีความจุน้อยกว่า ต้นทุนของ Base Die จึงถูกเฉลี่ยลงบนความจุ DRAM ที่น้อยกว่า ทำให้ต้นทุนต่อกิกะบิตสูงขึ้น

จากการประเมินของ TrendForce ผลิตภัณฑ์ HBM แบบ 8-Hi ในปี 2027 อาจมีราคาต่อกิกะบิตสูงกว่าแบบ 12-Hi ประมาณ 10–20% <Cite refs={["turn202641search0","turn202641search2"]}/>

นั่นหมายความว่า การลดจำนวนชั้นอาจช่วยให้ผู้ผลิตจัดสรร DRAM ที่มีอยู่อย่างจำกัดไปผลิต GPU ได้มากขึ้น แต่ก็ต้องแลกกับต้นทุนต่อหน่วยความจุที่สูงขึ้น และอาจไม่ช่วยลดราคาของระบบ AI ทั้งหมดได้เท่าที่คาดหวัง

โมเดล AI ใหญ่ขึ้น ยิ่งต้องการหน่วยความจำมากขึ้น

แม้จะมีการพูดถึงการลดความจุ HBM ต่อ GPU แต่แนวโน้มระยะยาวกลับชี้ว่าความต้องการหน่วยความจำต่อระบบ AI ยังคงเพิ่มขึ้น

โมเดล AI มีขนาดใหญ่ขึ้น การสนทนามีบริบทยาวขึ้น และระบบต้องใช้ KV Cache มากขึ้นเพื่อเก็บข้อมูลที่จำเป็นต่อการสร้างคำตอบอย่างต่อเนื่อง ปัจจัยเหล่านี้เพิ่มความต้องการทั้งด้านความจุและแบนด์วิดท์ โดยเฉพาะในเซิร์ฟเวอร์ที่ให้บริการ AI Inference

นอกจาก HBM แล้ว DRAM สำหรับเซิร์ฟเวอร์และ SSD ระดับองค์กรก็ยังเป็นส่วนสำคัญของโครงสร้างพื้นฐาน AI เพราะต้องรองรับการจัดเก็บ การเรียกใช้ และการส่งต่อข้อมูลระหว่างขั้นตอนการประมวลผล

ขณะที่ผู้ผลิตรายใหญ่ให้ความสำคัญกับผลิตภัณฑ์หน่วยความจำระดับสูง การเพิ่มกำลังผลิตให้ทันกับความต้องการจึงยังเป็นความท้าทายสำคัญ และเป็นเหตุผลที่นักลงทุนบางส่วนยังมองว่าตลาดหน่วยความจำมีแนวโน้มแข็งแกร่งกว่าวัฏจักรสินค้าอิเล็กทรอนิกส์ทั่วไปในอดีต

สรุป: แรมยังแพงต่อ แม้จีนมีเทคโนโลยีใหม่และ NVIDIA อาจลดความจุ HBM

ภาพรวมตลาดหน่วยความจำในช่วงปลายปี 2026 ยังคงถูกกำหนดโดยความต้องการจาก AI และข้อจำกัดด้านกำลังผลิต โดย DRAM ตามสัญญามีแนวโน้มปรับขึ้นอีกประมาณ 20% ในไตรมาส 4 แม้การเพิ่มราคาจะชะลอตัวลงจากไตรมาสก่อนหน้า

CXMT กำลังพัฒนาเทคโนโลยี 4F² ที่อาจเพิ่มความหนาแน่นของ DRAM ในอนาคต แต่ยังต้องแก้ปัญหาด้านผลผลิตและความน่าเชื่อถือก่อนขยายสู่การผลิตจำนวนมาก ส่วนการพิจารณา HBM 8-Hi ของ NVIDIA หากเกิดขึ้นจริง ก็อาจช่วยให้ใช้ DRAM ที่มีอยู่ผลิต GPU ได้มากขึ้น แต่แลกกับความจุต่อ GPU ที่ลดลงและต้นทุนต่อกิกะบิตที่สูงขึ้น

ในระยะสั้น ผู้บริโภคจึงยังไม่ควรคาดหวังว่าราคา RAM จะลดลงเพียงเพราะมีความก้าวหน้าทางเทคโนโลยีจากจีน เพราะผลกระทบต่อราคาจริงขึ้นอยู่กับการผลิตเชิงพาณิชย์และปริมาณสินค้าที่เข้าสู่ตลาด รวมถึงความต้องการหน่วยความจำของระบบ AI ที่ยังคงเติบโตต่อเนื่อง

ที่มา: TrendForce